STMicroelectronics PowerMESH MOSFETs

Rezultatai: 12
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr. Gam. Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu. Qty. RoHS ECAD modelis Technologijos Montavimo stilius Pakuotė / Korpusas Tranzistoriaus poliškumas Kanalų skaičius Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa svar. – nuolatinio išleidimo srovė RDS On - Drain-Source Varža Vgs - užtūros-šaltinio įtampa Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa Qg – vartų krūvis Minimali darbinė temperatūra Didžiausia darbinė temperatūra Pd - skaidos galia Kanalas Mode Prekinis pavadinimas Pakavimas
STMicroelectronics MOSFETs 1500V 6Ohm 2.5A N-Channel 1 176Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 1.5 kV 2.5 A 9 Ohms - 30 V, 30 V 5 V 29.3 nC - 50 C + 150 C 140 W Enhancement PowerMESH Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 600 Volt 40 Amp 146Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si SMD/SMT ISOTOP-4 N-Channel 1 Channel 600 V 40 A 130 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 430 nC - 65 C + 150 C 460 W Enhancement PowerMESH Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 500 Volt 53 Amp 199Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si SMD/SMT ISOTOP-4 N-Channel 1 Channel 500 V 53 A 80 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 434 nC - 65 C + 150 C 460 W Enhancement PowerMESH Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 1700 V, 7 Ohm typ., 2.6 A, PowerMESH Power MOSFET in TO-3PF package 565Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-3PF-3 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 2.6 A 7 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 44 nC - 55 C + 150 C 63 W Enhancement PowerMESH Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-CH 1500V 6Ohm 2.5A PowerMESH 815Prieinamumas
1 000Tikėtina 2026-04-13
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 1 000

Si SMD/SMT H2PAK-2 N-Channel 1 Channel 1.5 kV 2.5 A 9 Ohms - 20 V, 20 V 3 V 29.3 nC - 55 C + 150 C 140 W Enhancement PowerMESH Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics MOSFETs PowerMESH MOSFET 1 497Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 1.5 kV 4 A 5 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 50 nC - 55 C + 150 C 160 W Enhancement PowerMESH Tube

STMicroelectronics MOSFETs 1500V 6Ohm 2.5A N-Channel 3 412Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.5 kV 2.5 A 9 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 29.3 nC - 55 C + 150 C 140 W Enhancement PowerMESH Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 1700 V, 7 Ohm typ., 2.6 A, PowerMESH Power MOSFET in TO-247 package 1 190Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-3PF-3 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 2.6 A 13 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 44 nC - 55 C + 150 C 63 W Enhancement PowerMESH Tube

STMicroelectronics MOSFETs N-channel 1500 V PowerMesh 518Prieinamumas
600Tikėtina 2026-04-13
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.5 kV 4 A 7 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 30 nC - 55 C + 150 C 160 W Enhancement PowerMESH Tube

STMicroelectronics MOSFETs N-CH 1500V HI-VOLT PWRMESH PWR MOSFET 589Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.5 kV 8 A 2.5 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 89.3 nC - 55 C + 150 C 320 W Enhancement PowerMESH Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 1500 V 2.5 A PowerMESH 544Prieinamumas
2 100Pagal užsakymą
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-3PF-3 N-Channel 1 Channel 1.5 kV 2.5 A 9 Ohms - 20 V, 20 V 3 V 29.3 nC - 55 C + 150 C 63 W Enhancement PowerMESH Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 1500 V 4 A PowerMESH 354Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-3PF-3 N-Channel 1 Channel 1.5 kV 4 A 7 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 50 nC - 55 C + 150 C 63 W Enhancement PowerMESH Tube