Rezultatai: 5
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Technologijos
Montavimo stilius
Pakuotė / Korpusas
Tranzistoriaus poliškumas
Kanalų skaičius
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa
svar. – nuolatinio išleidimo srovė
RDS On - Drain-Source Varža
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa
Qg – vartų krūvis
Minimali darbinė temperatūra
Didžiausia darbinė temperatūra
Pd - skaidos galia
Kanalas Mode
Prekinis pavadinimas
Pakavimas
IXYS MOSFETs Trench T2 HiperFET Power MOSFET
Duomenų Lapas
764Prieinamumas
300Tikėtina 2026-05-18
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 100 V 180 A 6 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 185 nC - 55 C + 175 C 480 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 180 Amps 100V 6.1 Rds
Duomenų Lapas
597Prieinamumas
700Tikėtina 2026-08-17
Min.: 1
Daugkart.: 1
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 100 V 180 A 6.4 mOhms - 55 C + 175 C 480 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs N-Channel Depletion Mode FET
Duomenų Lapas
4 135Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 4 000

Si SMD/SMT SOT-89-3 N-Channel 1 Channel 350 V 5 mA 8 Ohms - 20 V, 20 V 3.6 V - 40 C + 110 C 1.1 W Depletion Clare Reel, Cut Tape

IXYS MOSFETs N-Channel Depletion Mode FET
Duomenų Lapas
1 098Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 1 000

Si SMD/SMT SOT-223-3 N-Channel 1 Channel 350 V 5 mA 8 Ohms - 20 V, 20 V 3.6 V - 40 C + 110 C 2.5 W Depletion Clare Reel, Cut Tape
IXYS MOSFETs Trench T2 HiperFET Power MOSFET
Duomenų Lapas
2 088Tikėtina 2026-03-25
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 100 V 320 A 3.5 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 430 nC - 55 C + 175 C 1 kW Enhancement HiPerFET Tube