|
|
MOSFETs Mosfet H-Bridge 100/-100 1.1/-0.9
- ZXMHC10A07N8TC
- Diodes Incorporated
-
1:
1,80 €
-
22 821Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
522-ZXMHC10A07N8TC
|
Diodes Incorporated
|
MOSFETs Mosfet H-Bridge 100/-100 1.1/-0.9
|
|
22 821Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
2 500
|
|
|
|
|
MOSFETs 30V Comp ENH Mode H-Bridge 20V VGSS
- DMHC3025LSD-13
- Diodes Incorporated
-
1:
1,37 €
-
36 063Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
621-DMHC3025LSD-13
|
Diodes Incorporated
|
MOSFETs 30V Comp ENH Mode H-Bridge 20V VGSS
|
|
36 063Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 570
:
2 500
|
|
|
|
|
Dvipoliai tranzistoriai – BJT H-Bridge-20V
- ZHB6718TA
- Diodes Incorporated
-
1:
3,34 €
-
6 679Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
522-ZHB6718TA
|
Diodes Incorporated
|
Dvipoliai tranzistoriai – BJT H-Bridge-20V
|
|
6 679Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
1 000
|
|
|
|
|
MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
- DMHT3006LFJ-13
- Diodes Incorporated
-
1:
1,80 €
-
8 701Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
621-DMHT3006LFJ-13
|
Diodes Incorporated
|
MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
|
|
8 701Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 140
:
3 000
|
|
|
|
|
Dvipoliai tranzistoriai – BJT 16-SOIC PNP/NPN
- MMPQ6700
- onsemi
-
1:
2,56 €
-
4 534Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
512-MMPQ6700
|
onsemi
|
Dvipoliai tranzistoriai – BJT 16-SOIC PNP/NPN
|
|
4 534Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 2 500
:
2 500
|
|
|
|
|
MOSFETs 30V Comp H-Bridge ENH FET 20VGS
- DMHC4035LSD-13
- Diodes Incorporated
-
1:
1,60 €
-
7 465Prieinamumas
-
40 000Tikėtina 2026-10-30
|
„Mouser“ Dalies Nr.
621-DMHC4035LSD-13
|
Diodes Incorporated
|
MOSFETs 30V Comp H-Bridge ENH FET 20VGS
|
|
7 465Prieinamumas
40 000Tikėtina 2026-10-30
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
2 500
|
|
|
|
|
Lygintuvai SOT-227 - GEN5 FRED SINGLE PHA
- VS-U5FH30BA60
- Vishay Semiconductors
-
1:
18,09 €
-
187Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
78-VS-U5FH30BA60
|
Vishay Semiconductors
|
Lygintuvai SOT-227 - GEN5 FRED SINGLE PHA
|
|
187Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
MOSFETs MOSFET, SO-8, 30V, 6A, 150C, N+P
- DI006H03SQ
- Diotec Semiconductor
-
1:
2,18 €
-
3 908Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
637-DI006H03SQ
|
Diotec Semiconductor
|
MOSFETs MOSFET, SO-8, 30V, 6A, 150C, N+P
|
|
3 908Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
4 000
|
|
|
|
|
Mažų signalų perjungimo diodai 4 ARRAY COMMON CATHODE
- FMN1T148
- ROHM Semiconductor
-
1:
0,611 €
-
6 406Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
755-FMN1T148
|
ROHM Semiconductor
|
Mažų signalų perjungimo diodai 4 ARRAY COMMON CATHODE
|
|
6 406Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
3 000
|
|
|
|
|
SCHOTTKY Diodes ir Lygintuvai Quad Schottky Diode Array
- UC3611DW
- Texas Instruments
-
1:
16,86 €
-
94Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
595-UC3611DW
|
Texas Instruments
|
SCHOTTKY Diodes ir Lygintuvai Quad Schottky Diode Array
|
|
94Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
Mažų signalų perjungimo diodai
- HN4D02JU(TE85L,F)
- Toshiba
-
1:
0,396 €
-
1 747Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
757-HN4D02JUTE85LF
|
Toshiba
|
Mažų signalų perjungimo diodai
|
|
1 747Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
3 000
|
|
|
|
|
Mažų signalų perjungimo diodai BAW56SRA-Q/SOT1268/DFN1412-6
- BAW56SRA-QZ
- Nexperia
-
1:
0,344 €
-
4 400Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
771-BAW56SRA-QZ
|
Nexperia
|
Mažų signalų perjungimo diodai BAW56SRA-Q/SOT1268/DFN1412-6
|
|
4 400Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
5 000
|
|
|
|
|
Mažų signalų perjungimo diodai Switching diode, 80V ES6 0.1A High Speed
- HN1D02FE,LF
- Toshiba
-
1:
0,482 €
-
2 970Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
757-HN1D02FELF
|
Toshiba
|
Mažų signalų perjungimo diodai Switching diode, 80V ES6 0.1A High Speed
|
|
2 970Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
4 000
|
|
|
|
|
MOSFETs Dual PT5 N-Ch & Dual PT1 PCH PowerTrench
- FDMQ8203
- onsemi
-
1:
2,47 €
-
9Prieinamumas
-
36 000Pagal užsakymą
|
„Mouser“ Dalies Nr.
