IXYS MOSFETs

Rezultatai: 1 579
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Technologijos
Montavimo stilius
Pakuotė / Korpusas
Tranzistoriaus poliškumas
Kanalų skaičius
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa
svar. – nuolatinio išleidimo srovė
RDS On - Drain-Source Varža
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa
Qg – vartų krūvis
Minimali darbinė temperatūra
Didžiausia darbinė temperatūra
Pd - skaidos galia
Kanalas Mode
Kvalifikacija
Prekinis pavadinimas
Pakavimas
IXYS MOSFETs 40 Amps 500V
Duomenų Lapas
207Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-3P-3 N-Channel 1 Channel 500 V 40 A 170 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 320 nC - 55 C + 150 C 540 W Enhancement Linear L2 Tube

IXYS MOSFETs PLUS247 650V 120A N-CH X2CLASS
Duomenų Lapas
213Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 120 A 23 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 230 nC - 55 C + 150 C 1.25 mW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 500V 132A 0.039Ohm PolarP3 Power MOSFET
Duomenų Lapas
142Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole PLUS-264-3 N-Channel 1 Channel 500 V 132 A 39 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 250 nC - 55 C + 150 C 1.89 kW Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/18A
Duomenų Lapas
264Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 18 A 660 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 90 nC - 55 C + 150 C 830 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs MOSFET 650V/60A Ultra Junction X2
Duomenų Lapas
889Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 60 A 52 mOhms - 30 V, 30 V 2.7 V 107 nC - 55 C + 150 C 780 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs N-Ch 200V Enh FET 200Vdgr 300A 4mOhm
Duomenų Lapas
265Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 200 V 300 A 4 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 375 nC - 55 C + 150 C 1.25 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 500V 80A
Duomenų Lapas
406Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 500 V 80 A 65 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 197 nC - 55 C + 150 C 1.04 kW Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 100V 420A
Duomenų Lapas
261Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 100 V 420 A 2.6 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 670 nC - 55 C + 175 C 1.67 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs TO252 200V 36A N-CH X3CLASS
Duomenų Lapas
1 798Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 200 V 36 A 38 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 21 nC - 55 C + 150 C 170 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs -36.0 Amps -150V 0.110 Rds
Duomenų Lapas
1 593Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) P-Channel 1 Channel 150 V 36 A 110 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 55 nC - 55 C + 150 C 300 W Enhancement PolarP Reel, Cut Tape, MouseReel
IXYS MOSFETs TO263 150V 44A P-CH TRENCH
Duomenų Lapas
1 346Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) P-Channel 1 Channel 150 V 44 A 65 mOhms - 15 V, 15 V 2 V 175 nC - 55 C + 150 C 298 W Enhancement TrenchP Reel, Cut Tape, MouseReel

IXYS MOSFETs N-channel MOSFET
Duomenų Lapas
311Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 2 A 6.5 Ohms - 20 V, 20 V 4.5 V 110 nC - 55 C + 150 C 568 W Enhancement Tube
IXYS MOSFETs TO247 3KV 2A N-CH POLAR
Duomenų Lapas
300Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 3 kV 2 A 21 Ohms - 20 V, 20 V 3 V 73 nC - 55 C + 150 C 520 W Enhancement Polar3 Tube

IXYS MOSFETs 40 Amps 500V
Duomenų Lapas
540Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 40 A 170 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 320 nC - 55 C + 150 C 540 W Enhancement Linear L2 Tube
IXYS MOSFETs 1700V 2A
Duomenų Lapas
189Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 1.7 kV 2 A 6.5 Ohms - 20 V, 20 V 4.5 V 110 nC - 55 C + 150 C 568 W Depletion Tube

IXYS MOSFETs LINEAR L2 SERIES MOSFET 200V 110A
Duomenų Lapas
299Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 110 A 24 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 500 nC - 55 C + 150 C 960 W Enhancement Linear L2 Tube
IXYS MOSFETs PLUS247 300V 4A N-CH POLAR
Duomenų Lapas
199Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 3 kV 4 A 12.5 Ohms - 20 V, 20 V 3 V 139 nC - 55 C + 150 C 960 W Enhancement Polar3 Tube

IXYS MOSFETs 120 Amps 150V 0.016 Rds
Duomenų Lapas
390Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 150 V 120 A 16 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 150 nC - 55 C + 175 C 600 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs 600V 30A
Duomenų Lapas
1 733Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 30 A 240 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 82 nC - 55 C + 150 C 500 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs TRENCHT2 PWR MOSFET 75V 520A
Duomenų Lapas
1 197Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 75 V 520 A 2.2 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 545 nC - 55 C + 175 C 1.25 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 600V 64A
Duomenų Lapas
370Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 600 V 64 A 96 mOhms - 30 V, 30 V - 55 C + 150 C 1.04 mW Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs TO220 650V 34A N-CH X3CLASS
Duomenų Lapas
684Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 34 A 100 mOhms - 20 V, 20 V 5.2 V 29 nC - 55 C + 150 C 446 W Enhancement Tube
IXYS MOSFETs TO220 300V 72A N-CH X3CLASS
Duomenų Lapas
974Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 300 V 72 A 19 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 82 nC - 55 C + 150 C 36 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs 120 Amps 250 V 0.24 Ohm Rds
Duomenų Lapas
170Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 250 V 120 A 24 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 185 nC - 55 C + 175 C 700 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs 26 Amps 1200V 1 Rds
Duomenų Lapas
636Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 20 A 570 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 193 nC - 55 C + 150 C 780 W Enhancement HiPerFET Tube