Microchip Dvipoliai tranzistoriai – BJT

Rezultatai: 2 830
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Technologijos
Montavimo stilius
Pakuotė / Korpusas
Tranzistoriaus poliškumas
Configuration
Didžiausia nuolatinės srovės kolektoriaus srovė
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
Collector- Base Voltage VCBO
Emitter- Base Voltage VEBO
Kolektoriaus ir Emiterio Stoties Įtampa
Pd - skaidos galia
Gain Juostos pločio produktas fT
Minimali darbinė temperatūra
Didžiausia darbinė temperatūra
Serija
Pakavimas
Microchip Technology Dvipoliai tranzistoriai – BJT Power BJT 119Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Ne
Si Bulk
Microchip Technology Dvipoliai tranzistoriai – BJT 80V 3A 1W Power BJT THT
Duomenų Lapas
88Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Ne
Si Through Hole TO-5-3 NPN Single 3 A 80 V 125 V 8 V 500 mV 1 W - 65 C + 200 C Bulk
Microchip / Microsemi JANTXV2N5153U3
Microchip / Microsemi Dvipoliai tranzistoriai – BJT 80V 2A 1W PNP Low Profile CER Power BJT SMT
Duomenų Lapas
115Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Ne
Si SMD/SMT U-3 PNP Single 2 A 80 V 100 V 5.5 V 1.5 V 100 W - 65 C + 200 C Tray
Microchip Technology Dvipoliai tranzistoriai – BJT 60V 600mW NPN Power BJT
Duomenų Lapas
95Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Ne
Si Through Hole TO-5-3 NPN Single 60 V 5 V 1.5 V 600 mW - 65 C + 200 C Bulk
Microchip Technology Dvipoliai tranzistoriai – BJT Power BJT
Duomenų Lapas
235Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Ne
Si Through Hole TO-5-3 PNP Single 1 A 200 V 200 V 4 V 2.5 V 1 W - 65 C + 200 C Bulk
Microchip / Microsemi Dvipoliai tranzistoriai – BJT 60V 600mA 800mW NPN Small-Signal BJT THT
Duomenų Lapas
107Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Ne
Si Through Hole TO-39-3 PNP Single 600 mA 40 V 60 V 5 V 400 mV 800 mW - 65 C + 200 C Bulk
Microchip / Microsemi Dvipoliai tranzistoriai – BJT 80V 4A 25W NPN Power BJT THT
Duomenų Lapas
503Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Ne
Si Through Hole TO-66 PNP Single 4 A 80 V 80 V 7 V 400 mV 25 W - 65 C + 200 C Tray
Microchip / Microsemi Dvipoliai tranzistoriai – BJT Power BJT
Duomenų Lapas
97Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Ne
Si Through Hole TO-5-3 PNP Single 1 A 300 V 350 V 6 V 2 V 750 mW - 65 C + 200 C Bulk
Microchip Technology Dvipoliai tranzistoriai – BJT Power BJT
Duomenų Lapas
106Prieinamumas
23Tikėtina 2026-09-07
Min.: 1
Daugkart.: 1
Ne
Si Through Hole TO-66-2 PNP Single 6 A 80 V 90 V 5 V 1 V 40 W - 65 C + 200 C Tray
Microchip Technology Dvipoliai tranzistoriai – BJT 20V 100mA 400 mW Small-Signal BJT THT
Duomenų Lapas
111Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Ne
Si Through Hole TO-46-3 PNP Single 100 mA 20 V 25 V 25 V 400 mW - 65 C + 200 C Bulk
Microchip / Microsemi Dvipoliai tranzistoriai – BJT 45V 30mA 300mW NPN Small-Signal BJT THT
Duomenų Lapas
165Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Ne
Si Through Hole TO-18-3 NPN Single 30 mA 45 V 60 V 6 V 1 V 300 mW - 55 C + 200 C Bulk
Microchip / Microsemi Dvipoliai tranzistoriai – BJT 40V 800mA 500mW Small-Signal BJT THT
Duomenų Lapas
184Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Ne