512-FDMQ8203
|
onsemi
|
MOSFETs Dual PT5 N-Ch & Dual PT1 PCH PowerTrench
|
|
9Prieinamumas
36 000Pagal užsakymą
Turime sandėlyje:
9 Galime išsiųsti iš karto
Pagal užsakymą:
18 000 Tikėtina 2026-12-04
18 000 Tikėtina 2027-09-24
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
52 Savaičių
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 3 000
:
3 000
|
|
|
|
|
Mažų signalų perjungimo diodai SWITCH 80V 100MA
- EMP11T2R
- ROHM Semiconductor
-
1:
0,413 €
-
16 284Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
755-EMP11T2R
|
ROHM Semiconductor
|
Mažų signalų perjungimo diodai SWITCH 80V 100MA
|
|
16 284Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
8 000
|
|
|
|
|
MOSFET moduliai APM16 CAA H-BRIDGE SF3
- FAM65HR51DS2
- onsemi
-
1:
41,31 €
-
42Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
863-FAM65HR51DS2
|
onsemi
|
MOSFET moduliai APM16 CAA H-BRIDGE SF3
|
|
42Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
MOSFET moduliai 1200V, 70A, Full-bridge, Automotive / Industrial Grade SiC Power Module
- BST70B2P4K01-VC
- ROHM Semiconductor
-
1:
84,85 €
-
60Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
755-BST70B2P4K01-VC
Naujas Produktas
|
ROHM Semiconductor
|
MOSFET moduliai 1200V, 70A, Full-bridge, Automotive / Industrial Grade SiC Power Module
|
|
60Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
MOSFET moduliai PM-MOSFET-FREDFET-8-SP1
- APTM50H15FT1G
- Microchip Technology
-
1:
53,95 €
-
14Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
494-APTM50H15FT1G
|
Microchip Technology
|
MOSFET moduliai PM-MOSFET-FREDFET-8-SP1
|
|
14Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
MOSFETs Quad N-Ch Matched Pr VGS=0.0V
- ALD210808PCL
- Advanced Linear Devices
-
1:
10,74 €
-
9Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
585-ALD210808PCL
|
Advanced Linear Devices
|
MOSFETs Quad N-Ch Matched Pr VGS=0.0V
|
|
9Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
Igbt Moduliai MODULES IGBT - ECONO IGBT
- VS-GT51YF120NT
- Vishay Semiconductors
-
1:
81,09 €
-
21Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
78-VS-GT51YF120NT
Naujas Produktas
|
Vishay Semiconductors
|
Igbt Moduliai MODULES IGBT - ECONO IGBT
|
|
21Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
Igbt Moduliai MODULES IGBT - ECONO IGBT
- VS-GT76YF120NT
- Vishay Semiconductors
-
1:
105,42 €
-
18Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
78-VS-GT76YF120NT
Naujas Produktas
|
Vishay Semiconductors
|
Igbt Moduliai MODULES IGBT - ECONO IGBT
|
|
18Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
MOSFETs Quad P-Channel EPAD Matched Pair
- ALD310702ASCL
- Advanced Linear Devices
-
1:
17,84 €
-
43Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
585-ALD310702ASCL
|
Advanced Linear Devices
|
MOSFETs Quad P-Channel EPAD Matched Pair
|
|
43Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
MOSFETs Quad P-Channel EPAD Matched Pair
- ALD310700SCL
- Advanced Linear Devices
-
1:
11,88 €
-
26Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
585-ALD310700SCL
|
Advanced Linear Devices
|
MOSFETs Quad P-Channel EPAD Matched Pair
|
|
26Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
MOSFET moduliai 750V, 90A, Full-bridge, Automotive / Industrial Grade SiC Power Module
- BST91B1P4K01-VC
- ROHM Semiconductor
-
1:
83,16 €
-
53Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
755-BST91B1P4K01-VC
Naujas Produktas
|
ROHM Semiconductor
|
MOSFET moduliai 750V, 90A, Full-bridge, Automotive / Industrial Grade SiC Power Module
|
|
53Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
Igbt Moduliai 320KW SOLAR F5BP-INPC WITH 15709 PIN-OUT & 1050V FS7 IGBT & HPS DBC- AGILE#N07L0
- NXH600N105L7F5P2HG
- onsemi
-
1:
192,12 €
-
24Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
863-H600N105L7F5P2HG
Naujas Produktas
|
onsemi
|
Igbt Moduliai 320KW SOLAR F5BP-INPC WITH 15709 PIN-OUT & 1050V FS7 IGBT & HPS DBC- AGILE#N07L0
|
|
24Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 2
|
|
|