IXYS MOSFETs

Rezultatai: 1 579
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Technologijos
Montavimo stilius
Pakuotė / Korpusas
Tranzistoriaus poliškumas
Kanalų skaičius
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa
svar. – nuolatinio išleidimo srovė
RDS On - Drain-Source Varža
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa
Qg – vartų krūvis
Minimali darbinė temperatūra
Didžiausia darbinė temperatūra
Pd - skaidos galia
Kanalas Mode
Kvalifikacija
Prekinis pavadinimas
Pakavimas

IXYS MOSFETs 170 Amps 100V 0.009 Rds
Duomenų Lapas
368Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 100 V 170 A 9 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 198 nC - 55 C + 175 C 714 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs TO247 200V 220A N-CH X3CLASS
Duomenų Lapas
180Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 220 A 6.2 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 204 nC - 55 C + 150 C 890 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs Trench HiperFET Power MOSFET
Duomenų Lapas
299Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 300 V 86 A 43 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 180 nC - 55 C + 150 C 830 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs 88 Amps 300V 0.04 Rds
Duomenų Lapas
244Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 300 V 88 A 40 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 180 nC - 55 C + 150 C 600 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs 82 Amps 300V 0.026 Ohm Rds
Duomenų Lapas
355Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 300 V 70 A 26 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 185 nC - 55 C + 150 C 300 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs TO252 250V 30A N-CH X3CLASS
Duomenų Lapas
661Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 250 V 30 A 60 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 21 nC - 55 C + 150 C 170 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs 6 Amps 1200V 2.700 Rds
Duomenų Lapas
193Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 6 A 2.4 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 56 nC - 55 C + 150 C 300 W Enhancement Tube
IXYS MOSFETs TO247 650V 80A N-CH X2CLASS
Duomenų Lapas
239Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 80 A 38 mOhms - 30 V, 30 V 2.7 V 137 nC - 55 C + 150 C 890 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs -10.0 Amps -500V 1.000 Rds
Duomenų Lapas
510Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-3P-3 P-Channel 1 Channel 500 V 10 A 1 Ohms - 20 V, 20 V 4.5 V 50 nC - 55 C + 150 C 300 W Enhancement Tube
IXYS MOSFETs -170.0 Amps -100V 0.012 Rds
Duomenų Lapas
226Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 P-Channel 1 Channel 100 V 170 A 12 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 240 nC - 55 C + 150 C 890 W Enhancement Tube
IXYS MOSFETs 4 Amps 1000V
Duomenų Lapas
798Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 1 kV 4 A 3.3 Ohms - 20 V, 20 V 6 V 26 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs MOSFET 650V/34A Ultra Junction X2
Duomenų Lapas
705Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 34 A 105 mOhms - 30 V, 30 V 2.7 V 56 nC - 55 C + 150 C 540 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs PolarP2 Power MOSFET
Duomenų Lapas
1 182Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 52 A 120 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 113 nC - 55 C + 150 C 960 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs TO220 300V 56A N-CH X3CLASS
Duomenų Lapas
519Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 300 V 56 A 27 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 56 nC - 55 C + 150 C 320 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 500V 36A
Duomenų Lapas
1 650Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 500 V 36 A 170 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 93 nC - 55 C + 150 C 540 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 850V Ultra Junction X-Class Pwr MOSFET
Duomenų Lapas
278Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 850 V 50 A 105 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 152 nC - 55 C + 150 C 890 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode
Duomenų Lapas
646Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 300 V 150 A 19 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 197 nC - 55 C + 150 C 1.3 mW Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/80A
Duomenų Lapas
710Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 80 A 65 mOhms - 30 V, 30 V 6.5 V 200 nC - 55 C + 150 C 1.25 kW Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs 600V 80A 0.07Ohm PolarP3 Power MOSFET
Duomenų Lapas
251Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 80 A 70 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 190 nC - 55 C + 150 C 1.3 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs TO263 1KV 3A N-CH DEPL
Duomenų Lapas
587Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si SMD/SMT TO-263HV-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 3 A 6 Ohms - 20 V, 20 V 4.5 V 37.5 nC - 55 C + 150 C 125 W Depletion Tube

IXYS MOSFETs -16.0 Amps -600V 0.720 Rds
Duomenų Lapas
404Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 P-Channel 1 Channel 600 V 16 A 720 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 92 nC - 55 C + 150 C 460 W Enhancement PolarP Tube
IXYS MOSFETs TO247 1.7KV 1A N-CH DEPL
Duomenų Lapas
907Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 1 A 16 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 47 nC - 55 C + 150 C 290 W Depletion Tube

IXYS MOSFETs N-CH MOSFETS (D2) 500V 6A
Duomenų Lapas
293Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 6 A 550 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 96 nC - 55 C + 150 C 300 W Depletion Tube
IXYS MOSFETs -120 Amps -65V 0.01 Rds
Duomenų Lapas
2 179Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 P-Channel 1 Channel 65 V 120 A 10 mOhms - 15 V, 15 V 4 V 185 nC - 55 C + 150 C 298 W Enhancement TrenchP Tube
IXYS MOSFETs 1 Amps 1200V 20 Rds
Duomenų Lapas
1 466Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 1 A 20 Ohms - 20 V, 20 V 4.5 V 17.6 nC - 55 C + 150 C 63 W Enhancement Tube