GaN Switches

Qorvo Gallium Nitride (GaN) Switches are suited for RF Switching applications and feature high breakdown voltages combined with the low on-resistance and off-state capacitance. This enables a dramatic increases in power handling. GaAs FET switches are widely used in the RF industry, and typically used for power levels on the order of a few watts or less. GaN FETs are able to use the same circuit architectures to handle power levels on the order of tens of watts.

Rezultatai: 2
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr. Gam. Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu. Qty. RoHS ECAD modelis Jungiklio Configuration Minimalus dažnis Didžiausias dažnis Insertion Nuostoliai Išjungimo izoliacija - tip. Minimali darbinė temperatūra Didžiausia darbinė temperatūra Montavimo stilius Pakuotė / Korpusas Technologijos Serija Pakavimas
Qorvo RD jungiklių integriniai grandynai 5-6000MHz SPDT IL .25dB Iso 39dB 3 473Prieinamumas
2 500Tikėtina 2026-07-27
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 750
: 2 500

SPDT 5 MHz 6 GHz 0.46 dB 29 dB - 40 C + 105 C SMD/SMT LGA-9 Si QPC1022 Reel, Cut Tape, MouseReel
Qorvo RD jungiklių integriniai grandynai 50W, 0.15-2.8GHz GaN SP3T Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 24 Savaičių
Min.: 100
Daugkart.: 100
: 100

SP3T 150 MHz 2.8 GHz 0.3 dB to 1 dB 30 dB + 275 C SMD/SMT QFN-24 GaN QPC1006 Reel