FF300R12ME7B11BPSA1

Infineon Technologies
726-FF300R12ME7B11BP
FF300R12ME7B11BPSA1

Gam.:

Aprašymas:
Igbt Moduliai 1200 V, 300 A dual IGBT module

Duomenų Lapas:
ECAD modelis:
Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.
Daugiau informacijos
Sužinokite daugiau apie Infineon Technologies FF300R12ME7B11BPSA1

Prieinamumas: 25

Turime sandėlyje:
25 Galime išsiųsti iš karto
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
14 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.
Min. 1   Užsakoma po 1
Vieneto kaina:
-,-- €
Plėt. Kaina:
-,-- €
Numatomas Įkainis:
Šis Produktas Siunčiamas NEMOKAMAI

Kainodara (EUR)

Qty. Vieneto kaina
Plėt. Kaina
90,38 € 90,38 €
78,46 € 784,60 €

Produkto Požymis Atributo vertė Pasirinkite Požymį
Infineon
Gaminio kategorija: Igbt Moduliai
RoHS:  
IGBT Silicon Modules
Dual
1.2 kV
1.5 V
300 A
100 nA
- 40 C
+ 175 C
Tray
Prekės Ženklas: Infineon Technologies
Gaminio tipas: IGBT Modules
Gamyklinės pakuotės kiekis: 10
Subkategorija: IGBTs
Technologijos: Si
Prekinis pavadinimas: EconoDUAL
Dalies Nr., kitokios klasifikacijos numeriai: FF300R12ME7_B11 SP005418163
Rasta produktų:
Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį
Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.
Pasirinkti atributai: 0

Duomenų Lapas

Product Catalogs

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8504409100
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

IGBT7 E7 TRENCHSTOP™ Dual Configuration Modules

Infineon Technologies IGBT7 E7 TRENCHSTOP™ Dual Configuration Modules are based on micro-pattern trench technology that reduces losses and offers high controllability. The cell concept is characterized by implementing parallel trench cells separated by sub-micron mesas in contrast to square trench cells. A specially optimized chip for industrial drive applications and solar energy systems provides low static losses, high power density, and soft switching. With a +175°C maximum operating temperature, the modules allow a significant increase in power density.

EconoDUAL™ 3 IGBT Modules

Infineon Technologies EconoDUAL™ 3 IGBT Modules are a solution for many applications requiring reliable, cost-effective power electronics. The Infineon Technologies EconoDUAL 3 can support currents ranging from 100A to 900A at various voltages, including 600V, 650V, 1200V, and 1700V. The device is equipped with state-of-the-art IGBT7 or IGBT4 technologies. The modules offer exceptional power density and cycling capability, and the symmetrical design allows for optimized current sharing between IGBT half bridges. This feature makes them ideal for parallel operation. EconoDUAL 3 is a versatile and efficient option for electric vehicles, renewable energy, or general-purpose drives.

High Efficiency 25V Integrated Power Stages

Infineon Technologies High-Efficiency 25V Integrated Power Stages combines advanced low voltage MOSFET technology with innovative driver designs. The Power Stages are integrated into proven multichip PQFN packages and offer a high-efficiency device for managing processor power. Driver technology, FET technology, and package technology integration demonstrate the powerful combination of Infineon's and International Rectifier's capabilities. The power stages in this portfolio are available in industry standard 5x6 footprints with various current ratings, covering high-end and price-performance requirements.

Įvyko netikėta klaida.


Turite klausimų? Apsilankykite pagalbos centre.
Jei turite klausimų apie konkretų užsakymą, prisijunkite prie savo paskyros.

Jei susidūrėte su papildomomis problemomis, susisiekite su mumis tel. Nr. 800-346-6873 arba el. paštu help@mouser.com.