Shindengen MOSFETs

Rezultatai: 86
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr. Gam. Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu. Qty. RoHS ECAD modelis Technologijos Montavimo stilius Pakuotė / Korpusas Tranzistoriaus poliškumas Kanalų skaičius Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa svar. – nuolatinio išleidimo srovė RDS On - Drain-Source Varža Vgs - užtūros-šaltinio įtampa Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa Qg – vartų krūvis Didžiausia darbinė temperatūra Pd - skaidos galia Kanalas Mode Pakavimas
Shindengen MOSFETs High Switching Speed High Voltage 2Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 20 A 360 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 40 nC + 150 C 95 W Enhancement Bulk
Shindengen MOSFETs High Switching Speed High Voltage 74Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 3 A 2.3 Ohms - 30 V, 30 V 4.5 V 10 nC + 150 C 52.5 W Enhancement Bulk
Shindengen MOSFETs High Switching Speed High Voltage 60Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 5 A 1.6 Ohms - 30 V, 30 V 4.5 V 10.5 nC + 150 C 52.5 W Enhancement Bulk
Shindengen MOSFETs Hi Switching Speed High Voltage Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole FTO-220A-3 Bulk
Shindengen MOSFETs Hi Switching Speed High Voltage Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole FTO-220A-3 Bulk
Shindengen MOSFETs Hi Switching Speed High Voltage Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole FTO-220A-3 Bulk
Shindengen MOSFETs Hi Switching Speed High Voltage Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 1 000
Daugkart.: 1 000
Reel: 1 000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) Reel
Shindengen MOSFETs Hi Switching Speed High Voltage Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) Tube
Shindengen MOSFETs Hi Switching Speed High Voltage Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole FTO-220A-3 Bulk

Shindengen MOSFETs Hi Switching Speed High Voltage Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole MTO-3P-3 Tube

Shindengen MOSFETs Hi Switching Speed High Voltage Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole MTO-3P-3 Tube
Shindengen MOSFETs Hi Switching Speed High Voltage Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole FTO-220A-3 Bulk

Shindengen MOSFETs Hi Switching Speed High Voltage Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole MTO-3P-3 Tube
Shindengen MOSFETs 75V, 100A EETMOS POWER MOSFET
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 1 000
Daugkart.: 1 000

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 75 V 100 A 4.2 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 104 nC + 150 C 140 W Enhancement Tube
Shindengen MOSFETs High Switching Speed High Voltage Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 Bulk
Shindengen MOSFETs Mosfet Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 Bulk
Shindengen MOSFETs High Switching Speed High Voltage Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 Bulk
Shindengen MOSFETs High Switching Speed High Voltage Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 Bulk
Shindengen MOSFETs 100V, 13A EETMOS POWER MOSFET
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 3 000
Daugkart.: 3 000
Reel: 3 000

Si SMD/SMT LA-8 N-Channel 1 Channel 100 V 13 A 16 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 57 nC + 150 C 1.7 W Enhancement Reel
Shindengen MOSFETs High Switching Speed High Voltage Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 Bulk
Shindengen MOSFETs Mosfet Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 Bulk
Shindengen MOSFETs 280V, 21A Hi-PotMOS MOSFET
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 2 000
Daugkart.: 2 000

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 280 V 21 A 130 mOhms - 30 V, 30 V 3.75 V 20.5 nC + 150 C 85 W Enhancement Bulk
Shindengen MOSFETs High Switching Speed Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 3 000
Daugkart.: 3 000
Reel: 3 000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) Reel
Shindengen MOSFETs 280V, 26A Hi-PotMOS MOSFET
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 2 000
Daugkart.: 2 000

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 280 V 26 A 110 mOhms - 30 V, 30 V 3.75 V 24.5 nC + 150 C 90 W Enhancement Bulk
Shindengen MOSFETs 60V, 34A EETMOS POWER MOSFET
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 2 000
Daugkart.: 2 000

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 34 A 9 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 41 nC + 150 C 35 W Enhancement Bulk