|
|
Igbt Moduliai XHP2 module with TRENCHSTOPIGBT7 and emitter controlled 7 diode and NTC / pre-applied thermalinterface material
- FF1400R23T2E7PB5BPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
2 334,87 €
-
5Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-FF1400R23T2E7PB5
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
Igbt Moduliai XHP2 module with TRENCHSTOPIGBT7 and emitter controlled 7 diode and NTC / pre-applied thermalinterface material
|
|
5Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
IGBT Modules
|
Module
|
|
Screw Mount
|
|
|
|
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai HybridPACK Drive G2 module
- FS1150R08A8P3CHPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
495,29 €
-
3Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-FS1150R08A8P3CHP
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai HybridPACK Drive G2 module
|
|
3Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
Discrete Semiconductor Modules
|
Power Modules
|
SiC
|
Press Fit
|
DIP-7
|
|
|
|
Igbt Moduliai EasyPACK 2B module
- F43L100R07W2S5B40BPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
50,23 €
-
15Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-F43L100R07W2S5B4
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
Igbt Moduliai EasyPACK 2B module
|
|
15Prieinamumas
|
|
|
50,23 €
|
|
|
41,51 €
|
|
|
37,38 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
IGBT Modules
|
Module
|
Si
|
Screw Mount
|
EasyPACK
|
|
|
|
Tiristorių moduliai THYR / DIODE MODULE DK
- STT1900N16P55XPSA2
- Infineon Technologies
-
1:
490,11 €
-
4Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-STT1900N16P55XP2
|
Infineon Technologies
|
Tiristorių moduliai THYR / DIODE MODULE DK
|
|
4Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
Thyristor Modules
|
|
Si
|
|
|
|
|
|
Pažangieji maitinimo moduliai - IPM 650 V, 32 A Silicon Carbide Intelligent Power Module Half-Bridge
- SA111PQA
- Apex Microtechnology
-
1:
174,89 €
-
12Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
137-SA111PQA
|
Apex Microtechnology
|
Pažangieji maitinimo moduliai - IPM 650 V, 32 A Silicon Carbide Intelligent Power Module Half-Bridge
|
|
12Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
Intelligent Power Modules - IPMs
|
|
SiC
|
SMD/SMT
|
QFP-52
|
|
|
|
Igbt Moduliai 1200 V, 150 A sixpack IGBT module
- FS150R12N2T7B54BPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
74,89 €
-
39Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-FS150R12N2T7B54B
|
Infineon Technologies
|
Igbt Moduliai 1200 V, 150 A sixpack IGBT module
|
|
39Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
IGBT Modules
|
IGBT Silicon Modules
|
Si
|
Through Hole
|
|
|
|
|
Igbt Moduliai MODULES IGBT - ECONO IGBT
- VS-GT51YF120NT
- Vishay Semiconductors
-
1:
90,01 €
-
9Prieinamumas
-
12Tikėtina 2026-07-22
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
78-VS-GT51YF120NT
Naujas Produktas
|
Vishay Semiconductors
|
Igbt Moduliai MODULES IGBT - ECONO IGBT
|
|
9Prieinamumas
12Tikėtina 2026-07-22
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
IGBT Modules
|
IGBT Modules
|
Si
|
Press Fit
|
ECONO-2
|
|
|
|
Igbt Moduliai MODULES IGBT - ECONO IGBT
- VS-GT76YF120NT
- Vishay Semiconductors
-
1:
114,56 €
-
6Prieinamumas
-
12Tikėtina 2026-07-22
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
78-VS-GT76YF120NT
Naujas Produktas
|
Vishay Semiconductors
|
Igbt Moduliai MODULES IGBT - ECONO IGBT
|
|
6Prieinamumas
12Tikėtina 2026-07-22
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
IGBT Modules
|
