Microchip IGBT

Rezultatai: 122
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Technologijos
Pakuotė / Korpusas
Montavimo stilius
Configuration
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
Kolektoriaus ir Emiterio Stoties Įtampa
Didžiausia vartų emiterio įtampa
Nuolatinė kolektoriaus srovė esant 25 C
Pd - skaidos galia
Minimali darbinė temperatūra
Didžiausia darbinė temperatūra
Pakavimas

Microchip Technology IGBT IGBT PT MOS 7 Single 1200 V 35 A TO-247
Duomenų Lapas
107Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 3.3 V - 20 V, 20 V 96 A 543 W - 55 C + 150 C Tube
Microchip Technology IGBT IGBT MOS 8 1200 V 85 A SOT-227
Duomenų Lapas
14Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si SOT-227 Screw Mount Single 1.2 kV 3.5 V 30 V 118 A 595 W - 55 C + 150 C Tube

Microchip Technology IGBT IGBT PT MOS 7 Single 1200 V 45 A TO-247
Duomenų Lapas
27Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 3.3 V - 20 V, 20 V 100 A 625 W - 55 C + 150 C Tube

Microchip Technology IGBT FG, IGBT-COMBI, 600V, TO-264 MAX, RoHS
Duomenų Lapas
2Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 600 V 2.2 V - 30 V, 30 V 198 A 833 W - 55 C + 150 C Tube
Microchip Technology IGBT IGBT PT MOS 7 Single 1200 V 45 A SOT-227
Duomenų Lapas
10Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si SOT-227-4 Screw Mount Single 1.2 kV 3.3 V - 20 V, 20 V 75 A 329 W - 55 C + 150 C Tube
Microchip Technology IGBT IGBT Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 75 A TO-268
Duomenų Lapas
60Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si D3PAK-3 SMD/SMT Single 600 V 1.45 V - 30 V, 30 V 155 A 536 W - 55 C + 175 C Tube

Microchip Technology IGBT IGBT PT MOS 8 Combi 600 V 54 A TO-247
Duomenų Lapas
69Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 600 V 2 V - 30 V, 30 V 96 A 416 W - 55 C + 150 C Tube
Microchip Technology APT50GP60B2DQ2G
Microchip Technology IGBT IGBT PT MOS 7 Combi 600 V 50 A TO-247 MAX
Duomenų Lapas
242Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si - 20 V, 20 V Tube
Microchip Technology APT75GN60BG
Microchip Technology IGBT IGBT Fieldstop Low Frequency Single 600 V 75 A TO-247
Duomenų Lapas
230Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole Single 600 V 1.45 V - 30 V, 30 V 155 A 536 W - 55 C + 175 C Tube
Microchip Technology APT33GF120B2RDQ2G
Microchip Technology IGBT IGBT NPT Low Frequency Combi 1200 V 33 A TO-247 MAX
Duomenų Lapas
106Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole Single 1.2 kV 2.5 V - 30 V, 30 V 64 A 357 W - 55 C + 150 C Tube
Microchip Technology APT35GA90B
Microchip Technology IGBT IGBT PT MOS 8 Single 900 V 35 A TO-247
Duomenų Lapas
29Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole Single 900 V 2.5 V - 30 V, 30 V 63 A 290 W - 55 C + 150 C Tube
Microchip Technology APT30GN60BG
Microchip Technology IGBT IGBT Fieldstop Low Frequency Single 600 V 30 A TO-247
Duomenų Lapas
3Prieinamumas
150Tikėtina 2026-03-09
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole Single 600 V 1.5 V - 30 V, 30 V 63 A 203 W - 55 C + 175 C Tube
Microchip Technology APT50GR120L
Microchip Technology IGBT IGBT MOS 8 1200 V 50 A TO-264
Duomenų Lapas
20Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si TO-264-3 Through Hole Single 1.2 kV 3.5 V 30 V 117 A 694 W - 55 C + 150 C Tube
Microchip Technology APT95GR65B2
Microchip Technology IGBT IGBT MOS 8 650 V 95 A TO-247 MAX
Duomenų Lapas
50Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 2.6 V - 30 V, 30 V 208 A 892 W - 55 C + 150 C Tube
Microchip Technology APT13GP120BG
Microchip Technology IGBT IGBT PT MOS 7 Single 1200 V 13 A TO-247
Duomenų Lapas
56Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole Single 1.2 kV 3.3 V - 20 V, 20 V 41 A 250 W - 55 C + 150 C Tube
Microchip Technology APT54GA60B
Microchip Technology IGBT IGBT PT MOS 8 Single 600 V 54 A TO-247
Duomenų Lapas
66Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole Single 600 V 2 V - 30 V, 30 V 96 A 416 W - 55 C + 150 C Tube
Microchip Technology APT15GN120BDQ1G
Microchip Technology IGBT IGBT Fieldstop Low Frequency Combi 1200 V 15 A TO-247
Duomenų Lapas
30Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole Single 1.2 kV 1.7 V - 20 V, 20 V 45 A 195 W - 55 C + 150 C Tube

Microchip Technology IGBT IGBT Fieldstop Low Frequency Single 1200 V 25 A TO-268
Duomenų Lapas
842Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si D3PAK-3 SMD/SMT Single 1.2 kV 1.7 V - 30 V, 30 V 67 A 272 W - 55 C + 150 C Tube

Microchip Technology IGBT IGBT Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 50 A TO-247
Duomenų Lapas
494Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 600 V 1.45 V - 30 V, 30 V 107 A 366 W - 55 C + 175 C Tube
Microchip Technology IGBT IGBT Fieldstop Low Frequency Single 1200 V 75 A TO-264
Duomenų Lapas
298Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si TO-264-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.7 V - 30 V, 30 V 200 A 833 W - 55 C + 150 C Tube

Microchip Technology IGBT IGBT PT MOS 8 Combi 900 V 80 A TO-264
Duomenų Lapas
299Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 900 V 2.5 V - 30 V, 30 V 145 A 625 W - 55 C + 150 C Tube
Microchip Technology APT30GP60BDQ1G
Microchip Technology IGBT IGBT PT MOS 7 Combi 600 V 30 A TO-247
Duomenų Lapas
478Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole Single 600 V 2.2 V - 20 V, 20 V 100 A 463 W - 55 C + 150 C Tube
Microchip Technology IGBT IGBT Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 100 A TO-246
Duomenų Lapas
11Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si TO-264-3 Through Hole Single 600 V 1.45 V - 30 V, 30 V 229 A 625 W - 55 C + 175 C Tube
Microchip Technology IGBT IGBT Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 20 A TO-247
Duomenų Lapas
76Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 600 V 1.5 V - 30 V, 30 V 40 A 136 W - 55 C + 175 C Tube

Microchip Technology IGBT IGBT NPT Medium Frequency Combi 1200 V 25 A TO-247
Duomenų Lapas
19Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 3.2 V - 30 V, 30 V 54 A 347 W - 55 C + 150 C Tube