Atrodo, kad jūsų naršyklėje išjungtas "JavaScript". Kai kurios šio puslapio funkcijos neveiks, jei neprisijungsite.

TK17E65W,S1X

Name: Toshiba TK17E65W,S1X
Brand: Toshiba
SKU: 757-TK17E65WS1X
Price: 4.86 EUR
Availability: OutOfStock

Vaizdai skirti tik iliustracijai
Žr. produkto specifikacijas

Mouser #:

757-TK17E65WS1X

Mfr. #:

TK17E65W,S1X

Gam.:

Toshiba

Aprašymas:

MOSFETs Power MOSFET N-Channel

Duomenų Lapas:

TK17E65W,S1X Duomenų Lapas (PDF)

ECAD modelis:

Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Daugiau informacijos

Sužinokite daugiau apie Toshiba TK17E65W,S1X

Prieinamumas

Turime sandėlyje:: Ne Sandėlyje Esantys

Įvyko netikėta klaida. Prašome pabandyti vėliau.
Gamintojo numatytas pristatymo laikas: 16 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje.

Įvesti kiekį:

Min. 1 Užsakoma po 1

Vieneto kaina:

-,-- €

Plėt. Kaina:

-,-- €

Numatomas Įkainis:

Kainodara (EUR)

Qty.	Vieneto kaina	Plėt. Kaina
	4,86 €	4,86 €
	3,18 €	31,80 €
	2,37 €	237,00 €
	1,99 €	995,00 €
	1,84 €	1 840,00 €
	1,73 €	4 325,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produkto Požymis	Atributo vertė	Pasirinkite Požymį
Gamintojas:	Toshiba
Gaminio kategorija:	MOSFETs
RoHS:
Technologijos:	Si
Montavimo stilius:	Through Hole
Pakuotė / Korpusas:	TO-220-3
Tranzistoriaus poliškumas:	N-Channel
Kanalų skaičius:	1 Channel
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa:	650 V
svar. – nuolatinio išleidimo srovė:	17.3 A
RDS On - Drain-Source Varža:	170 mOhms
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa:	- 30 V, 30 V
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa:	2.5 V
Qg – vartų krūvis:	45 nC
Minimali darbinė temperatūra:	- 55 C
Didžiausia darbinė temperatūra:	+ 150 C
Pd - skaidos galia:	165 W
Kanalas Mode:	Enhancement
Prekinis pavadinimas:	DTMOSIV
Pakavimas:	Tube
Prekės Ženklas:	Toshiba
Configuration:	Single
Rudens laikas:	6 ns
Gaminio tipas:	MOSFETs
Kilimo Laikas:	15 ns
Serija:	TK17E65W
Gamyklinės pakuotės kiekis:	50
Subkategorija:	Transistors
Tipinė išjungimo vėlinimo trukmė:	100 ns
Tipinė įjungimo vėlinimo trukmė:	50 ns
Vieneto Svoris:	2 g

Rasta produktų:

Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį

Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.

Pasirinkti atributai: 0

Filtruoti dokumentą:

Duomenų Lapas

TK17E65W,S1X Duomenų Lapas (PDF)

Application Notes

Models

Product Catalogs

Test/Quality Data

Reliability Tests Report

Kad ši funkcija veiktų, reikia įjungti „JavaScript“.

Reglamentavimo kodai

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Klasifikacija pagal kilmę

Kilmės šalis:: Kinija
Šalis, kurioje pagaminta:: Ne
Distribucijos šalis:: Ne

Šalis gali keistis siuntimo metu.

DTMOSIV Series MOSFETs

Toshiba DTMOSIV MOSFETs use the state-of-the-art single epitaxial process, which provides a 30% reduction in R_DS(on), a figure of merit (FOM) for MOSFETs, compared to its predecessor, DTMOSIII. This reduction in the R_DS(on) makes it possible to house lower R_DS(on) chips in the same packages. This helps to improve efficiency and reduce the size of power supplies. Toshiba DTMOSIV MOSFETs are ideal for use with switching regulators.