NXP Galvaniškai Izoliuotos Gate Tvarkyklės

Rezultatai: 20
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr. Gam. Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu. Qty. RoHS ECAD modelis Serija Montavimo stilius Pakuotė / Korpusas Kanalų skaičius Izoliacijos Įtampa Minimali darbinė temperatūra Didžiausia darbinė temperatūra Pakavimas
NXP Semiconductors SC900633BEK
NXP Semiconductors Galvaniškai Izoliuotos Gate Tvarkyklės HV Isolated Gate Driver 42Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Tube
NXP Semiconductors SC900631BEK
NXP Semiconductors Galvaniškai Izoliuotos Gate Tvarkyklės HV Isolated Gate Driver 42Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Tube
NXP Semiconductors Galvaniškai Izoliuotos Gate Tvarkyklės Optimised SiC & IGBT GDIC for xEV traction inverters 1 076Prieinamumas
704Tikėtina 2026-07-21
Min.: 1
Daugkart.: 1

GD3162 SMD/SMT SOIC-32 1 Channel 8 kVrms - 40 C + 150 C Tray
NXP Semiconductors Galvaniškai Izoliuotos Gate Tvarkyklės Optimised SiC & IGBT GDIC for xEV traction inverters 1 282Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

GD3162 SMD/SMT SOIC-32 1 Channel 8 kVrms - 40 C + 150 C Tray
NXP Semiconductors Galvaniškai Izoliuotos Gate Tvarkyklės IGBT & SiC GDIC for xEV traction inverters 80Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

GD3100 SMD/SMT WSOIC-32 1 Channel - 40 C + 125 C Tube
NXP Semiconductors Galvaniškai Izoliuotos Gate Tvarkyklės IGBT & SiC GDIC for xEV traction inverters 58Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

GD3100 SMD/SMT WSOIC-32 1 Channel - 40 C + 125 C Tube
NXP Semiconductors Galvaniškai Izoliuotos Gate Tvarkyklės IGBT & SiC GDIC for xEV traction inverters 84Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

GD3100 SMD/SMT WSOIC-32 1 Channel - 40 C + 125 C Tube
NXP Semiconductors Galvaniškai Izoliuotos Gate Tvarkyklės IGBT & SiC GDIC for xEV traction inverters 84Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

GD3100 SMD/SMT WSOIC-32 1 Channel - 40 C + 125 C Tube
NXP Semiconductors Galvaniškai Izoliuotos Gate Tvarkyklės IGBT & SiC GDIC for xEV traction inverters Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 16 Savaičių
Min.: 1 000
Daugkart.: 1 000
Reel: 1 000

GD3100 SMD/SMT WSOIC-32 1 Channel - 40 C + 125 C Reel
NXP Semiconductors Galvaniškai Izoliuotos Gate Tvarkyklės IGBT & SiC GDIC for xEV traction inverters Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 16 Savaičių
Min.: 1 000
Daugkart.: 1 000
Reel: 1 000

GD3100 SMD/SMT WSOIC-32 1 Channel - 40 C + 125 C Reel
NXP Semiconductors Galvaniškai Izoliuotos Gate Tvarkyklės IGBT & SiC GDIC for xEV traction inverters Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 99 Savaičių
Min.: 1 000
Daugkart.: 1 000
Reel: 1 000

GD3100 SMD/SMT WSOIC-32 1 Channel - 40 C + 125 C Reel
NXP Semiconductors Galvaniškai Izoliuotos Gate Tvarkyklės IGBT & SiC GDIC for xEV traction inverters Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 99 Savaičių
Min.: 1 000
Daugkart.: 1 000
Reel: 1 000

GD3100 SMD/SMT WSOIC-32 1 Channel - 40 C + 125 C Reel
NXP Semiconductors Galvaniškai Izoliuotos Gate Tvarkyklės Optimised SiC & IGBT GDIC for xEV traction inverters Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 26 Savaičių
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 1 000

GD3162 SMD/SMT SOIC-32 1 Channel 8 kVrms - 40 C + 150 C Reel, Cut Tape
NXP Semiconductors Galvaniškai Izoliuotos Gate Tvarkyklės Optimised SiC & IGBT GDIC for xEV traction inverters Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 26 Savaičių
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 1 000

GD3162 SMD/SMT SOIC-32 1 Channel 8 kVrms - 40 C + 150 C Reel, Cut Tape
NXP Semiconductors Galvaniškai Izoliuotos Gate Tvarkyklės Optimised SiC & IGBT GDIC for xEV traction inverters Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 26 Savaičių
Min.: 1 000
Daugkart.: 1 000
Reel: 1 000

GD3162 SMD/SMT SOIC-32 1 Channel 8 kVrms - 40 C + 150 C Reel
NXP Semiconductors Galvaniškai Izoliuotos Gate Tvarkyklės Optimised SiC & IGBT GDIC for xEV traction inverters Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 26 Savaičių
Min.: 176
Daugkart.: 176

GD3162 SMD/SMT SOIC-32 1 Channel 8 kVrms - 40 C + 150 C Tray
NXP Semiconductors Galvaniškai Izoliuotos Gate Tvarkyklės Optimised SiC & IGBT GDIC for xEV traction inverters Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 26 Savaičių
Min.: 1 000
Daugkart.: 1 000
Reel: 1 000

GD3162 SMD/SMT SOIC-32 1 Channel 8 kVrms - 40 C + 150 C Reel
NXP Semiconductors Galvaniškai Izoliuotos Gate Tvarkyklės Optimised SiC & IGBT GDIC for xEV traction inverters Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 26 Savaičių
Min.: 176
Daugkart.: 176

GD3162 SMD/SMT SOIC-32 1 Channel 8 kVrms - 40 C + 150 C Tray
NXP Semiconductors SC900631BEKR2
NXP Semiconductors Galvaniškai Izoliuotos Gate Tvarkyklės HV Isolated Gate Driver Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 16 Savaičių
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 1 000

Reel, Cut Tape
NXP Semiconductors SC900633BEKR2
NXP Semiconductors Galvaniškai Izoliuotos Gate Tvarkyklės HV Isolated Gate Driver Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 16 Savaičių
Min.: 1 000
Daugkart.: 1 000
Reel: 1 000

Reel