OptiMOS™ 3 N-channel MOSFETs

Infineon Technologies OptiMOS™ 3 N-channel MOSFETs feature low on-state resistance in a SuperSO8 leadless package. OptiMOS 3 MOSFETs increase power-density up to 50 percent in industrial, consumer, and telecommunications applications. OptiMOS™ 3 is available in 40V, 60V, and 80V N-channel MOSFETs in SuperSO8 and Shrink SuperSO8 (S3O8) packages. Compared to standard Transistor Outline (TO) packages, the SuperSO8 increases power density by as much as 50 percent.

Rezultatai: 7
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr. Gam. Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu. Qty. RoHS ECAD modelis Technologijos Montavimo stilius Pakuotė / Korpusas Tranzistoriaus poliškumas Kanalų skaičius Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa svar. – nuolatinio išleidimo srovė RDS On - Drain-Source Varža Vgs - užtūros-šaltinio įtampa Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa Qg – vartų krūvis Minimali darbinė temperatūra Didžiausia darbinė temperatūra Pd - skaidos galia Kanalas Mode Prekinis pavadinimas Pakavimas
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >100-150V 4 584Prieinamumas
4 800Tikėtina 2026-03-06
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 5 000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 120 V 86 A 7.3 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 14.4 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >100-150V 11 859Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 5 000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 120 V 63 A 10.4 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 10.4 nC - 55 C + 175 C 94 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET 60V 5 843Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 90 A 4.8 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 37 nC - 55 C + 175 C 115 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel


Infineon Technologies MOSFETs IFX FET 60V 3 562Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 50 A 7.9 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 22 nC - 55 C + 175 C 79 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >100-150V 2 034Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 2 000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 120 V 237 A 3 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 158 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET 60V 3 836Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 30 A 22 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 7 nC - 55 C + 175 C 36 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >150 - 400V
9 395Tikėtina 2026-11-12
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 5 000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 200 V 74 A 15.1 mOhms - 20 V, 20 V 3.7 V 31 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel