RN Automotive Bias Resistor Built-in Transistors

Toshiba RN Automotive Bias Resistor Built-in Transistors (BRT) are AEC-Q101 qualified and optimized for switching, inverter circuit, interfacing, and driver circuit applications. The bias resistor is integrated, reducing the number of external parts required and decreasing system size and assembly time. The Toshiba RN Automotive Bias Resistor BRTs provide a wide resistance range to adjust to various circuit designs.

Diskrečiųjų puslaidininkių tipai

Pakeisti kategorijos rodinį
Rezultatai: 163
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr. Gam. Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu. Qty. RoHS Gaminio tipas Technologijos Montavimo stilius Pakuotė / Korpusas
Toshiba Skaitmeniniai Transistors AUTO AEC-Q 2-in-1 (Point-symmetrical) NPN x 2 Q1BSR=4.7kO, Q1BER=4.7kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-563) 35 170Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 4 000

Digital Transistors SMD/SMT ES-6
Toshiba MOSFETs AUTO AEC-Q SS MOS N-ch Logic-Level Gate Drive VDSS:100V IC:10A PD:1.5W TSOP6F 9 284Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 3 000

MOSFETs Si SMD/SMT TSOP6F
Toshiba Skaitmeniniai Transistors AUTO AEC-Q NPN Q1BSR=4.7kO, Q1BER=47kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-723) 41 880Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 8 000

Digital Transistors SMD/SMT VESM-3
Toshiba MOSFETs AUTO AEC-Q SS MOS N-ch Logic-Level Gate Drive VDSS:60V IC:6.0A PD:1.5W TSOP6F 37 637Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 3 000

MOSFETs Si SMD/SMT TSOP6F
Toshiba Skaitmeniniai Transistors AUTO AEC-Q Single PNP Q1BSR=2.2kO, Q1BER=10kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-416) 5 998Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 3 000

Digital Transistors SMD/SMT SSM-3
Toshiba Skaitmeniniai Transistors AUTO AEC-Q TR NPN Q1BSR=47kOhm, Q1BER=10kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-346) 5 985Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 3 000

Digital Transistors SMD/SMT SC-59-3
Toshiba Skaitmeniniai Transistors AUTO AEC-Q Single PNP Q1BSR=10kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-416) 5 900Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 3 000

Digital Transistors SMD/SMT SSM-3
Toshiba Skaitmeniniai Transistors AUTO AEC-Q Single PNP Q1BSR=2.2kO, Q1BER=47kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-346) 2 730Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 3 000

Digital Transistors SMD/SMT S-Mini-3
Toshiba Skaitmeniniai Transistors AUTO AEC-Q TR PNP Q1BSR=4.7kOhm, Q1BER=10kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-346) 5 985Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 3 000

Digital Transistors SMD/SMT S-Mini-3
Toshiba Skaitmeniniai Transistors AUTO AEC-Q Single NPN Q1BSR=10kO, Q1BER=10kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-346) 5 560Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 3 000

Digital Transistors SMD/SMT S-Mini-3
Toshiba Skaitmeniniai Transistors AUTO AEC-Q Single NPN Q1BSR=4.7kO, Q1BER=4.7kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-346) 2 531Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 3 000

Digital Transistors SMD/SMT S-Mini-3
Toshiba Skaitmeniniai Transistors AUTO AEC-Q PNP Q1BSR=4.7kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-346) 5 980Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 3 000

Digital Transistors SMD/SMT S-Mini-3
Toshiba Dvipoliai tranzistoriai – BJT AUTO AEC-Q NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:350-700 SOT-323 (USM) 5 456Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 3 000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT USM-3
Toshiba Skaitmeniniai Transistors AUTO AEC-Q TR PNP BRT Q1BSR=10kOhm VCEO=-50V IC=-0.1A in SOT-346 (SOT-346) 6 000Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 3 000

Digital Transistors SMD/SMT S-Mini-3
Toshiba Dvipoliai tranzistoriai – BJT AUTO AEC-Q PNP + PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:200-400 SOT-563 (ES6) 7 700Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 4 000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT ES-6
Toshiba Dvipoliai tranzistoriai – BJT AUTO AEC-Q PNP + NPN Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:200-400 SOT-563 (ES6) 7 772Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 4 000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT ES-6
Toshiba Dvipoliai tranzistoriai – BJT AUTO AEC-Q NPN + NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:120-240 SOT-363 (US6) 5 762Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 3 000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT US-6
Toshiba Dvipoliai tranzistoriai – BJT AUTO AEC-Q NPN + NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:200-400 SOT-363 (US6) 5 644Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 3 000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT US-6
Toshiba MOSFETs AUTO AEC-Q SS MOS N-ch Logic-Level Gate Drive VDSS:100V IC:3.5A PD:1.5W TSOP6F 4 724Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 3 000

MOSFETs Si SMD/SMT TSOP6F
Toshiba ESD apsaugos diodai / TVS diodai AUTO AEC-Q Bidirectional ESD Prot. Diode CT:9pF VBR:16.2V @1mA VESD:+/-30V IPP:2.5A IR:0.1uA SOT-323 32 405Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 3 000

SOT-323-3
Toshiba MOSFETs AUTO AEC-Q SS MOS P-ch Logic-Level Gate Drive VDSS:-40V IC:-7A PD:1.5W TSOP6F 5 911Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 3 000

MOSFETs Si SMD/SMT TSOP6F
Toshiba ESD apsaugos diodai / TVS diodai AUTO AEC-Q Bidirectional ESD Prot. Diode CT:9pF VBR:16.2V @1mA VESD:+/-30V IPP:2.5A IR:0.1uA SOD-323 4 515Prieinamumas
3 000Tikėtina 2026-03-02
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 3 000

SOD-323-2
Toshiba ESD apsaugos diodai / TVS diodai AUTO AEC-Q Bidirectional ESD Prot. Diode CT:6.5pF VBR:32V @1mA VESD:+/-20V IPP:2.5A IR:0.1uA SOD-323 9 186Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 3 000

SOD-323-2
Toshiba Skaitmeniniai Transistors AUTO AEC-Q Single NPN Q1BSR=10kO, Q1BER=10kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-723) 6 045Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 8 000

Digital Transistors SMD/SMT VESM-3
Toshiba Dvipoliai tranzistoriai – BJT AUTO AEC-Q PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:200-400 SOT-346 (S-Mini) 11 236Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 3 000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT S-Mini-3