DTMOSIV MOSFETs

Rezultatai: 112
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Technologijos
Montavimo stilius
Pakuotė / Korpusas
Tranzistoriaus poliškumas
Kanalų skaičius
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa
svar. – nuolatinio išleidimo srovė
RDS On - Drain-Source Varža
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa
Qg – vartų krūvis
Minimali darbinė temperatūra
Didžiausia darbinė temperatūra
Pd - skaidos galia
Kanalas Mode
Prekinis pavadinimas
Pakavimas
Toshiba MOSFETs N-Ch 800V 1400pF 23nC 11.5A 165W
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 20 Savaičių
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 11.5 A 380 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 23 nC - 55 C + 150 C 165 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFETs Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK(OS) PD=100W F=1MHZ
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 20 Savaičių
Min.: 2 000
Daugkart.: 2 000
Reel: 2 000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 500 V 11.5 A 340 mOhms - 30 V, 30 V 2.7 V 25 nC - 55 C + 150 C 100 W Enhancement DTMOSIV Reel
Toshiba MOSFETs DTMOSIV 600V 340mOhm 11.5A 100W 890pF
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 20 Savaičių
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 75

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 600 V 11.5 A 265 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 25 nC - 55 C + 150 C 100 W DTMOSIV Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFETs N-Ch DTMOSIV 600 V 104W 890pF 11.5A
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 20 Savaičių
Min.: 2 500
Daugkart.: 2 500
Reel: 2 500

Si SMD/SMT DFN8x8-5 N-Channel 1 Channel 600 V 11.5 A 300 mOhms 104 W DTMOSIV Reel
Toshiba MOSFETs Power MOSFET N-Channel
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 20 Savaičių
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 13.7 A 250 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 40 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFETs MOSFET NChannel 0.22ohm DTMOS
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 20 Savaičių
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 13.7 A 220 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 35 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFETs Power MOSFET N-Channel
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 20 Savaičių
Min.: 1 000
Daugkart.: 1 000
Reel: 1 000

Si Through Hole TO-262-3 N-Channel 1 Channel 650 V 13.7 A 250 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 40 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement DTMOSIV Reel

Toshiba MOSFETs Power MOSFET N-Channel
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 20 Savaičių
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 13.7 A 250 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 40 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFETs Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DTMOS DFN8x8-OS PD=139W F=1MHZ
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 20 Savaičių
Min.: 2 500
Daugkart.: 2 500
Reel: 2 500

Si SMD/SMT DFN8x8-5 N-Channel 1 Channel 650 V 13.7 A 280 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 35 nC - 55 C + 150 C 139 W Enhancement DTMOSIV Reel
Toshiba MOSFETs Power MOSFET N-Channel
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 20 Savaičių
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 15.8 A 180 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 43 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFETs DTMOSIV 600V 190mOhm 15.8A 130W 1350pF
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 18 Savaičių
Min.: 1 000
Daugkart.: 1 000
Reel: 1 000

Si Through Hole TO-262-3 N-Channel 1 Channel 600 V 15.8 A 190 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 38 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement DTMOSIV Reel
Toshiba MOSFETs TO-3PN(OS) PD=130W 1MHz PWR MOSFET TRNS
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 20 Savaičių
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-3PN-3 N-Channel 1 Channel 600 V 15.8 A 230 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 43 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFETs N-Ch 15.8A 130W FET 600V 1350pF 38nC
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-3PN-3 N-Channel 1 Channel 600 V 15.8 A 160 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 38 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement DTMOSIV
Toshiba MOSFETs N-Ch DTMOSIV 600 V 139W 1350pF 15.8A
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 20 Savaičių
Min.: 2 500
Daugkart.: 2 500
Reel: 2 500

Si SMD/SMT DFN8x8-5 N-Channel 1 Channel 600 V 15.8 A 190 mOhms 139 W DTMOSIV Reel
Toshiba MOSFETs TO-220SIS PD=45W 1MHz PWR MOSFET TRNS
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 32 Savaičių
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 17.3 A 230 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 50 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFETs Power MOSFET N-Channel
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 20 Savaičių
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 17.3 A 170 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 45 nC - 55 C + 150 C 165 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFETs DFN8x8-OS PD=156W 1MHz PWR MOSFET TRNS
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 20 Savaičių
Min.: 2 500
Daugkart.: 2 500
Reel: 2 500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 650 V 17.3 A 210 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 45 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement DTMOSIV Reel
Toshiba MOSFETs N-Ch DTMOSIV 600 V 156W 1680pF 20A
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 20 Savaičių
Min.: 2 500
Daugkart.: 2 500
Reel: 2 500

Si SMD/SMT DFN8x8-5 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 170 mOhms - 30 V, 30 V 2.7 V 48 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement DTMOSIV Reel
Toshiba MOSFETs Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220AB PD=230W F=1MHZ
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 20 Savaičių
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 27.6 A 110 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 75 nC - 55 C + 150 C 230 W Enhancement DTMOSIV Tube

Toshiba MOSFETs Power MOSFET N-Channel
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 20 Savaičių
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 27.6 A 94 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 75 nC - 55 C + 150 C 230 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFETs Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DFN 8 8 PD=240W F=1MHZ
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 20 Savaičių
Min.: 5 000
Daugkart.: 5 000
Reel: 5 000

Si SMD/SMT DFN8x8-5 N-Channel 1 Channel 650 V 27.6 A 140 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 90 nC - 55 C + 150 C 240 W Enhancement DTMOSIV Reel
Toshiba MOSFETs DFN8x8-OS PD=240W 1MHz PWR MOSFET TRNS
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 20 Savaičių
Min.: 2 500
Daugkart.: 2 500
Reel: 2 500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 650 V 27.6 A 120 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 75 nC - 55 C + 150 C 240 W Enhancement DTMOSIV Reel
Toshiba MOSFETs N-Ch 30.8A 230W FET 600V 3000pF 105nC
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 20 Savaičių
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-3PN-3 N-Channel 1 Channel 600 V 30.8 A 73 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 86 nC - 55 C + 150 C 230 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFETs N-Ch 30.8A 230W FET 600V 3000pF 86nC
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 20 Savaičių
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-3PN-3 N-Channel 1 Channel 600 V 30.8 A 88 mOhms - 30 V, 30 V 105 nC 230 W DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFETs N-Ch DTMOSIV 600 V 240W 3000pF 30.8A
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 20 Savaičių
Min.: 2 500
Daugkart.: 2 500
Reel: 2 500

Si SMD/SMT DFN8x8-5 N-Channel 1 Channel 600 V 30.8 A 78 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 86 nC - 55 C + 150 C 240 W Enhancement DTMOSIV Reel