IGBT Modules
|
Si
|
Press Fit
|
ECONO-2
|
|
|
|
Pažangieji maitinimo moduliai - IPM CIPOS MICRO
- IM241L6T2BAKMA1
- Infineon Technologies
-
1:
4,28 €
-
432Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IM241L6T2BAKMA1
|
Infineon Technologies
|
Pažangieji maitinimo moduliai - IPM CIPOS MICRO
|
|
432Prieinamumas
|
|
|
4,28 €
|
|
|
3,57 €
|
|
|
3,52 €
|
|
|
3,43 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
Intelligent Power Modules - IPMs
|
|
|
|
|
|
|
|
Igbt Moduliai ELECTRONIC COMPONENT
- FF300R12KS4
- Infineon Technologies
-
1:
155,74 €
-
318Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
641-FF300R12KS4
|
Infineon Technologies
|
Igbt Moduliai ELECTRONIC COMPONENT
|
|
318Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
IGBT Modules
|
IGBT Silicon Modules
|
Si
|
Screw Mount
|
62 mm
|
|
|
|
Igbt Moduliai 950 V, 600 A 3-level IGBT module
- F3L600R10W4S7FC22BPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
207,31 €
-
11Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-R10W4S7FC22BPSA1
|
Infineon Technologies
|
Igbt Moduliai 950 V, 600 A 3-level IGBT module
|
|
11Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
IGBT Modules
|
|
Si
|
|
|
|
|
|
Igbt Moduliai 1200 V, 900 A dual IGBT module
- FF900R12ME7WB11BPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
255,67 €
-
6Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-FF900R12ME7WB11B
|
Infineon Technologies
|
Igbt Moduliai 1200 V, 900 A dual IGBT module
|
|
6Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
IGBT Modules
|
IGBT Silicon Modules
|
Si
|
|
|
|
|
|
Pažangieji maitinimo moduliai - IPM CIPOS MINI
- IM523L6AXKMA1
- Infineon Technologies
-
1:
6,49 €
-
307Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IM523L6AXKMA1
|
Infineon Technologies
|
Pažangieji maitinimo moduliai - IPM CIPOS MINI
|
|
307Prieinamumas
|
|
|
6,49 €
|
|
|
5,50 €
|
|
|
5,35 €
|
|
|
5,15 €
|
|
|
5,14 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
Intelligent Power Modules - IPMs
|
|
|
|
|
|
|
|
MOSFET moduliai GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
- IXTN600N04T2
- IXYS
-
1:
31,99 €
-
2 170Prieinamumas
-
1 330Pagal užsakymą
|
„Mouser“ Dalies Nr.
747-IXTN600N04T2
|
IXYS
|
MOSFET moduliai GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
|
|
2 170Prieinamumas
1 330Pagal užsakymą
Turime sandėlyje:
2 170 Galime išsiųsti iš karto
Pagal užsakymą:
90 Tikėtina 2026-05-13
1 240 Tikėtina 2026-10-21
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
28 Savaičių
|
|
|
31,99 €
|
|
|
27,13 €
|
|
|
24,23 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
MOSFET Modules
|
|
Si
|
Screw Mount
|
SOT-227B-4
|
|
|
|
MOSFET moduliai HiperFET Pwr MOSFET 70V, 340A
- IXFN340N07
- IXYS
-
1:
51,98 €
-
954Prieinamumas
-
240Tikėtina 2026-05-19
|
„Mouser“ Dalies Nr.
747-IXFN340N07
|
IXYS
|
MOSFET moduliai HiperFET Pwr MOSFET 70V, 340A
|
|
954Prieinamumas
240Tikėtina 2026-05-19
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
MOSFET Modules
|
|
Si
|
Screw Mount
|
SOT-227-4
|
|
|
|
Igbt Moduliai 1200V, 180A Tch IGBT SOT-227 Bplr Tnstr
- VS-GT180DA120U
- Vishay Semiconductors
-
1:
31,26 €
-
634Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
78-VS-GT180DA120U
|
Vishay Semiconductors
|
Igbt Moduliai 1200V, 180A Tch IGBT SOT-227 Bplr Tnstr
|
|
634Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
IGBT Modules
|
IGBT Modules
|
Si
|
Screw Mount
|
SOT-227-4
|
|
|
|
Igbt Moduliai Modules IGBT - MTP SWITCH
- VS-50MT060PHTAPbF
- Vishay
-
1:
71,72 €
-
30Prieinamumas
-
105Tikėtina 2026-05-01
|
„Mouser“ Dalies Nr.
