XHP™ 2 & 3 IGBT Modules

Infineon Technologies XHP™ 2 and 3 IGBT Modules are designed for high-power applications, ranging from 1.7kV to 6.5kV. The Infineon modules are ideal for demanding uses like traction, CAV, and medium-voltage drives. The devices offer scalable design, top-notch reliability, and the highest power density.

Rezultatai: 4
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Configuration
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
Kolektoriaus ir Emiterio Stoties Įtampa
Nuolatinė kolektoriaus srovė esant 25 C
Užtvaro sklaidos įrenginio nuotėkio srovė
Pd - skaidos galia
Pakuotė / Korpusas
Minimali darbinė temperatūra
Didžiausia darbinė temperatūra
Pakavimas
Infineon Technologies Igbt Moduliai 1700 V, 1200 A dual IGBT module
Duomenų Lapas
24Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Dual 1.7 kV 1.8 V 1.2 kA 400 nA 1.2 MW Module - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Igbt Moduliai 1700 V, 1200 A dual IGBT module
Duomenų Lapas
20Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Dual 1.7 kV 1.8 V 1.07 kA 400 nA 1.2 MW Module - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Igbt Moduliai 1700 V, 1800 A dual IGBT module
Duomenų Lapas
13Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Dual 1.7 kV 1.8 V 1.8 kA 400 nA 1.8 MW Module Tray
Infineon Technologies Igbt Moduliai 1700 V, 1800 A dual IGBT module
Duomenų Lapas
19Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Dual 1.7 kV 1.8 V 1.8 kA 400 nA 1.8 MW Module Tray