TRENCHSTOP Igbt Moduliai

Rezultatai: 59
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Gaminys
Configuration
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
Kolektoriaus ir Emiterio Stoties Įtampa
Nuolatinė kolektoriaus srovė esant 25 C
Užtvaro sklaidos įrenginio nuotėkio srovė
Pd - skaidos galia
Pakuotė / Korpusas
Minimali darbinė temperatūra
Didžiausia darbinė temperatūra
Pakavimas
Infineon Technologies Igbt Moduliai 1200 V, 600 A dual IGBT module
Duomenų Lapas
65Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 600 A 400 nA - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies FF450R12KE4_E
Infineon Technologies Igbt Moduliai 1200 V, 450 A common emitter IGBT module
Duomenų Lapas
16Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 2.15 V 520 A 400 nA 2.4 kW - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies FF600R12KE4BOSA1
Infineon Technologies Igbt Moduliai 1200 V, 600 A dual IGBT module
Duomenų Lapas
27Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Tray
Infineon Technologies FZ400R17KE4
Infineon Technologies Igbt Moduliai IGBT Module 400A 1700V
Duomenų Lapas
48Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

IGBT Modules Single 1.7 kV 1.95 V 550 A 100 nA 2.5 kW - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies Igbt Moduliai 1200 V, 600 A common emitter IGBT module
Duomenų Lapas
18Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 600 A 400 nA - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies FZ2400R17HP4
Infineon Technologies Igbt Moduliai IGBT 1700V 2400A
Duomenų Lapas
2Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

IGBT Modules Single 1.7 kV 1.9 V 2.4 kA 400 nA 14 kW - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies FZ2400R17HP4_B29
Infineon Technologies Igbt Moduliai IGBT 1700V 2400A
Duomenų Lapas
1Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

IGBT Modules Single 1.7 kV 1.9 V 2.4 kA 400 nA 15.5 kW - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies Igbt Moduliai EconoPACK3 module with TRENCHSTOPIGBT7 and emitter controlled 7 diode and NTC
Duomenų Lapas
20Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Modules 950 V 1.46 V 105 A 100 nA EconoPACK - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies Igbt Moduliai EconoPACK 3 module with TRENCHSTOP IGBT7 and CoolSiC Schottky diode and NTC
Duomenų Lapas
28Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

IGBT Module 1.2 kV 1.69 V 255 A 100 nA 20 mW - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Igbt Moduliai EconoPACK3 module with TRENCHSTOPIGBT7 and emitter controlled 7 diode and NTC
Duomenų Lapas
20Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Modules 950 V 1.55 V 335 A 100 nA 20 mW EconoPACK - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies Igbt Moduliai EconoPIM2 module with TRENCHSTOPIGBT7 and emitter controlled 7 diode
Duomenų Lapas
25Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Modules 1.2 kV 1.78 V 100 nA - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies FZ1500R33HL3
Infineon Technologies Igbt Moduliai N-CH 3.3KV 1.5KA
Duomenų Lapas
1Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

IGBT Silicon Modules Single 3.3 kV 2.4 V 1.5 kA 400 nA 2.4 MW IHVB190 - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies Igbt Moduliai MEDIUM POWER 62MM
Duomenų Lapas
20Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Igbt Moduliai 1200 V, 600 A common emitter IGBT module
Duomenų Lapas
26Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Igbt Moduliai 1200 V, 800 A common emitter IGBT module
Duomenų Lapas
11Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Igbt Moduliai MEDIUM POWER 62MM
Duomenų Lapas
12Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Igbt Moduliai IGBT Module 200A 1700V
Duomenų Lapas
32Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

IGBT Modules Dual 1.7 kV 1.95 V 310 A 100 nA 1.25 kW 62 mm - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies Igbt Moduliai 1200V 300A DUAL
Duomenų Lapas
181Prieinamumas
170Tikėtina 2026-02-27
Min.: 1
Daugkart.: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.7 V 440 A 400 nA 1.45 kW IS5a ( 62 mm )-7 - 40 C + 125 C Tray
Infineon Technologies Igbt Moduliai N-CH 1.2KV 580A
Duomenų Lapas
234Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 2.1 V 580 A 400 nA 2.4 kW 62 mm - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies Igbt Moduliai 1200V 600A SINGLE
Duomenų Lapas
316Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

IGBT Silicon Modules Single 1.2 kV 1.7 V 900 A 400 nA 2.8 kW 62 mm - 40 C + 125 C Tray
Infineon Technologies FF400R06KE3
Infineon Technologies Igbt Moduliai 600V 400A DUAL
Duomenų Lapas
125Prieinamumas
70Tikėtina 2026-03-06
Min.: 1
Daugkart.: 1

IGBT Silicon Modules Dual 600 V 1.45 V 500 A 400 nA 1.25 kW 62 mm - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies Igbt Moduliai IGBT Module 150A 1700V
Duomenų Lapas
53Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

IGBT Modules Dual 1.7 kV 1.95 V 250 A 100 nA 1.1 kW 62 mm - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies Igbt Moduliai IGBT Module 300A 650V
Duomenų Lapas
23Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

IGBT Modules Dual 650 V 1.55 V 365 A 400 nA 940 W 62 mm - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies Igbt Moduliai N-CH 1.7KV 404A
Duomenų Lapas
9Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.7 kV 2 V 404 A 400 nA 1.45 kW 62 mm - 40 C + 125 C Tray
Infineon Technologies Igbt Moduliai IGBT Module 300A 1700V
Duomenų Lapas
46Prieinamumas
50Tikėtina 2026-02-27
Min.: 1
Daugkart.: 1

IGBT Modules Dual 1.7 kV 1.95 V 440 A 100 nA 1.8 kW 62 mm - 40 C + 150 C Tray