Igbt Moduliai EASY
FF75R12W1T7EB11BPSA1
Infineon Technologies
1:
38,75 €
23 Prieinamumas
Naujas Produktas
„Mouser“ Dalies Nr.
726-FF75R12W1T7EB11B
Naujas Produktas
Infineon Technologies
Igbt Moduliai EASY
23 Prieinamumas
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
Išsami Informacija
Easy Dual Modules
Dual
1.2 kV
1.55 V
65 A
100 nA
20 mW
- 40 C
+ 175 C
Tray
Igbt Moduliai EASY
FS3L40R07W2H5FB70BPSA1
Infineon Technologies
1:
68,98 €
10 Prieinamumas
Naujas Produktas
„Mouser“ Dalies Nr.
726-FS3L40R07W2H5FB7
Naujas Produktas
Infineon Technologies
Igbt Moduliai EASY
10 Prieinamumas
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
Išsami Informacija
Tray
Igbt Moduliai ACEPACK 2 converter inverter brake, 1200 V, 25 A trench gate field-stop IGBT M s
A2C25S12M3
STMicroelectronics
1:
42,89 €
33 Prieinamumas
„Mouser“ Dalies Nr.
511-A2C25S12M3
STMicroelectronics
Igbt Moduliai ACEPACK 2 converter inverter brake, 1200 V, 25 A trench gate field-stop IGBT M s
33 Prieinamumas
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
Išsami Informacija
IGBT Modules
3-Phase Inverter
1.2 kV
1.95 V
25 A
500 nA
197 W
ACEPACK2
- 40 C
+ 150 C
Tray
Igbt Moduliai EASY
F3L200R07W2S5PB95BPSA1
Infineon Technologies
1:
73,01 €
36 Prieinamumas
"Mouser Naujiena"
„Mouser“ Dalies Nr.
726-F3L200R07W2S5PB5
"Mouser Naujiena"
Infineon Technologies
Igbt Moduliai EASY
36 Prieinamumas
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
Išsami Informacija
Tray
Igbt Moduliai EASY PLUS
F3L225R12W3H3B11BPSA1
Infineon Technologies
1:
93,06 €
43 Prieinamumas
„Mouser“ Dalies Nr.
726-F3L225R12W3H3B11
Infineon Technologies
Igbt Moduliai EASY PLUS
43 Prieinamumas
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
Išsami Informacija
IGBT Silicon Modules
Half Bridge
1.2 kV
2.55 V
175 A
100 nA
20 mW
EasyPACK
- 40 C
+ 125 C
Tray
Igbt Moduliai EASY
F3L75R07W2S5PB96BPSA1
Infineon Technologies
1:
72,01 €
36 Prieinamumas
"Mouser Naujiena"
„Mouser“ Dalies Nr.
726-F3L75R07W2S5PB96
"Mouser Naujiena"
Infineon Technologies
Igbt Moduliai EASY
36 Prieinamumas
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
Išsami Informacija
Tray
Igbt Moduliai 62 mm C-Series module with Trench/Fieldstop IGBT4 and emitter controlled diode
FD300R17KE4HPSA1
Infineon Technologies
1:
125,35 €
17 Prieinamumas
„Mouser“ Dalies Nr.
726-FD300R17KE4HPSA1
Infineon Technologies
Igbt Moduliai 62 mm C-Series module with Trench/Fieldstop IGBT4 and emitter controlled diode
17 Prieinamumas
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
Išsami Informacija
Chopper IGBT module
Module
1.7 kV
1.95 V
300 A
600 A
AG-62MM
- 40 C
+ 150 C
Tray
Igbt Moduliai 62 mm C-Series module with Trench/Fieldstop IGBT4 and emitter controlled HE diode
FD450R12KE4HPSA1
Infineon Technologies
1:
148,65 €
30 Prieinamumas
„Mouser“ Dalies Nr.
726-FD450R12KE4HPSA1
Infineon Technologies
Igbt Moduliai 62 mm C-Series module with Trench/Fieldstop IGBT4 and emitter controlled HE diode
30 Prieinamumas
1
148,65 €
10
126,13 €
100
114,18 €
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
Išsami Informacija
IGBT Silicon Modules
Single
1.2 kV
2.15 V
450 A
400 nA
106.4 mm x 61.4 mm x 30.5 mm
- 40 C
+ 150 C
Tray
Igbt Moduliai 1700 V, 200 A dual IGBT module
FF200R17KE4HOSA1
Infineon Technologies
1:
112,77 €
14 Prieinamumas
„Mouser“ Dalies Nr.
