MJD31C & MJD32C 100V 3A Bipolar Transistors

Nexperia MJD31C and MJD32C 100V 3A Bipolar Junction Transistors (BJT) offer high thermal power dissipation in a power DPAK, TO-252 (SOT428C) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. These devices provide high energy efficiency due to low heat generation and feature low collector-emitter saturation voltage. The Nexperia MJD31C and MJD32C are ideal for various applications, including linear voltage regulators, power management, and constant current drive backlighting.

Rezultatai: 3
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr. Gam. Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu. Qty. RoHS ECAD modelis Technologijos Montavimo stilius Pakuotė / Korpusas Tranzistoriaus poliškumas Configuration Didžiausia nuolatinės srovės kolektoriaus srovė Collector- Emitter Voltage VCEO Max Emitter- Base Voltage VEBO Kolektoriaus ir Emiterio Stoties Įtampa Pd - skaidos galia Gain Juostos pločio produktas fT Minimali darbinė temperatūra Didžiausia darbinė temperatūra Pakavimas
Nexperia Dvipoliai tranzistoriai – BJT SOT428 100V 3A NPN HI PWR BJT 189Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 209
Reel: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) NPN Single 5 A 100 V 6 V 1.2 V 15 W 3 MHz - 55 C + 150 C Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Dvipoliai tranzistoriai – BJT SOT428 100V 3A PNP HI PWR BJT 1 836Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 1 836
Reel: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) PNP Single 5 A 100 V 6 V 1.2 V 15 W 3 MHz - 55 C + 150 C Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Dvipoliai tranzistoriai – BJT SOT428 100V 3A PNP HI PWR BJT 1 388Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 1 388
Reel: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) PNP Single 5 A 100 V 6 V 1.2 V 15 W 3 MHz - 55 C + 150 C Reel, Cut Tape, MouseReel