IXYS X2-Class Serija MOSFETs

Rezultatai: 17
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Technologijos
Montavimo stilius
Pakuotė / Korpusas
Tranzistoriaus poliškumas
Kanalų skaičius
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa
svar. – nuolatinio išleidimo srovė
RDS On - Drain-Source Varža
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa
Qg – vartų krūvis
Minimali darbinė temperatūra
Didžiausia darbinė temperatūra
Pd - skaidos galia
Kanalas Mode
Prekinis pavadinimas
Pakavimas
IXYS MOSFETs TO264 650V 102A N-CH X2CLASS
Duomenų Lapas
251Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 650 V 102 A 30 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 152 nC - 55 C + 150 C 1.04 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs TO220 650V 8A N-CH X2CLASS
Duomenų Lapas
28Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 8 A 500 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 12 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs TO263 650V 4A N-CH X2CLASS
Duomenų Lapas
121Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 650 V 4 A 850 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 8.3 nC - 55 C + 150 C 80 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs TO263 650V 8A N-CH X2CLASS
Duomenų Lapas
232Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 650 V 8 A 500 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 12 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs TO220 650V 2A N-CH X2CLASS
Duomenų Lapas
220Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 2 A 2.3 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 4.3 nC - 55 C + 150 C 55 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs TO220 650V 4A N-CH X2CLASS
Duomenų Lapas
295Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 4 A 850 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 8.3 nC - 55 C + 150 C 80 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs TO220 650V 8A N-CH X2CLASS
Duomenų Lapas
87Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 8 A 550 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 12 nC - 55 C + 150 C 32 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs TO252 650V 4A N-CH X2CLASS
Duomenų Lapas
238Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 650 V 4 A 850 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 8.3 nC - 55 C + 150 C 80 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs TO252 650V 8A N-CH X2CLASS
Duomenų Lapas
29Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 650 V 8 A 500 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 12 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 700V/8A Ultra Junct X2-Class MOSFET
Duomenų Lapas
60Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 700 V 8 A 500 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 12 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 700V/4A Ultra Junct X2-Class MOSFET
Duomenų Lapas
1 000Gamyklos turimos atsargos
Daugiau Informacijos Suteikiama
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 700 V 8 A 500 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 12 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs TO252 650V 2A N-CH X2CLASS
Duomenų Lapas
140Gamyklos turimos atsargos
Daugiau Informacijos Suteikiama
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 650 V 2 A 2.3 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 4.3 nC - 55 C + 150 C 55 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 700V/8A Ultra Junct X2-Class MOSFET
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 41 Savaičių
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 700 V 8 A 500 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 12 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 700V/8A Ultra Junct X2-Class MOSFET
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 41 Savaičių
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 700 V 8 A 500 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 12 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 700V/8A Ultra Junct X2-Class MOSFET
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 41 Savaičių
Min.: 350
Daugkart.: 70

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 700 V 8 A 500 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 12 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs PLUS247 650V 102A N-CH X2CLASS
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 41 Savaičių
Min.: 300
Daugkart.: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 102 A 30 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 152 nC - 55 C + 150 C 1.04 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs IXTY4N65X2 TRL
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 41 Savaičių
Min.: 2 500
Daugkart.: 2 500
Reel: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 650 V 4 A 850 mOhms - 30 V, 30 V 3 V - 55 C + 150 C 80 W Reel