726-FF200R17KE4HOSA1
Infineon Technologies
Igbt Moduliai 1700 V, 200 A dual IGBT module
14 Prieinamumas
1
112,77 €
10
94,84 €
100
82,20 €
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
Išsami Informacija
Dual
1.7 kV
2.3 V
310 A
100 nA
1.25 kW
Module
- 40 C
+ 150 C
Tray
Igbt Moduliai MEDIUM POWER 62MM
FF600R12KE7BPSA1
Infineon Technologies
1:
165,66 €
20 Prieinamumas
„Mouser“ Dalies Nr.
726-FF600R12KE7BPSA1
Infineon Technologies
Igbt Moduliai MEDIUM POWER 62MM
20 Prieinamumas
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
Išsami Informacija
IGBT Silicon Modules
Dual
1.2 kV
1.75 V
100 nA
- 40 C
+ 175 C
Tray
Igbt Moduliai 1200 V, 600 A common emitter IGBT module
FF600R12KE7EHPSA1
Infineon Technologies
1:
134,61 €
26 Prieinamumas
„Mouser“ Dalies Nr.
726-FF600R12KE7EHPSA
Infineon Technologies
Igbt Moduliai 1200 V, 600 A common emitter IGBT module
26 Prieinamumas
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
Išsami Informacija
IGBT Silicon Modules
Dual
1.2 kV
1.75 V
100 nA
- 40 C
+ 175 C
Tray
Igbt Moduliai 1200 V, 800 A common emitter IGBT module
FF800R12KE7EHPSA1
Infineon Technologies
1:
146,58 €
13 Prieinamumas
„Mouser“ Dalies Nr.
726-FF800R12KE7EHPSA
Infineon Technologies
Igbt Moduliai 1200 V, 800 A common emitter IGBT module
13 Prieinamumas
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
Išsami Informacija
IGBT Silicon Modules
Dual
1.2 kV
1.75 V
100 nA
- 40 C
+ 175 C
Tray
Igbt Moduliai MEDIUM POWER 62MM
FF800R12KE7HPSA1
Infineon Technologies
1:
189,84 €
12 Prieinamumas
„Mouser“ Dalies Nr.
726-FF800R12KE7HPSA1
Infineon Technologies
Igbt Moduliai MEDIUM POWER 62MM
12 Prieinamumas
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
Išsami Informacija
IGBT Silicon Modules
Dual
1.2 kV
1.75 V
100 nA
- 40 C
+ 175 C
Tray
Igbt Moduliai 1700 V, 75 A PIM IGBT module
FP75R17N3E4B20BPSA1
Infineon Technologies
1:
115,86 €
20 Prieinamumas
„Mouser“ Dalies Nr.
726-FP75R17N3E4B20BP
Infineon Technologies
Igbt Moduliai 1700 V, 75 A PIM IGBT module
20 Prieinamumas
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
Išsami Informacija
Tray
Igbt Moduliai 1200 V, 150 A sixpack IGBT module
FS150R12N2T7B54BPSA1
Infineon Technologies
1:
79,39 €
39 Prieinamumas
„Mouser“ Dalies Nr.
726-FS150R12N2T7B54B
Infineon Technologies
Igbt Moduliai 1200 V, 150 A sixpack IGBT module
39 Prieinamumas
1
79,39 €
10
77,59 €
105
67,18 €
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
IGBT Silicon Modules
6-Pack
1.2 kV
1.55 V
150 A
100 nA
- 40 C
+ 175 C
Tray
Igbt Moduliai MTP - HALF BRIDGE IGBT
360°
+ 3 vaizdų
VS-40MT120PHAPBF
Vishay Semiconductors
1:
52,53 €
23 Prieinamumas
105 Tikėtina 2026-02-20
„Mouser“ Dalies Nr.
78-VS-40MT120PHAPBF
Vishay Semiconductors
Igbt Moduliai MTP - HALF BRIDGE IGBT
23 Prieinamumas
105 Tikėtina 2026-02-20
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
Išsami Informacija
IGBT Silicon Modules
Half Bridge
1.2 kV
2.24 V
75 A
250 nA
305 W
MTP
- 40 C
+ 150 C
Tube
Igbt Moduliai Modules IGBT - SOT-227 IGBT
VS-GT250SA60S
Vishay
1:
36,97 €
208 Prieinamumas
„Mouser“ Dalies Nr.
