|
|
MOSFETs N-ch + P-ch MOSFET, 30 V/-30 V, 4 A/-4 A, 0.046 at 4.5V/0.045 at 4.5V, TSOP6F
- SSM6L826R,LF
- Toshiba
-
1:
0,791 €
-
2 100Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
757-SSM6L826RLF
Naujas Produktas
|
Toshiba
|
MOSFETs N-ch + P-ch MOSFET, 30 V/-30 V, 4 A/-4 A, 0.046 at 4.5V/0.045 at 4.5V, TSOP6F
|
|
2 100Prieinamumas
|
|
|
0,791 €
|
|
|
0,562 €
|
|
|
0,35 €
|
|
|
0,242 €
|
|
|
0,175 €
|
|
|
Peržiūrėti
|
|
|
0,208 €
|
|
|
0,157 €
|
|
|
0,144 €
|
|
|
0,13 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
3 000
|
|
|
|
|
MOSFETs COMMON-DRAIN DUAL N-CH 12V (S1-S2)MO
- SISF12EDN-T1-GE3
- Vishay Semiconductors
-
1:
0,963 €
-
5 875Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
78-SISF12EDN-T1-GE3
Naujas Produktas
|
Vishay Semiconductors
|
MOSFETs COMMON-DRAIN DUAL N-CH 12V (S1-S2)MO
|
|
5 875Prieinamumas
|
|
|
0,963 €
|
|
|
0,593 €
|
|
|
0,39 €
|
|
|
0,306 €
|
|
|
Peržiūrėti
|
|
|
0,269 €
|
|
|
0,237 €
|
|
|
0,207 €
|
|
|
0,197 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
MOSFETs DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
- SQJ768ELP-T1_GE3
- Vishay Semiconductors
-
1:
1,77 €
-
2 289Prieinamumas
-
3 000Tikėtina 2026-07-23
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
78-SQJ768ELP-T1_GE3
Naujas Produktas
|
Vishay Semiconductors
|
MOSFETs DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
|
|
2 289Prieinamumas
3 000Tikėtina 2026-07-23
|
|
|
1,77 €
|
|
|
1,12 €
|
|
|
0,732 €
|
|
|
0,581 €
|
|
|
Peržiūrėti
|
|
|
0,532 €
|
|
|
0,452 €
|
|
|
0,442 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
MOSFETs N-CHANNEL DEPLETION MODE
- DN2625DK6-G
- Microchip Technology
-
1:
2,88 €
-
20 602Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
689-DN2625DK6-G
|
Microchip Technology
|
MOSFETs N-CHANNEL DEPLETION MODE
|
|
20 602Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SCHOTTKY Diodes ir Lygintuvai Automotive 60V, Schottky, 10A
- MBR1060DC-AU_R2_006A1
- Panjit
-
1:
0,886 €
-
6 235Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
241-MBR1060DCAUR26A1
|
Panjit
|
SCHOTTKY Diodes ir Lygintuvai Automotive 60V, Schottky, 10A
|
|
6 235Prieinamumas
|
|
|
0,886 €
|
|
|
0,553 €
|
|
|
0,36 €
|
|
|
0,325 €
|
|
|
0,295 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
800
|
|
|
|
|
Dvipoliai tranzistoriai – BJT NPN MULTI-CHIP
- NSVT5551DW1T1G
- onsemi
-
1:
0,929 €
-
2 786Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
863-NSVT5551DW1T1G
Naujas Produktas
|
onsemi
|
Dvipoliai tranzistoriai – BJT NPN MULTI-CHIP
|
|
2 786Prieinamumas
|
|
|
0,929 €
|
|
|
0,574 €
|
|
|
0,378 €
|
|
|
0,297 €
|
|
|
0,261 €
|
|
|
0,205 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
3 000
|
|
|
|
|
MOSFETs 30V Asymmetric Dual N-Channel Pwr Trench
- FDMS3669S
- onsemi
-
1:
2,38 €
-
42 680Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
512-FDMS3669S
|
onsemi
|
MOSFETs 30V Asymmetric Dual N-Channel Pwr Trench
|
|
42 680Prieinamumas
|
|
|
2,38 €
|
|
|
1,54 €
|
|
|
1,06 €
|
|
|
0,846 €
|
|
|
0,709 €
|
|
|
0,659 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
3 000
|
|
|
|
|
Mažų signalų perjungimo diodai 85V 150mW
- BAV199T-7-F
- Diodes Incorporated
-
1:
0,292 €
-
331 849Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
621-BAV199T-F
|
Diodes Incorporated
|
Mažų signalų perjungimo diodai 85V 150mW
|
|
331 849Prieinamumas
|
|
|
0,292 €
|
|
|
0,164 €
|
|
|
0,105 €
|
|
|
0,081 €
|
|
|
0,07 €
|
|
|
0,052 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 3 000
:
3 000
|
|
|
|
|
MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30 5V-30V,TSOT23,3K
- DMG6602SVT-7
- Diodes Incorporated
-
1:
0,439 €
-
399 643Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
621-DMG6602SVT-7
|
Diodes Incorporated
|
MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30 5V-30V,TSOT23,3K
|
|
399 643Prieinamumas
