X-Class Serija MOSFETs

Rezultatai: 36
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Technologijos
Montavimo stilius
Pakuotė / Korpusas
Tranzistoriaus poliškumas
Kanalų skaičius
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa
svar. – nuolatinio išleidimo srovė
RDS On - Drain-Source Varža
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa
Qg – vartų krūvis
Minimali darbinė temperatūra
Didžiausia darbinė temperatūra
Pd - skaidos galia
Kanalas Mode
Prekinis pavadinimas
Pakavimas

IXYS MOSFETs 850V Ultra Junction X-Class Pwr MOSFET
Duomenų Lapas
297Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 850 V 20 A 330 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 63 nC - 55 C + 150 C 540 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 1000V 26A TO-268HV Power MOSFET
Duomenų Lapas
140Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si SMD/SMT TO-268-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 8 A 320 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 113 nC - 55 C + 150 C 860 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 850V Ultra Junction X-Class Pwr MOSFET
Duomenų Lapas
278Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 850 V 50 A 105 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 152 nC - 55 C + 150 C 890 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs 650V/64A Power MOSFET
Duomenų Lapas
3Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 64 A 51 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 143 nC - 55 C + 150 C 890 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs 650V/9A Power MOSFET
Duomenų Lapas
267Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 20 A 210 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 35 nC - 55 C + 150 C 320 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 850V Ultra Junction X-Class Pwr MOSFET
Duomenų Lapas
238Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 850 V 20 A 330 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 63 nC - 55 C + 150 C 540 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 1000V 52A PLUS247 Power MOSFET
Duomenų Lapas
195Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-PLUS-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 52 A 125 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 245 nC - 55 C + 150 C 1.25 mW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 1000V 32A TO-268HV Power MOSFET
Duomenų Lapas
257Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 1 kV 32 A 220 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 130 nC - 55 C + 150 C 890 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 1000V 32A TO-247 Power MOSFET
Duomenų Lapas
494Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 32 A 220 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 130 nC - 55 C + 150 C 890 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 850V Ultra Junction X-Class Pwr MOSFET
Duomenų Lapas
371Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 850 V 50 A 105 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 152 nC - 55 C + 150 C 890 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 850V Ultra Junction X-Class Pwr MOSFET
Duomenų Lapas
32Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 850 V 20 A 330 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 63 nC - 55 C + 150 C 540 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 850V/14A UlJun XCl
Duomenų Lapas
19Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 850 V 14 A 550 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 30 nC - 55 C + 150 C 460 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs TO263 850V 3.5A N-CH XCLASS
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 27 Savaičių
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 850V/8A U-Junc X-Cla ss Power MOSFET
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 27 Savaičių
Min.: 300
Daugkart.: 50

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 850 V 8 A 850 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 17 nC - 55 C + 150 C 200 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 1000V 70A PLUS264 Power MOSFET
Duomenų Lapas
Vykdymo Laikas 26 Savaičių
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole PLUS-264-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 70 A 89 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 350 nC - 55 C + 150 C 1.785 mW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 850V/90A Ultra Junction X-Class
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 41 Savaičių
Min.: 300
Daugkart.: 25

Si Through Hole PLUS-264-3 N-Channel 1 Channel 850 V 90 A 41 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 340 nC - 55 C + 150 C 1.785 kW Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs TO247 850V 14A N-CH X3CLASS
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 27 Savaičių
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 1000V 26A TO-247 Power MOSFET
Duomenų Lapas
Vykdymo Laikas 27 Savaičių
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 8 A 320 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 113 nC - 55 C + 150 C 860 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs TO247 850V 30A N-CH XCLASS
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 27 Savaičių
Min.: 300
Daugkart.: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 850 V 30 A 220 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 68 nC - 55 C + 150 C 695 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs TO247 850V 9.5A N-CH XCLASS
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 26 Savaičių
Min.: 300
Daugkart.: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 850 V 9.5 A 360 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 63 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 52A 1000V POWER MOSFET
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 36 Savaičių
Min.: 300
Daugkart.: 25

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 52 A 125 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 245 nC - 55 C + 150 C 1.25 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 850V Ultra Junction X-Class Pwr MOSFET
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 27 Savaičių
Min.: 300
Daugkart.: 25

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 850 V 66 A 65 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 230 nC - 55 C + 150 C 1.25 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs TO220 850V 14A N-CH XCLASS
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 27 Savaičių
Min.: 300
Daugkart.: 50

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 850 V 14 A 550 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 30 nC - 55 C + 150 C 460 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs TO220 850V 4A N-CH XCLASS
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 27 Savaičių
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 850 V 3.5 A 2.5 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 7 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 850V/3.5A UlJun XCl HiPerFET Pwr MOSFET
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 27 Savaičių
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 850 V 3.5 A 2.5 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 7 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement HiPerFET Tube