NGTB25N/NGTB40N Isolated Gate Bipolar Transistors

onsemi NGTB25N and NGTB40N Isolated Gate Bipolar Transistors (IGBT) feature a robust and cost-effective Ultra Field Stop Trench construction. Low switch losses and an ultra-fast recovery diode make them ideal for high frequency solar, UPS and inverter welder applications. Incorporated into these onsemi devices is a soft and fast co-packaged free wheeling diode with a low forward voltage.

Rezultatai: 2
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Technologijos
Pakuotė / Korpusas
Montavimo stilius
Configuration
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
Kolektoriaus ir Emiterio Stoties Įtampa
Didžiausia vartų emiterio įtampa
Nuolatinė kolektoriaus srovė esant 25 C
Pd - skaidos galia
Minimali darbinė temperatūra
Didžiausia darbinė temperatūra
Serija
Pakavimas

onsemi IGBT IGBT 1200V 40A FS3 SOLAR/
Duomenų Lapas
1 141Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.7 V - 20 V, 20 V 80 A 454 W - 55 C + 175 C NGTB40N120FL3 Tube

onsemi IGBT IGBT 1200V 25A FS3 SOLAR/
Duomenų Lapas
145Tikėtina 2026-04-03
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.7 V - 20 V, 20 V 50 A 349 W - 55 C + 175 C NGTB25N120FL3 Tube