Si Through Hole TO-18-3 NPN Single 800 mA 50 V 75 V 6 V 1 V 500 mW - 65 C + 200 C Tray
Microchip Technology Dvipoliai tranzistoriai – BJT 300V 2A 2.5W Power BJT THT
Duomenų Lapas
94Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Ne
Si Through Hole TO-66-2 NPN Single 2 A 300 V 500 V 6 V 750 mV 2.5 W - 65 C + 200 C Tray
Microchip Technology Dvipoliai tranzistoriai – BJT 200V 5A 2.5W NPN Power BJT THT
Duomenų Lapas
102Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Ne
Si Through Hole TO-66-2 NPN Single 5 A 200 V 250 V 6 V 400 mV 2.5 W - 65 C + 200 C Tray
Microchip Technology Dvipoliai tranzistoriai – BJT 50V 3A 1W Power BJT THT
Duomenų Lapas
89Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Ne
Si Through Hole TO-39-3 NPN Single 3 A 50 V 80 V 5 V 500 mV 1 W - 65 C + 200 C Bulk
Microchip Technology Dvipoliai tranzistoriai – BJT 80V 2A 1W PNP Power BJT THT
Duomenų Lapas
117Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Ne
Si Through Hole TO-39-3 PNP Single 10 A 80 V 100 V 5.5 V 750 mV 1 W - 65 C + 200 C Bulk
Microchip / Microsemi Dvipoliai tranzistoriai – BJT 30V 800mA 800mW NPN Long-Lead Small-Signal BJT THT
Duomenų Lapas
95Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Ne
Si Through Hole TO-5-3 NPN Single 800 mA 50 V 75 V 6 V 300 mV 800 mW - 55 C + 200 C Tray
Microchip / Microsemi Dvipoliai tranzistoriai – BJT 300V 5A 1.2W NPN Power BJT THT
Duomenų Lapas
100Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Ne
Si SMD/SMT TO-5-3 NPN Single 5 A 300 V 400 V 6 V 400 mV 1.2 W - 65 C + 200 C Bulk
Microchip / Microsemi Dvipoliai tranzistoriai – BJT 350V 1A 800mW Power BJT THT
Duomenų Lapas
118Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Ne
Si Through Hole TO-39-3 NPN Single 1 A 350 V 450 V 7 V 500 mV 800 mW - 65 C + 200 C Bulk
Microchip / Microsemi Dvipoliai tranzistoriai – BJT 80 V Small-Signal BJT
Duomenų Lapas
580Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Ne
Si Through Hole TO-39-3 PNP Single 1 A 80 V 80 V 5 V 150 mV 800 mW - 55 C + 200 C Bulk
Microchip Technology Dvipoliai tranzistoriai – BJT 75V 500mA 800mW NPN Short-Lead Power BJT THT
Duomenų Lapas
44Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Ne
Si Through Hole TO-5-3 NPN Single 500 mA 30 V 75 V 5 V 1.5 V 800 mW - 65 C + 200 C Bulk
Microchip Technology Dvipoliai tranzistoriai – BJT 30V 800mA 800mW NPN Small-Signal BJT THT
Duomenų Lapas
99Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Ne
Si Through Hole TO-39-3 Bulk
Microchip Technology Dvipoliai tranzistoriai – BJT 40V 600mA 400mW PNP 3 Pin CER Small-Signal BJT
Duomenų Lapas
76Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Ne
Si SMD/SMT LCC-3 PNP Single 600 mA 60 V 60 V 5 V 400 mV 500 mW - 65 C + 200 C Waffle
Microchip Technology Dvipoliai tranzistoriai – BJT 175V 1A 1W Small-Signal BJT THT
Duomenų Lapas
52Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Ne
Si Through Hole TO-39-3 PNP Single 1 A 175 V 175 V 5 V 300 mV 1 W - 65 C + 200 C Bulk
Microchip Technology Dvipoliai tranzistoriai – BJT 40V 3A 1.75W NPN Power BJT THT
Duomenų Lapas
18Prieinamumas
111Pagal užsakymą
Min.: 1
Daugkart.: 1
Ne
Si Through Hole TO-8-3 NPN Single 3 A 40 V 60 V 12 V 750 mV 1.75 W - 65 C + 200 C Tray