650V N-Channel Super Junction MOSFETs

Panjit 650V N-Channel Super Junction MOSFETs feature a low RDS(ON) and high-speed switching in an ITO-220AB-F package. The 650V MOSFETs support an RDS(ON) of 280mΩ, 380mΩ, 600mΩ, or 900mΩ. In addition, the MOSFETs provide a 4.7A, 7.3A, 10.6A, or 13.8A current. The 100% avalanche and Rg tested Panjit 650V N-Ch Super Junction MOSFETs offer ease of use.

Rezultatai: 15
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Technologijos
Montavimo stilius
Pakuotė / Korpusas
Tranzistoriaus poliškumas
Kanalų skaičius
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa
svar. – nuolatinio išleidimo srovė
RDS On - Drain-Source Varža
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa
Qg – vartų krūvis
Minimali darbinė temperatūra
Didžiausia darbinė temperatūra
Pd - skaidos galia
Kanalas Mode
Pakavimas
Panjit MOSFETs 650V 390mohm 10A Easy to driver SJ MOSFET
Duomenų Lapas
2 862Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 19 mA 210 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 34 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement Tube
Panjit MOSFETs 650V 390mohm 10A Easy to driver SJ MOSFET
Duomenų Lapas
1 710Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole ITO-220AB-F-3 N-Channel 1 Channel 650 V 19 A 210 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 19 nC - 55 C + 150 C 32 W Enhancement Tube
Panjit MOSFETs 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
Duomenų Lapas
2 930Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 6 000

Si SMD/SMT TO-252AA-3 N-Channel 1 Channel 650 V 4.7 A 990 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 9.7 nC - 55 C + 150 C 47.5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit MOSFETs 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
Duomenų Lapas
1 970Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 650 V 10 A 390 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 19 nC - 55 C + 150 C 87.5 W Enhancement Tube
Panjit MOSFETs 650V 390mohm 10A Easy to driver SJ MOSFET
Duomenų Lapas
790Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 800

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 650 V 10 A 390 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 19 nC - 55 C + 150 C 87.5 W Enhancement Reel, Cut Tape
Panjit MOSFETs 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
Duomenų Lapas
1 950Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 650 V 4.7 A 990 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 9.7 nC - 55 C + 150 C 22.5 W Enhancement Tube
Panjit MOSFETs 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
Duomenų Lapas
990Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 130 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 51 nC - 55 C + 150 C 33 W Enhancement Tube
Panjit MOSFETs 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
Duomenų Lapas
980Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 130 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 51 nC - 55 C + 150 C 235 W Enhancement Tube
Panjit MOSFETs 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
Duomenų Lapas
733Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 650 V 10 A 390 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 19 nC - 55 C + 150 C 29.5 W Enhancement Tube
Panjit MOSFETs 650V 390mohm 10A Easy to driver SJ MOSFET
Duomenų Lapas
103Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 800

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 650 V 19 A 210 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 34 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit MOSFETs 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
Duomenų Lapas
6 000Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 6 000

Si TO-252AA-3 Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit MOSFETs 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
Duomenų Lapas
1 917Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Tube
Panjit MOSFETs 650V 130mohm 29A Easy to driver SJ MOSFET
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 48 Savaičių
Min.: 800
Daugkart.: 800
Reel: 800

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 130 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 51 nC - 55 C + 150 C 235 W Enhancement Reel
Panjit MOSFETs 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 18 Savaičių
Min.: 2 000
Daugkart.: 2 000

Si Tube
Panjit MOSFETs 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 18 Savaičių
Min.: 2 000
Daugkart.: 2 000

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 650 V 4.7 A 990 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 9.7 nC - 55 C + 150 C 47.5 W Enhancement Tube