|
|
|
0,439 €
|
|
|
0,269 €
|
|
|
0,17 €
|
|
|
0,128 €
|
|
|
0,088 €
|
|
|
0,065 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 3 000
:
3 000
|
|
|
|
|
MOSFETs N Ch 30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
- SQ1539EH-T1_GE3
- Vishay / Siliconix
-
1:
0,361 €
-
143 156Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
78-SQ1539EH-T1_GE3
|
Vishay / Siliconix
|
MOSFETs N Ch 30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
|
|
143 156Prieinamumas
|
|
|
0,361 €
|
|
|
0,224 €
|
|
|
0,179 €
|
|
|
0,17 €
|
|
|
0,154 €
|
|
|
Peržiūrėti
|
|
|
0,163 €
|
|
|
0,15 €
|
|
|
0,144 €
|
|
|
0,142 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
3 000
|
|
|
|
|
MOSFETs P Ch -20Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified
- SQ3985EV-T1_GE3
- Vishay / Siliconix
-
1:
1,03 €
-
110 354Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
78-SQ3985EV-T1_GE3
|
Vishay / Siliconix
|
MOSFETs P Ch -20Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified
|
|
110 354Prieinamumas
|
|
|
1,03 €
|
|
|
0,648 €
|
|
|
0,426 €
|
|
|
0,329 €
|
|
|
0,259 €
|
|
|
Peržiūrėti
|
|
|
0,298 €
|
|
|
0,239 €
|
|
|
0,236 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
3 000
|
|
|
|
|
MOSFETs Dual P-Chnl 30-V D-S AEC-Q101 Qualified
- SQ4949EY-T1_GE3
- Vishay Semiconductors
-
1:
2,15 €
-
31 319Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
78-SQ4949EY-T1_GE3
|
Vishay Semiconductors
|
MOSFETs Dual P-Chnl 30-V D-S AEC-Q101 Qualified
|
|
31 319Prieinamumas
|
|
|
2,15 €
|
|
|
1,38 €
|
|
|
0,946 €
|
|
|
0,752 €
|
|
|
0,691 €
|
|
|
0,648 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
2 500
|
|
|
|
|
MOSFETs N Ch P Ch 100/-100V AEC-Q101 Qualified
- SQJ570EP-T1_GE3
- Vishay / Siliconix
-
1:
1,61 €
-
33 889Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
78-SQJ570EP-T1_GE3
|
Vishay / Siliconix
|
MOSFETs N Ch P Ch 100/-100V AEC-Q101 Qualified
|
|
33 889Prieinamumas
|
|
|
1,61 €
|
|
|
0,963 €
|
|
|
0,685 €
|
|
|
0,541 €
|
|
|
0,409 €
|
|
|
Peržiūrėti
|
|
|
0,495 €
|
|
|
0,399 €
|
|
|
0,39 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
3 000
|
|
|
|
|
MOSFETs 60V 8A 34W AEC-Q101 Qualified
- SQJ960EP-T1_GE3
- Vishay Semiconductors
-
1:
2,67 €
-
77 842Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
78-SQJ960EP-T1_GE3
|
Vishay Semiconductors
|
MOSFETs 60V 8A 34W AEC-Q101 Qualified
|
|
77 842Prieinamumas
|
|
|
2,67 €
|
|
|
1,73 €
|
|
|
1,20 €
|
|
|
0,972 €
|
|
|
0,929 €
|
|
|
0,877 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
3 000
|
|
|
|
|
Lygintuvai THYR / DIODE MODULE DK
- DD600N16KXPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
320,27 €
-
23Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-DD600N16KXPSA1
|
Infineon Technologies
|
Lygintuvai THYR / DIODE MODULE DK
|
|
23Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
MOSFETs Dual N-channel 60 V, 23 mOhm typ., 33 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT
- STL36DN6F7
- STMicroelectronics
-
1:
1,31 €
-
41 533Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
511-STL36DN6F7
|
STMicroelectronics
|
MOSFETs Dual N-channel 60 V, 23 mOhm typ., 33 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT
|
|
41 533Prieinamumas
|
|
|
1,31 €
|
|
|
0,826 €
|
|
|
0,548 €
|
|
|
0,429 €
|
|
|
0,312 €
|
|
|
Peržiūrėti
|
|
|
0,39 €
|
|
|
0,311 €
|
|
|
0,304 €
|
|
|
0,299 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
3 000
|
|
|
|
|
MOSFETs MOSFET N-CHANNEL P-CHANNEL SOT-563
- DMG1016V-7
- Diodes Incorporated
-
1:
0,447 €
-
251 478Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
621-DMG1016V-7
|
Diodes Incorporated
|
MOSFETs MOSFET N-CHANNEL P-CHANNEL SOT-563
|
|
251 478Prieinamumas
|
|
|
0,447 €
|
|
|
0,235 €
|
|
|
0,16 €
|
|
|
0,128 €
|
|
|
0,115 €
|
|
|
0,081 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 3 000
:
3 000
|
|
|
