STGD4M65DF2

STMicroelectronics
511-STGD4M65DF2
STGD4M65DF2

Gam.:

Aprašymas:
IGBT Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 4 A low loss

ECAD modelis:
Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Prieinamumas: 2 128

Turime sandėlyje:
2 128 Galime išsiųsti iš karto
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
14 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.
Didesniam nei 2128 kiekiui taikomi minimalaus užsakymo reikalavimai.
Min. 1   Užsakoma po 1
Vieneto kaina:
-,-- €
Plėt. Kaina:
-,-- €
Numatomas Įkainis:
Pakuotė:
Visa Ritė (Užsakoma po 2500)

Kainodara (EUR)

Qty. Vieneto kaina
Plėt. Kaina
Nukerpama juosta / „MouseReel™“
1,31 € 1,31 €
0,824 € 8,24 €
0,547 € 54,70 €
0,432 € 216,00 €
0,39 € 390,00 €
Visa Ritė (Užsakoma po 2500)
0,33 € 825,00 €
0,316 € 1 580,00 €
0,312 € 3 120,00 €
† 5,00 € „MouseReel™“ mokestis bus pridėtas ir apskaičiuotas jūsų pirkinių krepšelyje. Visi „MouseReel™“ užsakymai neatšaukiami ir negrąžinami.

Produkto Požymis Atributo vertė Pasirinkite Požymį
STMicroelectronics
Gaminio kategorija: IGBT
RoHS:  
Si
DPAK-3 (TO-252-3)
SMD/SMT
Single
650 V
1.6 V
- 20 V, 20 V
8 A
68 W
- 55 C
+ 175 C
STGD4M65DF2
Reel
Cut Tape
MouseReel
Prekės Ženklas: STMicroelectronics
Nuolatinė kolektoriaus srovė, Ic Max: 8 A
Užtvaro sklaidos įrenginio nuotėkio srovė: +/- 250 uA
Gaminio tipas: IGBT Transistors
Gamyklinės pakuotės kiekis: 2500
Subkategorija: IGBTs
Vieneto Svoris: 330 mg
Rasta produktų:
Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį
Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.
Pasirinkti atributai: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

STM 650V M Series Trench Gate Field-Stop IGBTs

STMicroelectronics 650V M Series Trench Gate Field-Stop IGBTs are developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. STMicroelectronics 650V M series supply a 3A-150A maximum collector current for applications with up to 100kHz operating frequency. The IGBTs have an optimized design and are available in a tailored built-in anti-parallel diode. A positive VCE(sat) temperature coefficient and tight parameter distribution result in safer paralleling operation.