Infineon EconoDUAL Igbt Moduliai

Rezultatai: 40
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Gaminys
Configuration
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
Kolektoriaus ir Emiterio Stoties Įtampa
Nuolatinė kolektoriaus srovė esant 25 C
Užtvaro sklaidos įrenginio nuotėkio srovė
Pd - skaidos galia
Pakuotė / Korpusas
Minimali darbinė temperatūra
Didžiausia darbinė temperatūra
Pakavimas
Infineon Technologies Igbt Moduliai 1200 V, 450 A dual IGBT module
Duomenų Lapas
17Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 675 A 400 nA 2.25 kW - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies Igbt Moduliai 1200 V, 450 A dual IGBT module
Duomenų Lapas
17Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 450 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Igbt Moduliai 1200 V, 600 A dual IGBT module
Duomenų Lapas
19Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 995 A 400 nA 4.05 kW - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies FF450R07ME4B11BPSA1
Infineon Technologies Igbt Moduliai 650 V, 450 A dual IGBT module
Duomenų Lapas
9Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

IGBT Silicon Modules Dual 650 V 1.55 V 560 A 100 nA 1.45 kW - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies FF225R12MS4
Infineon Technologies Igbt Moduliai N-CH 1.2KV 275A
Duomenų Lapas
9Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 3.2 V 275 A 400 nA 1.45 kW Econo D - 40 C + 125 C Tray
Infineon Technologies Igbt Moduliai EconoDUAL3 module with TRENCHSTOPIGBT7 and emitter controlled 8 diode and NTC
Duomenų Lapas
30Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

IGBT Modules Dual 1.7 kV 1.85 V 900 A 100 nA 20 mW Tray
Infineon Technologies Igbt Moduliai IGBT 1200V 300A
Duomenų Lapas
148Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

IGBT Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 450 A 400 nA 1.6 kW - 40 C + 125 C Tray
Infineon Technologies Igbt Moduliai IGBT 1200V 225A
Duomenų Lapas
28Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

IGBT Modules 1.2 kV 2.15 V 225 A 400 nA 1.05 kW - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies Igbt Moduliai 1200 V, 600 A dual IGBT module
Duomenų Lapas
33Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Tray
Infineon Technologies Igbt Moduliai 1200 V, 900 A dual IGBT module
Duomenų Lapas
24Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Ne
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 900 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies FF900R17ME7B11BPSA1
Infineon Technologies Igbt Moduliai 1700 V, 900 A dual IGBT module
Duomenų Lapas
6Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.7 kV 1.7 V 900 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Igbt Moduliai 1200 V, 300 A dual IGBT module
Duomenų Lapas
13Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 300 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies F4150R17ME4B11BPSA2
Infineon Technologies Igbt Moduliai 1700 V, 150 A fourpack IGBT module
Duomenų Lapas
10Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

IGBT Silicon Modules 4-Pack 1.7 kV 1.95 V 230 A 400 nA - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies FF600R07ME4B11BPSA1
Infineon Technologies Igbt Moduliai 650 V, 600 A dual IGBT module
Duomenų Lapas
4Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

IGBT Silicon Modules Dual 650 V 1.55 V 700 A 100 nA 1.8 kW - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies FF150R17ME3G
Infineon Technologies Igbt Moduliai N-CH 1.7KV 240A
Duomenų Lapas
4Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.7 kV 2 V 240 A 400 nA 1.05 kW Econo D - 40 C + 125 C Tray
Infineon Technologies F4-150R12KS4
Infineon Technologies Igbt Moduliai N-CH 1.2KV 180A
Duomenų Lapas
20Pagal užsakymą
Min.: 1
Daugkart.: 1

IGBT Silicon Modules 4-Pack 1.2 kV 3.2 V 180 A 400 nA 960 W Econo 3 - 40 C + 125 C Tray
Infineon Technologies Igbt Moduliai 1200 V, 900 A dual IGBT module
Duomenų Lapas
6Tikėtina 2026-07-03
Min.: 1
Daugkart.: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 890 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies FF300R12MS4
Infineon Technologies Igbt Moduliai N-CH 1.2KV 370A
Duomenų Lapas
10Tikėtina 2026-06-26
Min.: 1
Daugkart.: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 3.2 V 370 A 400 nA 1.95 kW Econo D - 40 C + 125 C Tray
Infineon Technologies Igbt Moduliai 1700 V, 200 A fourpack IGBT module
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 12 Savaičių
Min.: 10
Daugkart.: 10

Tray
Infineon Technologies Igbt Moduliai IGBT 1700V 225A
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 14 Savaičių
Min.: 1
Daugkart.: 1

IGBT Modules Dual 1.7 kV 1.95 V 340 A 400 nA 1.5 kW Module - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies Igbt Moduliai 1200 V, 225 A dual IGBT module
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 14 Savaičių
Min.: 10
Daugkart.: 10

Tray
Infineon Technologies Igbt Moduliai 1700 V, 300 A dual IGBT module
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 14 Savaičių
Min.: 10
Daugkart.: 10

Tray
Infineon Technologies Igbt Moduliai 650 V, 300 A dual IGBT module
Duomenų Lapas
Vykdymo Laikas 14 Savaičių
Min.: 1
Daugkart.: 1

IGBT Silicon Modules Dual 650 V 1.55 V 390 A 100 nA 1.1 kW - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies Igbt Moduliai 1700 V, 300 A dual IGBT module
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 14 Savaičių
Min.: 1
Daugkart.: 1

Tray
Infineon Technologies Igbt Moduliai 1700 V, 450 A dual IGBT module
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 14 Savaičių
Min.: 10
Daugkart.: 10

Tray