|
|
SiC SCHOTTKY diodai SiC Schottky Barrier Diode, 1200V, 40A, 2nd Gen
- SCS240KE2GC11
- ROHM Semiconductor
-
1:
20,64 €
-
1 258Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
755-SCS240KE2GC11
|
ROHM Semiconductor
|
SiC SCHOTTKY diodai SiC Schottky Barrier Diode, 1200V, 40A, 2nd Gen
|
|
1 258Prieinamumas
|
|
|
20,64 €
|
|
|
14,59 €
|
|
|
13,12 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
MOSFETs 100V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified
- SQJQ910EL-T1_GE3
- Vishay / Siliconix
-
1:
3,10 €
-
43 517Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
78-SQJQ910EL-T1_GE3
|
Vishay / Siliconix
|
MOSFETs 100V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified
|
|
43 517Prieinamumas
|
|
|
3,10 €
|
|
|
1,98 €
|
|
|
1,41 €
|
|
|
1,15 €
|
|
|
1,14 €
|
|
|
1,08 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
2 000
|
|
|
|
|
MOSFETs Asymmetric N ch 30V/30V 55A/85A P
- XP3832CMT
- YAGEO XSemi
-
1:
1,71 €
-
2 997Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
603-XP3832CMT
|
YAGEO XSemi
|
MOSFETs Asymmetric N ch 30V/30V 55A/85A P
|
|
2 997Prieinamumas
|
|
|
1,71 €
|
|
|
1,09 €
|
|
|
0,734 €
|
|
|
0,581 €
|
|
|
0,469 €
|
|
|
Peržiūrėti
|
|
|
0,532 €
|
|
|
0,438 €
|
|
|
0,425 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
3 000
|
|
|
|
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai SiC, Module, 16mohm, 1200V, 33.8 mm, FM3, Half-Bridge, Industrial, Gen 3, Pre-Applied TIM
- CAB016M12FM3T
- Wolfspeed
-
1:
86,06 €
-
22Prieinamumas
-
39Tikėtina 2026-10-16
|
„Mouser“ Dalies Nr.
941-CAB016M12FM3T
|
Wolfspeed
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai SiC, Module, 16mohm, 1200V, 33.8 mm, FM3, Half-Bridge, Industrial, Gen 3, Pre-Applied TIM
|
|
22Prieinamumas
39Tikėtina 2026-10-16
|
|
|
86,06 €
|
|
|
71,47 €
|
|
|
69,88 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
MOSFETs N-Ch 30V 7.7A DSO-8 OptiMOS 3M
- BSO220N03MDGXUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
1,17 €
-
56 035Prieinamumas
-
Netinkama eksploatuoti
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-BSO220N03MDGXUMA
Netinkama eksploatuoti
|
Infineon Technologies
|
MOSFETs N-Ch 30V 7.7A DSO-8 OptiMOS 3M
|
|
56 035Prieinamumas
|
|
|
1,17 €
|
|
|
0,524 €
|
|
|
0,385 €
|
|
|
0,326 €
|
|
|
0,259 €
|
|
|
Peržiūrėti
|
|
|
0,304 €
|
|
|
0,242 €
|
|
|
0,224 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
2 500
|
|
|
|
|
Mažų signalų perjungimo diodai 100V,Mažų signalų perjungimo diodai,SOT-23,4A
- BAV99_R1_00001
- Panjit
-
1:
0,12 €
-
972 813Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
241-BAV99_R1_00001
|
Panjit
|
Mažų signalų perjungimo diodai 100V,Mažų signalų perjungimo diodai,SOT-23,4A
|
|
972 813Prieinamumas
|
|
|
0,12 €
|
|
|
0,073 €
|
|
|
0,045 €
|
|
|
0,033 €
|
|
|
0,022 €
|
|
|
Peržiūrėti
|
|
|
0,028 €
|
|
|
0,02 €
|
|
|
0,019 €
|
|
|
0,018 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
3 000
|
|
|
|
|
MOSFETs -60V Vds 20V Vgs SO-8
- SI4948BEY-T1-E3
- Vishay Semiconductors
-
1:
1,51 €
-
74 629Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
781-SI4948BEY-T1-E3
|
Vishay Semiconductors
|
MOSFETs -60V Vds 20V Vgs SO-8
|
|
74 629Prieinamumas
|
|
|
1,51 €
|
|
|
1,05 €
|
|
|
0,721 €
|
|
|
0,581 €
|
|
|
0,508 €
|
|
|
0,474 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
2 500
|
|
|
|
|
Mažų signalų perjungimo diodai High-speed switching USM IO-0.1A, VR-80V
- 1SS302A,LF
- Toshiba
-
1:
0,189 €
-
610 187Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
757-1SS302ALF
|
Toshiba
|
Mažų signalų perjungimo diodai High-speed switching USM IO-0.1A, VR-80V
|
|
610 187Prieinamumas
|
|
|
0,189 €
|
|
|
0,114 €
|
|
|
0,071 €
|
|
|
0,061 €
|
|
|
0,032 €
|
|
|
Peržiūrėti
|
|
|
0,053 €
|
|
|
0,028 €
|
|
|
0,026 €
|
|
|
0,023 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
3 000
|
|
|
