PSC1065K Silicon Carbide (SiC) Schottky Diodes

Nexperia PSC1065K Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode is designed for ultra-high performance, low-loss, high-efficiency power conversion applications. The Nexperia PSC1065K SiC Schottky diode is encapsulated in a Real-2-Pin (R2P) TO-220-2 (SOT8021) through-hole power plastic package. The product offers temperature-independent capacitive turn-off, zero recovery switching behavior, and an outstanding figure-of-merit (QC x VF). The Merged PiN Schottky (MPS) diode improves the robustness expressed in a high IFSM.

Rezultatai: 2
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Montavimo stilius
Pakuotė / Korpusas
Configuration
Jei – tiesioginė srovė
Vrrm - pasikartojanti atvirkštinė įtampa
Vf - tiesioginė įtampa
Ifsm – tiesioginė viršįtampio srovė
IR - Atvirkštinė Srovė
Minimali darbinė temperatūra
Didžiausia darbinė temperatūra
Pakavimas
Nexperia SiC SCHOTTKY diodai RECT 650V 10A RDL SCHOTTKY
Duomenų Lapas
876Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 50

Through Hole TO-220-2 Single 10 A 650 V 1.5 V 440 A 1 uA - 55 C + 175 C Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia SiC SCHOTTKY diodai PSC1065J-Q/SOT8018/TO263-2L
Duomenų Lapas
800Tikėtina 2026-05-18
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 800

SMD/SMT D2PAK-2 Single 10 A 650 V 1.5 V 440 A 1 uA - 55 C + 175 C Reel, Cut Tape