RFUH25NS3S Fast Recovery Diodes

ROHM Semiconductor RFUH25NS3S Fast Recovery Diodes feature ultra-low switching loss and high current overload capacity. These recovery diodes include silicon epitaxial planar-type construction. The RFUH25NS3S recovery diodes offer 350V repetitive peak reverse voltage, 10μA reverse current, and 100A forward current surge peak. These recovery diodes operate at 1.45V maximum forward voltage and stored at -55°C to 150°C temperature range. The RFUH25NS3S super fast recovery diodes are ideal for use in general rectification.

Rezultatai: 3
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Montavimo stilius
Pakuotė / Korpusas
Vr - atvirkštinė įtampa
Jei – tiesioginė srovė
Tipas
Configuration
Vf - tiesioginė įtampa
Didžiausia viršįtampio srovė
IR - Atvirkštinė Srovė
Atkūrimo Laikas
Didžiausia darbinė temperatūra
Kvalifikacija
Pakavimas
ROHM Semiconductor Lygintuvai RFU 600V
Duomenų Lapas
1 574Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 1 000

SMD/SMT TO-263S-3 350 V 20 A Super Fast Recovery Diode Single 1.45 V 100 A 10 uA 30 ns + 150 C Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Lygintuvai RECT 430V 20A SM SUPER FST
Duomenų Lapas
1 000Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 1 000

SMD/SMT TO-263S-3 430 V 20 A Super Fast Recovery Diode Single 1.7 V 100 A 10 uA 25 ns + 150 C AEC-Q101 Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Lygintuvai RECT 350V 20A SM SUPER FST
Duomenų Lapas
980Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 1 000

SMD/SMT TO-263S-3 350 V 20 A Super Fast Recovery Diode Single 1.45 V 100 A 10 uA 30 ns + 150 C AEC-Q101 Reel, Cut Tape