Silicon Carbide 1200V MOSFETs & Diodes

Wolfspeed Silicon Carbide (SiC) 1200V MOSFETs and Diodes create a powerful combination of higher efficiency in demanding applications. These MOSFETs and Schottky diodes are designed for high-power applications. The 1200V SiC MOSFETs feature stable Rds(on) over-temperature and avalanche ruggedness. These MOSFETs are rugged body diodes that do not require external diodes and are easier to drive as these offer a 15V gate drive. The 1200V SiC MOSFETs improve system-level efficiency, lower switching and conduction losses, and improve system-level power density.

Rezultatai: 25
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Montavimo stilius
Pakuotė / Korpusas
Tranzistoriaus poliškumas
Kanalų skaičius
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa
svar. – nuolatinio išleidimo srovė
RDS On - Drain-Source Varža
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa
Qg – vartų krūvis
Minimali darbinė temperatūra
Didžiausia darbinė temperatūra
Pd - skaidos galia
Kanalas Mode
Kvalifikacija
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 21mohm, 1200V, TO-263-7 XL T&R, Industrial
Duomenų Lapas
243Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 248 A 35 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 169 nC - 40 C + 175 C 500 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET 1.2kV 21mOHMS G3 SiC MOSFET
Duomenų Lapas
1 613Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 100 A 28.8 mOhms - 4 V, + 15 V 1.8 V 160 nC - 40 C + 175 C 469 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 160mohm, 1200V, TO-263-7, Industrial
Duomenų Lapas
1 014Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 17 A 208 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 24 nC - 55 C + 150 C 90 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET 1.2kV 32mOHMS G3 SiC MOSFET
Duomenų Lapas
316Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 63 A 32 mOhms - 4 V, + 15 V 3.6 V 114 nC - 40 C + 175 C 283 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET 1.2kV 21mOHMS G3 SiC MOSFET
Duomenų Lapas
882Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 100 A 28.8 mOhms - 8 V, + 19 V 2.5 V 162 nC - 40 C + 175 C 469 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 21mohm, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial
Duomenų Lapas
166Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 100 A 35 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 177 nC - 40 C + 175 C 405 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 32mohm, 1200V, TO-263-7 XL T&R, Industrial
Duomenų Lapas
610Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 68 A 55 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 108 nC - 40 C + 175 C 341 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 32mohm, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial
Duomenų Lapas
428Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 69 A 55 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 118 nC - 40 C + 175 C 278 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 40mohm, 1200V, TO-263-7 XL T&R, Industrial
Duomenų Lapas
488Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 64 A 70 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 91 nC - 40 C + 175 C 294 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 75mohm, 1200V, TO-263-7 XL T&R, Industrial
Duomenų Lapas
687Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 30 A 135 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 52 nC - 55 C + 150 C 172 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 75mohm, 1200V, TO-263-7 XL T&R, Automotive, Gen3
Duomenų Lapas
967Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 34 A 135 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 52 nC - 55 C + 175 C 172 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 160mohm, 1200V, TO-263-7 XL T&R, Automotive, Gen3
Duomenų Lapas
661Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 18 A 280 mOhms - 8 V, + 19 V 2.8 V 28 nC - 55 C + 175 C 104 W Enhancement AEC-Q101
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 40mohm, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial
Duomenų Lapas
153Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 66 A 70 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 94 nC - 40 C + 175 C 242 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 75mohm, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial
Duomenų Lapas
254Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 32 A 135 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 53 nC - 55 C + 150 C 145 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 160mohm, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial
Duomenų Lapas
386Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-4LP N-Channel 1 Channel 1.2 kV 17.9 A 280 mOhms - 4 V, + 15 V 3.8 V 32 nC - 40 C + 175 C 103 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 21mohm, 1200V, TO-263-7 XL T&R, Automotive, Gen3
Duomenų Lapas
627Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 114 A 35 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 169 nC - 55 C + 175 C 500 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 32mohm, 1200V, TO-263-7 XL T&R, Automotive, Gen3
Duomenų Lapas
713Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 74 A 55 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 108 nC - 55 C + 175 C 341 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 40mohm, 1200V, TO-263-7 XL T&R, Automotive, Gen3
Duomenų Lapas
727Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 63 A 70 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 91 nC - 55 C + 175 C 294 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 350mohm,1200V, TO-247-3, Industrial
Duomenų Lapas
3 532Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 7.6 A 455 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 19 nC - 55 C + 150 C 50 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 160mohm, 1200V, TO-247-3, Industrial
Duomenų Lapas
1 164Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 17 A 160 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 38 nC - 55 C + 150 C 97 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 350mohm,1200V, TO-263-7, Industrial
Duomenų Lapas
155Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 7.2 A 455 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 13 nC - 55 C + 150 C 40.8 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 16mohm, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial
Duomenų Lapas
880Tikėtina 2026-03-20
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 115 A 29 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 223 nC - 40 C + 175 C 556 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET 1.2kV 32mOHMS G3 SiC MOSFET
Duomenų Lapas
894Pagal užsakymą
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 63 A 32 mOhms - 4 V, + 15 V 3.6 V 118 nC - 40 C + 175 C 283 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 16mohm, 1200V, TO-247-4, Automotive, Gen3
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 1
Daugkart.: 1

Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 21mO, 1200V, TO-247-4, Automotive
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 1
Daugkart.: 1

TO-247-4