Wolfspeed SiC MOSFET

Rezultatai: 113
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Montavimo stilius
Pakuotė / Korpusas
Tranzistoriaus poliškumas
Kanalų skaičius
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa
svar. – nuolatinio išleidimo srovė
RDS On - Drain-Source Varža
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa
Qg – vartų krūvis
Minimali darbinė temperatūra
Didžiausia darbinė temperatūra
Pd - skaidos galia
Kanalas Mode
Kvalifikacija
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 21mohm, 1200V, TO-263-7 XL T&R, Industrial
Duomenų Lapas
243Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 248 A 35 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 169 nC - 40 C + 175 C 500 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET 1.2kV 21mOHMS G3 SiC MOSFET
Duomenų Lapas
1 613Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 100 A 28.8 mOhms - 4 V, + 15 V 1.8 V 160 nC - 40 C + 175 C 469 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET 650V MOSFET 45mOHMS SiC MOSFET
Duomenų Lapas
2 498Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 49 A 45 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 63 nC - 40 C + 175 C 176 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 75mohm, 1200V, TO-247-4, 175C capable, Industrial
Duomenų Lapas
762Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 32 A 90 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 53 nC - 40 C + 175 C 136 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 160mohm, 1200V, TO-263-7, Industrial
Duomenų Lapas
1 014Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 17 A 208 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 24 nC - 55 C + 150 C 90 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 15mohm, 650V, TO-247-3, Industrial
Duomenų Lapas
644Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 81 A 15 mOhms - 4 V, + 15 V 3.6 V 188 nC - 40 C + 175 C 416 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET 650V MOSFET 45mOHMS SiC MOSFET
Duomenų Lapas
1 023Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 49 A 45 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 63 nC - 40 C + 175 C 176 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 60mohm, 650V, TO-263-7, Industrial
Duomenų Lapas
1 168Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 650 V 36 A 60 mOhms - 4 V, + 15 V 3.6 V 46 nC - 40 C + 175 C 136 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET 650V MOSFET 25mOHMS SiC MOSFET
Duomenų Lapas
1 285Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 97 A 25 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 108 nC - 40 C + 175 C 326 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 40mohm, 1200V, TO-263-7XL, Industrial
Duomenų Lapas
691Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 1.2 kV 64 A 53.5 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 94 nC - 40 C + 150 C 272 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET 45mohm, 650V TO-263-7XL, Industrial
Duomenų Lapas
611Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 47 A 60 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 61 nC - 40 C + 150 C 147 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET 1.2kV 32mOHMS G3 SiC MOSFET
Duomenų Lapas
342Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 63 A 32 mOhms - 4 V, + 15 V 3.6 V 114 nC - 40 C + 175 C 283 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET 1.2kV 21mOHMS G3 SiC MOSFET
Duomenų Lapas
892Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 100 A 28.8 mOhms - 8 V, + 19 V 2.5 V 162 nC - 40 C + 175 C 469 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 40mohm, 1200V, TO-263-7XL T&R, Industrial
Duomenų Lapas
694Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 800

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 1.2 kV 64 A 53.5 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 94 nC - 40 C + 150 C 272 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 900mohm, 1700V, TO-247-3, Automotive Gen3
Duomenų Lapas
302Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
AEC-Q101
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 900mohm, 1700V, TO-263-7 T&R, Automotive Gen3
Duomenų Lapas
325Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 800
AEC-Q101
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 15mohm, 750V, TO-263-7 XL T&R, Automotive, Gen4
Duomenų Lapas
1 199Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 800

SMD/SMT TO-263-7XL N-Channel 1 Channel 750 V 156 A 15 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 180 nC - 55 C + 175 C 554 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 21mohm, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial
Duomenų Lapas
167Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 100 A 35 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 177 nC - 40 C + 175 C 405 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 25mohm, 750V, TO-247-4 LP, Industrial
Duomenų Lapas
261Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 80 A 21 mOhms - 8 V, + 19 V 2.6 V 119 nC - 40 C + 175 C 262 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 32mohm, 1200V, TO-263-7 XL T&R, Industrial
Duomenų Lapas
610Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 68 A 55 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 108 nC - 40 C + 175 C 341 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 32mohm, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial
Duomenų Lapas
428Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 69 A 55 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 118 nC - 40 C + 175 C 278 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 40mohm, 1200V, TO-263-7 XL T&R, Industrial
Duomenų Lapas
488Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 64 A 70 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 91 nC - 40 C + 175 C 294 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 45mohm, 750V, TO-247-4 LP, Industrial
Duomenų Lapas
423Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 42 A 60 mOhms - 8 V, + 19 V 2.6 V 65 nC - 40 C + 175 C 139 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 60mohm, 750V, TO-247-4 LP, Industrial
Duomenų Lapas
380Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 35 A 78 mOhms - 8 V, + 19 V 2.6 V 52 nC - 40 C + 175 C 126 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 75mohm, 1200V, TO-263-7 XL T&R, Industrial
Duomenų Lapas
687Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 30 A 135 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 52 nC - 55 C + 150 C 172 W Enhancement