EasyPACK™ TRENCHSTOP™ IGBT7 Modules

Infineon Technologies EasyPACK™ TRENCHSTOP™ IGBT7 Modules are based on micro-pattern trenches technology. This provides reduced losses and offers a high level of controllability. The chip is specially optimized for industrial drive applications. The modules offer lower static losses, higher power density, and softer switching. A significant increase in power density can be obtained by raising the allowed maximum operation temperature up to 175°C in the power module.

Rezultatai: 9
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Gaminys
Configuration
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
Kolektoriaus ir Emiterio Stoties Įtampa
Nuolatinė kolektoriaus srovė esant 25 C
Užtvaro sklaidos įrenginio nuotėkio srovė
Pd - skaidos galia
Minimali darbinė temperatūra
Didžiausia darbinė temperatūra
Pakavimas
Infineon Technologies Igbt Moduliai 950 V 400 A EasyPACK module with TRENCHSTOP IGBT7 and CoolSiC Schottky diode
Duomenų Lapas
23Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

IGBT Silicon Modules 1.23 V 200 A - 40 C + 125 C Tray
Infineon Technologies Igbt Moduliai Module with active Advanced Neutral Point Clamp topology and PressFIT / NTC
Duomenų Lapas
18Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Modules 1.2 kV 1.65 V 100 nA 20 mW - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Igbt Moduliai EasyPACK module with active Neutral Point Clamp 2 topology and PressFIT / NTC
Duomenų Lapas
16Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Modules 1.2 kV 1.63 V 100 nA 20 mW - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Igbt Moduliai 1200 V, 25 A sixpack IGBT module
Duomenų Lapas
2Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

IGBT Silicon Modules 6-Pack 1.2 kV 1.6 V 25 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Igbt Moduliai 1200 V, 35 A sixpack IGBT module
Duomenų Lapas
26Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

IGBT Silicon Modules 6-Pack 1.2 kV 1.6 V 35 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Igbt Moduliai 1200 V, 50 A sixpack IGBT module
Duomenų Lapas
15Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

IGBT Silicon Modules 6-Pack 1.2 kV 1.5 V 50 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies F3L400R10W3S7FB11BPSA1
Infineon Technologies Igbt Moduliai 950 V, 400 A 3-level IGBT module
Duomenų Lapas
1Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
SiC IGBT Modules 3-Phase Inverter 950 V 1.4 V 220 A 100 nA - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies FS3L200R10W3S7FB11BPSA1
Infineon Technologies Igbt Moduliai 950 V, 200 A 3-level IGBT module
Duomenų Lapas
9Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
SiC IGBT Modules 3-Phase Inverter 950 V 1.27 V 70 A 100 nA - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies Igbt Moduliai EasyPACK module with TRENCHSTOP IGBT7/4 and emitter controlled 7 diode and PressFIT / NTC
Duomenų Lapas
48Tikėtina 2026-04-02
Min.: 1
Daugkart.: 1

IGBT Module 1.2 kV 1.5 V 100 nA 20 mW - 40 C + 150 C