Rezultatai: 4
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Gaminys
Tipas
Technologijos
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa
Montavimo stilius
Minimali darbinė temperatūra
Didžiausia darbinė temperatūra
Serija
Pakavimas
Infineon Technologies Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai CoolSiC MOSFET half bridge module 1200 V
Duomenų Lapas
20Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Half Bridge Si M1H Tray
Infineon Technologies Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai CoolSiC MOSFET half bridge module 1200 V
Duomenų Lapas
16Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Half Bridge Si M1H Tray
Infineon Technologies Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai MEDIUM POWER 62MM
Duomenų Lapas
13Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si M1H Tray
Infineon Technologies Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai 1200V, 62mm Module with CoolSiC Trench MOSFET
Duomenų Lapas
2Prieinamumas
10Tikėtina 2026-03-26
Min.: 1
Daugkart.: 1

CoolSiC Trench MOSFET Half Bridge SiC - 10 V, 23 V Stud Mount - 40 C + 175 C M1H Tray