SICW0x 1 200 V SiC N kanalo MOSFET

Micro Commercial Components (MCC) SICW0x 1 200 V SiC N kanalo MOSFET padidina našumą universaliuose TO-247-4, TO-247-4Lir TO-247AB paketuose. Šie MOSFET pasižymi dideliu perjungimo greičiu, mažu užtūros krūviu, lankstumu ir patikimumu. SICW0x 1 200 V SiC MOSFET pasižymi nuo 21 mΩ iki 120 mΩ būdingu plačiu įjungimo varžos diapazonu ir patikimu veikimu. Šie SiC MOSFET pasižymi puikiomis šiluminėmis savybėmis ir greitu vidiniu diodu, užtikrinančiu sklandų ir efektyvų veikimą sudėtingomis sąlygomis. SICW0x SiC MOSFET  yra 3 ir 4 kontaktų (Kelvino šaltinis) konfigūracijos. Įprastai naudojami variklių pavarose, suvirinimo įrangoje, maitinimo šaltiniuose, atsinaujinančios energijos sistemose, įkrovimo infrastruktūroje, debesijos sistemose ir nepertraukiamo maitinimo šaltiniuose (UPS).

Rezultatai: 10
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Montavimo stilius
Pakuotė / Korpusas
Tranzistoriaus poliškumas
Kanalų skaičius
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa
svar. – nuolatinio išleidimo srovė
RDS On - Drain-Source Varža
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa
Qg – vartų krūvis
Minimali darbinė temperatūra
Didžiausia darbinė temperatūra
Pd - skaidos galia
Kanalas Mode
Micro Commercial Components (MCC) SiC MOSFET SiC MOSFET,TO-247AB
Duomenų Lapas
357Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247AB-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 86 A 45 mOhms - 10 V, + 25 V 3 V 305 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement
Micro Commercial Components (MCC) SiC MOSFET SiC MOSFET,TO-247-4
Duomenų Lapas
359Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 86 A 45 mOhms - 10 V, + 25 V 3 V 305 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement
Micro Commercial Components (MCC) SiC MOSFET SiC MOSFET,TO-247AB
Duomenų Lapas
340Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247AB-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 62 A 75 mOhms - 10 V, + 25 V 2.7 V 229 nC - 55 C + 175 C 326 W Enhancement
Micro Commercial Components (MCC) SiC MOSFET SiC MOSFET,TO-247-4
Duomenų Lapas
360Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 62 A 75 mOhms - 10 V, + 25 V 2.7 V 229 nC - 55 C + 175 C 326 W Enhancement
Micro Commercial Components (MCC) SiC MOSFET SiC MOSFET,TO-247AB
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 28 Savaičių
Min.: 1 800
Daugkart.: 1 800
Through Hole TO-247AB-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 100 A 33.6 mOhms - 10 V, + 22 V 3 V 200 nC - 55 C + 175 C 469 W Enhancement
Micro Commercial Components (MCC) SiC MOSFET SiC MOSFET,TO-247-4L
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 28 Savaičių
Min.: 1 800
Daugkart.: 1 800
Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 100 A 33.6 mOhms - 10 V, + 22 V 3 V 200 nC - 55 C + 175 C 469 W Enhancement
Micro Commercial Components (MCC) SiC MOSFET SiC MOSFET,TO-247AB
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 52 Savaičių
Min.: 1 800
Daugkart.: 1 800
Through Hole TO-247AB-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 33 A 134 mOhms - 10 V, + 25 V 3 V 131 nC - 55 C + 175 C 224 W Enhancement
Micro Commercial Components (MCC) SiC MOSFET SiC MOSFET,TO-247-4
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 52 Savaičių
Min.: 1 800
Daugkart.: 1 800
Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 33 A 134 mOhms - 10 V, + 25 V 3 V 131 nC - 55 C + 175 C 224 W Enhancement
Micro Commercial Components (MCC) SiC MOSFET SiC MOSFET,TO-247AB
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 52 Savaičių
Min.: 1 800
Daugkart.: 1 800
Through Hole TO-247AB-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 24 A 200 mOhms - 10 V, + 25 V 2.95 V 67 nC - 55 C + 175 C 166 W Enhancement
Micro Commercial Components (MCC) SiC MOSFET SiC MOSFET,TO-247-4
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 52 Savaičių
Min.: 1 800
Daugkart.: 1 800
Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 24 A 200 mOhms - 10 V, + 25 V 2.95 V 67 nC - 55 C + 175 C 166 W Enhancement