Vishay MOSFETs

Rezultatai: 5
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Technologijos
Montavimo stilius
Pakuotė / Korpusas
Tranzistoriaus poliškumas
Kanalų skaičius
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa
svar. – nuolatinio išleidimo srovė
RDS On - Drain-Source Varža
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa
Qg – vartų krūvis
Minimali darbinė temperatūra
Didžiausia darbinė temperatūra
Pd - skaidos galia
Kanalas Mode
Prekinis pavadinimas
Pakavimas
Vishay MOSFETs N-CHANNEL 650V
Duomenų Lapas
428Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si SMD/SMT TO-247AC N-Channel 1 Channel 650 V 20 A 190 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 33 nC - 55 C + 150 C 179 W Enhancement Vishay
Vishay MOSFETs N-CHANNEL 650V
Duomenų Lapas
934Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si SMD/SMT TO-220AB N-Channel 1 Channel 650 V 20 A 190 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 33 nC - 55 C + 150 C 179 W Enhancement Vishay
Vishay MOSFETs N-CHANNEL 650V
Duomenų Lapas
2 950Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 3 000

Si SMD/SMT PowerPAK 8 x 8 N-Channel 1 Channel 650 V 17 A 190 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 33 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement Vishay Reel, Cut Tape
Vishay MOSFETs N-CHANNEL 650V
Duomenų Lapas
257Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si SMD/SMT TO-263 N-Channel 1 Channel 650 V 20 A 190 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 33 nC - 55 C + 150 C 179 W Enhancement Vishay
Vishay MOSFETs N-CHANNEL 650V
Duomenų Lapas
2 950Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 3 000

Si SMD/SMT PowerPAK 8 x 8 N-Channel 1 Channel 650 V 14 A 240 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 29 nC - 55 C + 150 C 114 W Enhancement Vishay Reel, Cut Tape