Rezultatai: 10
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Technologijos
Montavimo stilius
Pakuotė / Korpusas
Tranzistoriaus poliškumas
Kanalų skaičius
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa
svar. – nuolatinio išleidimo srovė
RDS On - Drain-Source Varža
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa
Qg – vartų krūvis
Minimali darbinė temperatūra
Didžiausia darbinė temperatūra
Pd - skaidos galia
Kanalas Mode
Pakavimas
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >100-150V
Duomenų Lapas
721Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 1 000

Si SMD/SMT TO263-7 N-Channel 1 Channel 135 V 207 A 3.1 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 104 nC - 55 C + 175 C 294 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >100-150V
Duomenų Lapas
1 668Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 1 000

Si SMD/SMT TO263-7 N-Channel 1 Channel 135 V 250 A 2.1 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 160 nC - 55 C + 175 C 395 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >100-150V
Duomenų Lapas
915Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 1 800

Si SMD/SMT HDSOP-16 N-Channel 1 Channel 135 V 297 A 2 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 159 nC - 55 C + 175 C 395 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >100-150V
Duomenų Lapas
1 332Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 1 800

Si SMD/SMT HSOG-8 N-Channel 1 Channel 135 V 297 A 2 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 159 nC - 55 C + 175 C 395 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >100-150V
Duomenų Lapas
1 699Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 1 800

Si SMD/SMT HSOG-8 N-Channel 1 Channel 135 V 212 A 2.9 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 104 nC - 55 C + 175 C 294 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >100-150V
Duomenų Lapas
3 714Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 5 000

Si SMD/SMT TSON-8 N-Channel 1 Channel 135 V 172 A 3.7 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 82 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >100-150V
Duomenų Lapas
4 813Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 5 000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 135 V 142 A 4.6 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 65 nC - 55 C + 175 C 211 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >100-150V
Duomenų Lapas
353Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 135 V 98 A 7.3 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 43 nC - 55 C + 175 C 158 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >100-150V
Duomenų Lapas
117Prieinamumas
8 000Tikėtina 2026-05-07
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 2 000

Si Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >100-150V
Duomenų Lapas
570Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 5 000

Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 135 V 54 A 14.3 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 21 nC 95 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel