Tube MOSFETs

Rezultatai: 4 965
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Technologijos
Montavimo stilius
Pakuotė / Korpusas
Tranzistoriaus poliškumas
Kanalų skaičius
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa
svar. – nuolatinio išleidimo srovė
RDS On - Drain-Source Varža
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa
Qg – vartų krūvis
Minimali darbinė temperatūra
Didžiausia darbinė temperatūra
Pd - skaidos galia
Kanalas Mode
Kvalifikacija
Prekinis pavadinimas
Pakavimas
Vishay / Siliconix MOSFETs TO220 600V 35A N-CH MOSFET
Duomenų Lapas
6 655Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 35 A 80 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 42 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFETs 200V Vds 20V Vgs TO-263
Duomenų Lapas
17 394Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 200 V 90 A 12.3 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 87 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement ThunderFET Tube
Vishay Semiconductors MOSFETs 200V 57A 300W
Duomenų Lapas
8 374Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 57 A 27 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 130 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement TrenchFET Tube
Vishay Semiconductors MOSFETs N-Chan 800V 4.1 Amp
Duomenų Lapas
17 945Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-262-3 N-Channel 1 Channel 800 V 4.1 A 3 Ohms - 20 V, 20 V 2 V 78 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube

onsemi MOSFETs SUPERFET3 650V
Duomenų Lapas
9 640Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 110 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 58 nC - 55 C + 150 C 240 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFETs 60V Vds TrenchFET TO-263-3
Duomenų Lapas
2 963Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 60 V 120 A 2.4 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 128 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement TrenchFET Tube

onsemi MOSFETs 900V N-Channel Adv Q-FET C-Series
Duomenų Lapas
1 533Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 900 V 8 A 1.4 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 58 nC - 55 C + 150 C 205 W Enhancement QFET Tube
Vishay Semiconductors MOSFETs 650V Vds; 30V Vgs TO-247AC
Duomenų Lapas
1 415Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 63 A 39 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 126 nC - 55 C + 150 C 357 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFETs TO247 600V 8.4A N-CH MOSFET
Duomenų Lapas
832Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 8.4 A 168 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 32 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFETs 200V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)
Duomenų Lapas
1 107Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 200 V 90 A 13.8 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 96 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement ThunderFET Tube
Vishay Semiconductors MOSFETs TO220 100V 11A P-CH MOSFET
Duomenų Lapas
1 604Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 P-Channel 1 Channel 100 V 13 A 200 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 61 nC - 55 C + 175 C 42 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFETs TO251 200V 3.6A P-CH MOSFET
Duomenų Lapas
7 242Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-251-3 P-Channel 1 Channel 200 V 3.6 A 1.5 Ohms - 20 V, 20 V 4 V 20 nC - 55 C + 150 C 42 W Enhancement Tube
onsemi MOSFETs 900V N-Chan Advance Q-FET C-Series
Duomenų Lapas
2 315Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 900 V 8 A 1.4 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 58 nC - 55 C + 150 C 68 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFETs LOW POWER_NEW
Duomenų Lapas
5 835Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 9 A 305 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 13 nC - 55 C + 150 C 41 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Duomenų Lapas
380Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 61 A 45 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 90 nC - 55 C + 150 C 201 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_LEGACY
Duomenų Lapas
849Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 23.8 A 144 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 44 nC - 55 C + 150 C 176 W Enhancement CoolMOS Tube
Vishay / Siliconix MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
Duomenų Lapas
950Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 Tube
Vishay Semiconductors MOSFETs P-Chan 60V 8.8 Amp
Duomenų Lapas
5 318Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 60 V 8.8 A 280 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 19 nC - 55 C + 150 C 42 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET 60V
Duomenų Lapas
1 278Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 194 A 1.6 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 155 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement Tube
Texas Instruments MOSFETs MOSFET 10ns RT A 595 -TPS1100DR A 595-TP A 595-TPS1100DR
Duomenų Lapas
2 660Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si SMD/SMT SOIC-8 P-Channel 1 Channel 15 V 1.6 A 180 mOhms - 15 V, 2 V 1.5 V 5.45 nC - 40 C + 150 C 791 mW Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 650V 46A TO220-3 CoolMOS C7
Duomenų Lapas
334Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 46 A 40 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 93 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement CoolMOS Tube
IXYS MOSFETs DiscMosfet NCh Std-VeryHiVolt TO-268AA
Duomenų Lapas
305Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 2.5 kV 1.5 A 40 Ohms - 20 V, 20 V 2 V 41 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
Duomenų Lapas
Produkto pastabos
1 254Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 12 A 380 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 29 nC - 55 C + 150 C 147 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
Duomenų Lapas
Produkto pastabos
760Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 32 A 82 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 88 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFETs 80V Vds 20V Vgs TO-220
Duomenų Lapas
1 084Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 80 V 120 A 2.8 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 141 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement TrenchFET Tube