QPA2935 2W S-Band GaN Driver Amplifier

Qorvo QPA2935 2W S-Band GaN Driver Amplifier operates from 2.7GHz to 3.5GHz and delivers 33dBm of saturated output power and 18dB of large-signal gain while achieving greater than 52% power-added efficiency. The QPA2935 is fabricated on the QGaN25 0.25µm GaN (Gallium Nitride) on SiC (Silicon Carbide) process and is matched to 50Ω with integrated DC blocking caps on both I/O ports.

Rezultatai: 2
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Darbinis Dažnis
Darbinė Maitinimo Įtampa
Darbinė Maitinimo Srovė
Gain
Tipas
Montavimo stilius
Technologijos
Minimali darbinė temperatūra
Didžiausia darbinė temperatūra
Serija
Pakavimas
Qorvo RF Stiprintuvas 2.9-3.5 GHz, 2W S-band MMIC, OVM
Duomenų Lapas
72Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

2.7 GHz to 3.5 GHz 25 V 29 mA 28.4 dB Driver Amplifiers SMD/SMT GaN SiC - 40 C + 85 C QPA2935 Bag
Qorvo RF Stiprintuvas 2.9-3.5 GHz, 2W S-band MMIC, OVM
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 16 Savaičių
Min.: 250
Daugkart.: 250
Reel: 250

2.7 GHz to 3.5 GHz 25 V 29 mA 28.4 dB Driver Amplifiers SMD/SMT GaN SiC - 40 C + 85 C QPA2935 Reel