Rectron MOSFETs

Rezultatai: 189
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Technologijos
Montavimo stilius
Pakuotė / Korpusas
Tranzistoriaus poliškumas
Kanalų skaičius
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa
svar. – nuolatinio išleidimo srovė
RDS On - Drain-Source Varža
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa
Qg – vartų krūvis
Minimali darbinė temperatūra
Didžiausia darbinė temperatūra
Pd - skaidos galia
Kanalas Mode
Pakavimas
Rectron MOSFETs
Duomenų Lapas
2 404Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 3 000

Si SMD/SMT SOT23-3 N-Channel 1 Channel 20 V 4.5 A 33 mOhms - 12 V, 12 V 500 mV 10 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Rectron MOSFETs
Duomenų Lapas
335Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 3 000

Si SMD/SMT SOT23-3 N-Channel 1 Channel 60 V 300 mA 2 Ohms - 20 V, 20 V 1 V 1.7 nC - 55 C + 150 C 350 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Rectron MOSFETs
Duomenų Lapas
603Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 800

Si SMD/SMT D2PAK-2 (TO-263-2) N-Channel 1 Channel 100 V 135 A 4.6 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 92 nC - 55 C + 175 C 210 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Rectron MOSFETs MOSFET,SOT-23
Duomenų Lapas
669Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 3 000

Si SMD/SMT SOT23-3 N-Channel 1 Channel 60 V 300 mA 2 Ohms - 20 V, 20 V 1 V 1.7 nC - 55 C + 150 C 350 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Rectron MOSFETs
Duomenų Lapas
683Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 800

Si SMD/SMT D2PAK-2 (TO-263-2) N-Channel 1 Channel 60 V 150 A 4.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 163 nC - 55 C + 175 C 220 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Rectron MOSFETs
Duomenų Lapas
19 340Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 3 000

Si SMD/SMT SOT363-6 N-Channel 2 Channel 60 V 250 mA 5 Ohms - 20 V, 20 V 1 V 1.7 nC - 55 C + 150 C 350 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Rectron MOSFETs
Duomenų Lapas
2 975Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 3 000

Si SMD/SMT SOT363-6 N-Channel 2 Channel 20 V 750 mA 380 mOhms - 12 V, 12 V 350 mV 1.2 nC - 55 C + 150 C 150 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Rectron MOSFETs
Duomenų Lapas
2 500Tikėtina 2026-05-05
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 2 500

Si SMD/SMT TO-252-2 N-Channel 1 Channel 100 V 10 A 130 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 21.5 nC - 55 C + 175 C 40 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Rectron MOSFETs
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 3 000
Daugkart.: 3 000
Reel: 3 000

Si Reel
Rectron MOSFETs SOT-23 MOSFET
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 12 000
Daugkart.: 3 000
Reel: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 30 V 3.6 A 58 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 4 nC - 55 C + 150 C 1.7 W Enhancement Reel

Rectron MOSFETs MOSFET DFN
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 5 000
Daugkart.: 5 000
Reel: 5 000

Si SMD/SMT DFN-8 N-Channel 1 Channel 30 V 100 A 2.5 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 38 nC - 55 C + 175 C 65 W Enhancement Reel
Rectron MOSFETs
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 1 000
Daugkart.: 1

Si Tube
Rectron MOSFETs
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 5 000
Daugkart.: 5 000
Reel: 5 000

Si Reel
Rectron MOSFETs MOSFET TO-251
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 2 400
Daugkart.: 800

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 100 A 6.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 85 nC - 55 C + 175 C 170 W Enhancement Tube
Rectron MOSFETs
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 3 000
Daugkart.: 3 000
Reel: 3 000

Si Reel
Rectron MOSFETs D2-PAK MOSFET
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 800
Daugkart.: 800
Reel: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 150 V 110 A 7.8 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 150 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Reel
Rectron MOSFETs DFN MOSFET Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 5 000
Daugkart.: 5 000
Reel: 5 000

Si Reel
Rectron MOSFETs MOSFET TO-251
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 1 600
Daugkart.: 800

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 85 V 110 A 6 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 54 nC - 55 C + 175 C 145 W Enhancement Tube
Rectron MOSFETs TO-220F MOSFET
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 1 000
Daugkart.: 1 000

Si Through Hole TO-220F-3 N-Channel 1 Channel 800 V 11 A 420 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 48 nC - 55 C + 150 C 33.8 W Enhancement Tube
Rectron MOSFETs MOSFET TO-220
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 1 000
Daugkart.: 1 000

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 11 A 420 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 48 nC - 55 C + 150 C 188 W Enhancement Tube
Rectron MOSFETs MOSFET TO-220
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 2 000
Daugkart.: 1 000

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 40 V 120 A 4 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 75 nC - 55 C + 175 C 130 W Enhancement Tube
Rectron MOSFETs MOSFET TO-220
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 2 000
Daugkart.: 1 000

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 85 V 120 A 5.3 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 55 nC - 55 C + 175 C 160 W Enhancement Tube
Rectron MOSFETs DFN MOSFET
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 5 000
Daugkart.: 5 000
Reel: 5 000

Si SMD/SMT DFN-6 P-Channel 1 Channel 12 V 16 A 18 mOhms - 12 V, 12 V 1 V 48 nC - 55 C + 150 C 18 W Enhancement Reel
Rectron MOSFETs SOP-8 MOSFET Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 5 000
Daugkart.: 2 500
Reel: 2 500

Si Reel
Rectron MOSFETs MOSFET TO-220
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 2 000
Daugkart.: 1 000

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 12 A 520 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 30 nC - 55 C + 150 C 101 W Enhancement Tube