RF JFET tranzistoriai

Rezultatai: 24
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr. Gam. Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu. Qty. RoHS ECAD modelis Tranzistoriaus tipas Technologijos Darbinis Dažnis Gain Tranzistoriaus poliškumas Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa Vgs - užtūros-šaltinio pramušimo įtampa svar. – nuolatinio išleidimo srovė Minimali darbinė temperatūra Didžiausia darbinė temperatūra Pd - skaidos galia Montavimo stilius Pakuotė / Korpusas Pakavimas
Skyworks Solutions, Inc. RF JFET tranzistoriai .45-6.0GHz NF .45dB Gain 15.5dB @ 2.4GHz 30 314Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 3 000

pHEMT GaAs N-Channel - 40 C + 85 C SMD/SMT SC-70-4 Reel, Cut Tape, MouseReel
Qorvo RF JFET tranzistoriai 0.18 mm Pwr pHEMT 200Prieinamumas
Min.: 100
Daugkart.: 100
Reel: 100

pHEMT GaAs 14 dB SMD/SMT 0.41 mm x 0.34 mm Reel
Qorvo RF JFET tranzistoriai 0.60 mm Pwr pHEMT 100Prieinamumas
Min.: 100
Daugkart.: 100
Reel: 100

pHEMT Reel
Qorvo RF JFET tranzistoriai 0.25 mm Pwr pHEMT 100Prieinamumas
Min.: 100
Daugkart.: 100
Reel: 100

pHEMT Reel
CEL RF JFET tranzistoriai 20GHz NF .70dB Ga 11.9dB -55C +125C 90Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

pHEMT GaAs 20 GHz 11.9 dB 3 V - 3 V 10 mA - 55 C + 125 C 125 mW SMD/SMT minimold-4 Bulk
CEL RF JFET tranzistoriai 12GHz NF .3dB Ga 13.7dB -55C +125C 11 531Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 10 000

pHEMT GaAs 12 GHz 13.7 dB 4 V - 3 V 10 mA - 55 C + 125 C 125 mW SMD/SMT MICRO-X-4 Reel, Cut Tape, MouseReel
CEL RF JFET tranzistoriai RF Low Noise FET 4-Pin Flat-lead 2 803Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

pHEMT Si 12 GHz 14.1 dB 2 V - 400 mV 10 mA - 55 C + 125 C 125 mW SMD/SMT minimold-4 Bulk
CEL RF JFET tranzistoriai RF Low Noise FET 4-Pin Flat-lead 12 597Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 15 000

Si 12 GHz 14.1 dB 2 V - 400 mV 10 mA - 55 C + 125 C 125 mW SMD/SMT minimold-4 Reel, Cut Tape, MouseReel
CEL RF JFET tranzistoriai 20GHz NF .55dB Ga 13.8dB -55C +125C 6 934Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 10 000

pHEMT GaAs 24 GHz 13.8 dB 4 V - 3 V 10 mA - 55 C + 125 C 125 mW SMD/SMT MICRO-X-4 Reel, Cut Tape, MouseReel
CEL RF JFET tranzistoriai 12GHz NF .3dB Ga 13.7dB -55C +125C 809Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

pHEMT GaAs 12 GHz 13.7 dB 4 V - 3 V 10 mA - 55 C + 125 C 125 mW SMD/SMT MICRO-X-4 Bulk
CEL RF JFET tranzistoriai 12GHz NF .42dB Ga 12.2dB -55C +125C 64Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

pHEMT GaAs 12 GHz 12.2 dB 4 V - 3 V 10 mA - 55 C + 125 C 125 mW SMD/SMT minimold-4 Bulk
CEL RF JFET tranzistoriai 12GHz NF .42dB Ga 12.2dB -55C +125C 1 907Prieinamumas
15 000Tikėtina 2026-04-28
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 15 000

pHEMT GaAs 12 GHz 12.2 dB 4 V - 3 V 10 mA - 55 C + 125 C 125 mW SMD/SMT minimold-4 Reel, Cut Tape, MouseReel
CEL CE3520K3
CEL RF JFET tranzistoriai 20GHz NF .55dB Ga 13.8dB -55C +125C 195Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

pHEMT GaAs Bulk
Qorvo RF JFET tranzistoriai 0.40 mm Pwr pHEMT Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 20 Savaičių
Min.: 100
Daugkart.: 100
Reel: 100

pHEMT GaAs 13 dB 0.41 mm x 0.34 mm Reel
Qorvo RF JFET tranzistoriai 0.80mm Pwr pHEMT Vykdymo Laikas 20 Savaičių
Min.: 100
Daugkart.: 100
Reel: 100

pHEMT Reel
Qorvo RF JFET tranzistoriai 1.20mm Pwr pHEMT Vykdymo Laikas 20 Savaičių
Min.: 100
Daugkart.: 100

pHEMT Tray
Qorvo RF JFET tranzistoriai 1.60mm Pwr pHEMT Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 20 Savaičių
Min.: 100
Daugkart.: 100
Reel: 100

pHEMT Reel
MACOM CGHV1J070D-GP5
MACOM RF JFET tranzistoriai DIE, 70W, 18.0GHz, GaN HEMT, GP5, 510438
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 26 Savaičių
Min.: 250
Daugkart.: 50

MACOM NPT2010
MACOM RF JFET tranzistoriai Amplifier, 48V 100W DC-2.2GHz HEMT Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 22 Savaičių
Min.: 20
Daugkart.: 20

HEMT Si
MACOM GTRB267008FC-V1-R0
MACOM RF JFET tranzistoriai Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 50
Daugkart.: 50
Reel: 50
Reel
MACOM GTRB267008FC-V1-R2
MACOM RF JFET tranzistoriai Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 250
Daugkart.: 250
Reel: 250
Reel
CEL RF JFET tranzistoriai 20GHz NF .70dB Ga 11.9dB -55C +125C Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 15 000
Daugkart.: 15 000
Reel: 15 000

pHEMT GaAs 20 GHz 11.9 dB 3 V - 3 V 10 mA - 55 C + 125 C 125 mW SMD/SMT minimold-4 Reel
CEL CE7530K2-C1
CEL RF JFET tranzistoriai Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 10 000
Daugkart.: 10 000
Reel: 10 000

Reel
CEL CE7531K3-C1
CEL RF JFET tranzistoriai Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 10 000
Daugkart.: 10 000
Reel: 10 000

Reel