Gen2 Trench Gate Power MOSFETs

IXYS Gen2 Trench Gate Power MOSFETs are offered with drain-to-source voltage ratings from 40V to 170V and provide high current capabilities of up to 600A  (TC=@25°C). The combined high current ratings of these devices and available compact package options provide designers the ability to control more power within a smaller footprint. These IXYS devices promote device consolidation through the reduction or elimination of multiple paralleled lower current rated MOSFET devices in high power switching applications. The resultant effect is a reduction in part count, as well as the number of required drive components, thus improving upon over-all system simplicity, reliability, and cost.

Rezultatai: 6
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Technologijos
Montavimo stilius
Pakuotė / Korpusas
Tranzistoriaus poliškumas
Kanalų skaičius
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa
svar. – nuolatinio išleidimo srovė
RDS On - Drain-Source Varža
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa
Minimali darbinė temperatūra
Didžiausia darbinė temperatūra
Pd - skaidos galia
Serija
Pakavimas
IXYS MOSFET moduliai GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
Duomenų Lapas
308Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 55 V 550 A 1.3 mOhms - 20 V, + 20 V 4 V - 55 C + 175 C 940 W IXTN550N055 Tube
IXYS MOSFET moduliai GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
Duomenų Lapas
922Prieinamumas
1 620Pagal užsakymą
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Screw Mount SOT-227B-4 N-Channel 40 V 600 A 1.3 mOhms - 20 V, + 20 V 3.5 V - 55 C + 175 C 940 W IXTN600N04 Tube
IXYS MOSFET moduliai GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
Duomenų Lapas
548Pagal užsakymą
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 150 V 310 A 4 mOhms - 20 V, + 20 V 5 V - 55 C + 175 C 1.07 mW IXFN360N15 Tube
IXYS MOSFET moduliai GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
Duomenų Lapas
562Pagal užsakymą
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 75 V 480 A 1.9 mOhms - 20 V, + 20 V 2.5 V - 55 C + 175 C 940 W IXFN520N075 Tube
IXYS MOSFET moduliai GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 23 Savaičių
Min.: 300
Daugkart.: 10

Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 150 V 240 A 5.2 mOhms - 20 V, + 20 V 5 V - 55 C + 175 C 830 W IXFN240N15 Tube
IXYS MOSFET moduliai GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 28 Savaičių
Min.: 300
Daugkart.: 10

Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 170 V 260 A 5.2 mOhms - 20 V, + 20 V 5 V - 55 C + 175 C 1.07 kW IXFN320N17 Tube