Linear Power MOSFETs with Extended FBSOA

IXYS Linear Power MOSFETs with Extended FBSOA are N-Channel enhancement mode power MOSFETs designed for linear operation in an international standard package. IXYS Linear Power MOSFETs with Extended FBSOA feature a miniBLOC with aluminium nitride isolation, high power density, a space-saving and easy-to-mount package, and molding epoxy which meets the UL94 V-0 flammability classification. 

Rezultatai: 60
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Technologijos
Montavimo stilius
Pakuotė / Korpusas
Tranzistoriaus poliškumas
Kanalų skaičius
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa
svar. – nuolatinio išleidimo srovė
RDS On - Drain-Source Varža
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa
Qg – vartų krūvis
Minimali darbinė temperatūra
Didžiausia darbinė temperatūra
Pd - skaidos galia
Kanalas Mode
Prekinis pavadinimas
Pakavimas
IXYS MOSFETs Standard Linear Power MOSFETs
Duomenų Lapas
2 981Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 200 V 80 A 32 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 180 nC - 55 C + 150 C 520 W Enhancement Linear Tube

IXYS MOSFETs LinearL2 Powr MOSFET w/extended FBSOA
Duomenų Lapas
3 069Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 100 V 75 A 21 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 215 nC - 55 C + 150 C 400 W Enhancement Tube
IXYS MOSFETs Disc Mosfet N-CH Linear L2 TO-247AD
Duomenų Lapas
72Prieinamumas
300Tikėtina 2026-09-08
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 75 V 240 A 7 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 546 nC - 55 C + 150 C 960 W Enhancement LinearL2 Tube
IXYS MOSFETs Disc Mosfet N-CH Linear L2 TO-263D2
Duomenų Lapas
881Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 250 V 30 A 140 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 130 nC - 55 C + 150 C 355 W Enhancement Linear L2 Tube

IXYS MOSFETs 24 Amps 500V 0.30 Ohms Rds
Duomenų Lapas
311Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 24 A 300 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 160 nC - 55 C + 150 C 400 W Enhancement Tube

IXYS MOSFETs 40 Amps 500V
Duomenų Lapas
536Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 40 A 170 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 320 nC - 55 C + 150 C 540 W Enhancement Linear L2 Tube

IXYS MOSFETs LINEAR L2 SERIES MOSFET 200V 110A
Duomenų Lapas
297Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 110 A 24 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 500 nC - 55 C + 150 C 960 W Enhancement Linear L2 Tube
IXYS MOSFETs Disc Mosfet N-CH Linear L2 TO-247AD
Duomenų Lapas
71Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 75 V 140 A 11 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 275 nC - 55 C + 150 C 540 W Enhancement Linear L2 Tube

IXYS MOSFETs Disc Mosfet N-CH Linear L2 TO-247AD
Duomenų Lapas
248Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 100 V 64 A 32 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 100 nC - 55 C + 150 C 357 W Enhancement Linear L2 Tube
IXYS MOSFETs LINEAR L2 SERIES MOSFET 100V 75A
Duomenų Lapas
310Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 100 V 75 A 21 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 215 nC - 55 C + 150 C 400 W Enhancement Tube

IXYS MOSFETs 44 Amps 500V
Duomenų Lapas
215Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-PLUS-3 N-Channel 1 Channel 500 V 46 A 160 mOhms - 30 V, 30 V 6 V 260 nC - 55 C + 150 C 700 W Enhancement Tube

IXYS MOSFETs Standard Linear Power MOSFET
Duomenų Lapas
196Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-PLUS-3 N-Channel 1 Channel 1.5 kV 8 A 3.6 Ohms - 30 V, 30 V 8 V 250 nC - 55 C + 150 C 700 W Enhancement Tube
IXYS IXTK3N250L
IXYS MOSFETs MOSFET DISCRETE TO-264K
Duomenų Lapas
3Prieinamumas
300Tikėtina 2026-06-22
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Tube
IXYS MOSFETs 8 Amps 1500V
Duomenų Lapas
471Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 1.5 kV 8 A 3.6 Ohms - 30 V, 30 V 8 V 250 nC - 55 C + 150 C 700 W Enhancement Tube
IXYS MOSFETs TO263 100V 64A N-CH LINEAR
Duomenų Lapas
1 908Prieinamumas
850Tikėtina 2026-07-20
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 100 V 64 A 32 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 100 nC - 55 C + 150 C 357 W Enhancement Tube
IXYS MOSFETs MOSFET N CHANNEL
Duomenų Lapas
2 740Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 75 V 80 A 24 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 103 nC - 55 C + 150 C 357 W Enhancement Tube

IXYS MOSFETs 12 Amps 1000V 1.3 Ohms Rds
Duomenų Lapas
999Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 12 A 1.3 Ohms - 30 V, 30 V 3.5 V 155 nC - 55 C + 150 C 400 W Enhancement Tube
IXYS MOSFETs LINEAR L2 SERIES MOSFET 200V 110A
Duomenų Lapas
2 943Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 200 V 110 A 24 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 500 nC - 55 C + 150 C 960 W Enhancement Linear L2 Tube
IXYS MOSFETs 60 Amps 500V
Duomenų Lapas
685Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 500 V 60 A 100 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 610 nC - 55 C + 150 C 960 W Enhancement Linear L2 Tube

IXYS MOSFETs L2 Linear Power MOSFET
Duomenų Lapas
1 852Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 100 V 200 A 11 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 540 nC - 55 C + 150 C 1.04 kW Enhancement Linear L2 Tube
IXYS MOSFETs TO263 500V 15A N-CH LINEAR
Duomenų Lapas
433Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 500 V 15 A 480 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 123 nC - 55 C + 150 C 300 W Enhancement Linear L2 Tube

IXYS MOSFETs 62 Amps 500V 0.1 Rds
Duomenų Lapas
198Prieinamumas
300Tikėtina 2026-06-10
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 62 A 100 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 550 nC - 55 C + 150 C 800 W Enhancement Tube

IXYS MOSFETs L2 Linear Power MOSFET
Duomenų Lapas
419Prieinamumas
450Tikėtina 2026-03-09
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 100 V 110 A 18 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 260 nC - 55 C + 150 C 600 W Enhancement Tube

IXYS MOSFETs LINEAR L2 SERIES MOSFET 500V 15A
Duomenų Lapas
885Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 15 A 480 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 123 nC - 55 C + 150 C 300 W Enhancement Tube

IXYS MOSFETs LINEAR L2 SERIES MOSFET 200V 60A
Duomenų Lapas
224Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 60 A 45 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 255 nC - 55 C + 150 C 540 W Enhancement Linear L2 Tube