78-VS-GT250SA60S
Vishay
Igbt Moduliai Modules IGBT - SOT-227 IGBT
208 Prieinamumas
1
36,97 €
10
32,12 €
100
27,82 €
160
27,82 €
480
24,10 €
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
Išsami Informacija
IGBT Modules
Reel, Cut Tape
Igbt Moduliai 15709 F5 INVENTER WITH BASEPLATE
NXH600N100L4F5PG
onsemi
1:
198,87 €
47 Prieinamumas
„Mouser“ Dalies Nr.
863-NXH600N100L4F5PG
onsemi
Igbt Moduliai 15709 F5 INVENTER WITH BASEPLATE
47 Prieinamumas
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
Išsami Informacija
Tray
Igbt Moduliai IGBT Module 200A 1700V
FF200R17KE4
Infineon Technologies
1:
114,54 €
32 Prieinamumas
„Mouser“ Dalies Nr.
641-FF200R17KE4
Infineon Technologies
Igbt Moduliai IGBT Module 200A 1700V
32 Prieinamumas
1
114,54 €
10
96,72 €
100
87,57 €
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
Išsami Informacija
IGBT Modules
Dual
1.7 kV
1.95 V
310 A
100 nA
1.25 kW
62 mm
- 40 C
+ 150 C
Tray
Igbt Moduliai 1200V 300A DUAL
FF300R12KE3
Infineon Technologies
1:
125,10 €
186 Prieinamumas
170 Tikėtina 2026-02-26
„Mouser“ Dalies Nr.
641-FF300R12KE3
Infineon Technologies
Igbt Moduliai 1200V 300A DUAL
186 Prieinamumas
170 Tikėtina 2026-02-26
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
Išsami Informacija
IGBT Silicon Modules
Dual
1.2 kV
1.7 V
440 A
400 nA
1.45 kW
IS5a ( 62 mm )-7
- 40 C
+ 125 C
Tray
Igbt Moduliai N-CH 1.2KV 460A
FF300R12KE4
Infineon Technologies
1:
114,57 €
136 Prieinamumas
80 Tikėtina 2026-02-26
„Mouser“ Dalies Nr.
641-FF300R12KE4
Infineon Technologies
Igbt Moduliai N-CH 1.2KV 460A
136 Prieinamumas
80 Tikėtina 2026-02-26
1
114,57 €
10
96,74 €
100
87,59 €
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
Išsami Informacija
IGBT Silicon Modules
Dual
1.2 kV
1.75 V
460 A
400 nA
1.6 kW
62 mm
- 40 C
+ 150 C
Tray
Igbt Moduliai ELECTRONIC COMPONENT
FF300R12KS4
Infineon Technologies
1:
193,39 €
319 Prieinamumas
„Mouser“ Dalies Nr.
641-FF300R12KS4
Infineon Technologies
Igbt Moduliai ELECTRONIC COMPONENT
319 Prieinamumas
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
Išsami Informacija
IGBT Silicon Modules
Dual
1.2 kV
3.2 V
370 A
400 nA
1.95 kW
62 mm
- 40 C
+ 125 C
Tray
Igbt Moduliai N-CH 1.2KV 580A
FF450R12KT4
Infineon Technologies
1:
118,83 €
246 Prieinamumas
„Mouser“ Dalies Nr.
641-FF450R12KT4
Infineon Technologies
Igbt Moduliai N-CH 1.2KV 580A
246 Prieinamumas
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
Išsami Informacija
IGBT Silicon Modules
Dual
1.2 kV
2.1 V
580 A
400 nA
2.4 kW
62 mm
- 40 C
+ 150 C
Tray
Igbt Moduliai 1200V 600A SINGLE
FZ600R12KE3
Infineon Technologies
1:
123,57 €
345 Prieinamumas
„Mouser“ Dalies Nr.
641-FZ600R12KE3
Infineon Technologies
Igbt Moduliai 1200V 600A SINGLE
345 Prieinamumas
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
Išsami Informacija
IGBT Silicon Modules
Single
1.2 kV
1.7 V
900 A
400 nA
2.8 kW
62 mm
- 40 C
+ 125 C
Tray
Igbt Moduliai Output & SW Modules - DIAP IGBT
VS-GT300YH120N
Vishay Semiconductors
1:
192,33 €
8 Prieinamumas
„Mouser“ Dalies Nr.
78-VS-GT300YH120N
Vishay Semiconductors
Igbt Moduliai Output & SW Modules - DIAP IGBT
8 Prieinamumas
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
Išsami Informacija
IGBT Modules
1.2 kV
2.17 V
341 A
400 nA
1.042 kW
INT-A-PAK
- 40 C
+ 150 C