78-VS-50MT060PHTAPBF
|
Vishay
|
Igbt Moduliai Modules IGBT - MTP SWITCH
|
|
30Prieinamumas
105Tikėtina 2026-05-01
|
|
|
71,72 €
|
|
|
57,11 €
|
|
|
53,37 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
IGBT Modules
|
IGBT Modules
|
Si
|
|
|
|
|
|
Pažangieji maitinimo moduliai - IPM CIPOS MICRO
- IM241L6S1BAUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
6,16 €
-
1 260Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IM241L6S1BAUMA1
|
Infineon Technologies
|
Pažangieji maitinimo moduliai - IPM CIPOS MICRO
|
|
1 260Prieinamumas
|
|
|
6,16 €
|
|
|
4,75 €
|
|
|
4,39 €
|
|
|
4,01 €
|
|
|
3,72 €
|
|
|
Peržiūrėti
|
|
|
3,83 €
|
|
|
3,56 €
|
|
|
3,54 €
|
|
|
Pasiūlymas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
Intelligent Power Modules - IPMs
|
|
|
|
|
|
|
|
Igbt Moduliai IGBT PT MOS 7 Combi 1200 V 75 A SOT-227
- APT75GP120JDQ3
- Microchip Technology
-
1:
40,36 €
-
2 090Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
494-APT75GP120JDQ3
|
Microchip Technology
|
Igbt Moduliai IGBT PT MOS 7 Combi 1200 V 75 A SOT-227
|
|
2 090Prieinamumas
|
|
|
40,36 €
|
|
|
38,55 €
|
|
|
37,67 €
|
|
|
34,23 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
IGBT Modules
|
IGBT Modules
|
Si
|
Screw Mount
|
SOT-227-4
|
|
|
|
Tiristorių moduliai 312 Amps 1800V
- MCC312-18IO1
- IXYS
-
1:
162,69 €
-
227Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
747-MCC312-18IO1
|
IXYS
|
Tiristorių moduliai 312 Amps 1800V
|
|
227Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
Thyristor Modules
|
|
Si
|
Screw Mount
|
Y1-CU
|
|
|
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai HYBRID PACK DRIVE G1 SIC
- FS03MR12A6MA1BBPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
1 792,34 €
-
20Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-FS03MR12A6MA1BBP
|
Infineon Technologies
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai HYBRID PACK DRIVE G1 SIC
|
|
20Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
Discrete Semiconductor Modules
|
SiC Modules
|
SiC
|
|
|
|
|
|
MOSFET moduliai N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode
- IXFN210N30P3
- IXYS
-
1:
33,36 €
-
659Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
747-IXFN210N30P3
|
IXYS
|
MOSFET moduliai N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode
|
|
659Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
MOSFET Modules
|
|
Si
|
Screw Mount
|
SOT-227-4
|
|
|
|
Igbt Moduliai 1700V/85A High Voltage XPT IGBT
- IXYN30N170CV1
- IXYS
-
1:
34,05 €
-
441Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
747-IXYN30N170CV1
|
IXYS
|
Igbt Moduliai 1700V/85A High Voltage XPT IGBT
|
|
441Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
IGBT Modules
|
IGBT Modules
|
Si
|
Screw Mount
|
SOT-227B
|
|
|
|
MOSFET moduliai MBLOC 150V 400A N-CH X4CLASS
- IXTN400N15X4
- IXYS
-
1:
32,85 €
-
411Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
747-IXTN400N15X4
|
IXYS
|
MOSFET moduliai MBLOC 150V 400A N-CH X4CLASS
|
|
411Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
MOSFET Modules
|
|
Si
|
Screw Mount
|
SOT-227-4
|
|
|
|
MOSFET moduliai 600V 64A
- IXFN64N60P
- IXYS
-
1:
23,02 €
-
898Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
747-IXFN64N60P
|
IXYS
|
MOSFET moduliai 600V 64A
|
|
898Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
MOSFET Modules
|
|
Si
|
Screw Mount
|
SOT-227-4
|
|
Lietuva
