STMicroelectronics MOSFETs

Rezultatai: 11
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Technologijos
Montavimo stilius
Pakuotė / Korpusas
Tranzistoriaus poliškumas
Kanalų skaičius
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa
svar. – nuolatinio išleidimo srovė
RDS On - Drain-Source Varža
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa
Qg – vartų krūvis
Minimali darbinė temperatūra
Didžiausia darbinė temperatūra
Pd - skaidos galia
Kanalas Mode
Prekinis pavadinimas
Pakavimas
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V, 0.078 Ohm typ., 34 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-3PF package
Duomenų Lapas
445Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-3PF-3 N-Channel 1 Channel 600 V 34 A 78 mOhms - 25 V, 25 V 2 V 57 nC - 55 C + 150 C 63 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 1700 V, 7 Ohm typ., 2.6 A, PowerMESH Power MOSFET in TO-3PF package
Duomenų Lapas
565Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-3PF-3 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 2.6 A 7 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 44 nC - 55 C + 150 C 63 W Enhancement PowerMESH Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 650V 0.037 Ohm 58A MDMesh M5 MOS
Duomenų Lapas
338Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-3PF-3 N-Channel 1 Channel 650 V 58 A 45 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 143 nC - 55 C + 150 C 79 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 650 V, 0.073 Ohm typ., 30 A MDmesh M5 Power MOSFET in TO-3PF package
Duomenų Lapas
137Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-3PF-3 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 95 mOhms - 25 V, 25 V 4 V 71 nC - 55 C + 150 C 57 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 1500 V 2.5 A PowerMESH
Duomenų Lapas
1 640Prieinamumas
900Tikėtina 2026-03-13
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-3PF-3 N-Channel 1 Channel 1.5 kV 2.5 A 9 Ohms - 20 V, 20 V 3 V 29.3 nC - 55 C + 150 C 63 W Enhancement PowerMESH Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 1500 V 4 A PowerMESH
Duomenų Lapas
352Prieinamumas
600Tikėtina 2026-05-25
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-3PF-3 N-Channel 1 Channel 1.5 kV 4 A 7 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 50 nC - 55 C + 150 C 63 W Enhancement PowerMESH Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 1200 V, 1.65 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-3PF package
Duomenų Lapas
139Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-3PF-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 6 A 2 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 13.7 nC - 55 C + 150 C 48 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 1200 V, 0.62 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-3PF packge
Duomenų Lapas
100Tikėtina 2026-03-13
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-3PF-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 12 A 620 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 44.2 nC - 55 C + 150 C 63 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 1050V 8 Ohm 1.4 A SuperMESH3(TM)
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 14 Savaičių
Min.: 600
Daugkart.: 300

Si Through Hole TO-3PF-3 N-Channel 1 Channel 1.05 kV 1.4 A 8 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 13 nC - 55 C + 150 C 20 W Enhancement SuperMESH Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 1050 V, 6 Ohm typ., 1.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-3PF package
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 14 Savaičių
Min.: 900
Daugkart.: 300

Si Through Hole TO-3PF-3 N-Channel 1 Channel 1.05 kV 2 A 6 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 10 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement SuperMESH Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V, 0.076 Ohm typ 34 A MDmesh M2 EP Power MOSFET
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 300
Daugkart.: 300

Si Through Hole TO-3PF-3 N-Channel 1 Channel 600 V 34 A 87 mOhms - 25 V, 25 V 2 V 55 nC - 55 C + 150 C 63 W Enhancement MDmesh Tube