STFW4N150

STMicroelectronics
511-STFW4N150
STFW4N150

Gam.:

Aprašymas:
MOSFETs N-channel 1500 V 4 A PowerMESH

ECAD modelis:
Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Prieinamumas: 354

Turime sandėlyje:
354 Galime išsiųsti iš karto
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
14 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.
Min. 1   Užsakoma po 1
Vieneto kaina:
-,-- €
Plėt. Kaina:
-,-- €
Numatomas Įkainis:

Kainodara (EUR)

Qty. Vieneto kaina
Plėt. Kaina
5,51 € 5,51 €
4,22 € 42,20 €
3,41 € 341,00 €
3,04 € 1 824,00 €
2,60 € 3 120,00 €

Produkto Požymis Atributo vertė Pasirinkite Požymį
STMicroelectronics
Gaminio kategorija: MOSFETs
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-3PF-3
N-Channel
1 Channel
1.5 kV
4 A
7 Ohms
- 30 V, 30 V
3 V
50 nC
- 55 C
+ 150 C
63 W
Enhancement
PowerMESH
Tube
Prekės Ženklas: STMicroelectronics
Configuration: Single
Gaminio tipas: MOSFETs
Serija: STFW4N150
Gamyklinės pakuotės kiekis: 300
Subkategorija: Transistors
Tranzistoriaus tipas: 1 N-Channel
Vieneto Svoris: 7 g
Rasta produktų:
Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį
Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.
Pasirinkti atributai: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

N-Channel PowerMESH Power MOSFETs

STMicroelectronics N-Channel PowerMESH Power MOSFETs are designed with the STMicroelectronics consolidated strip-layout based MESH OVERLAY™ process. This process results in an advanced family of high voltage Power MOSFETs with outstanding performances. The strengthened layout coupled with the proprietary edge termination structure, gives the lowest RDS(on) per area, unrivaled gate charge, and switching characteristics.

High Voltage IEEE 1500V+ Discrete Semiconductors Transistors