S29CD016J Flash NOR Memory

Infineon Technologies S29CD016J Flash NOR Memory device is floating product fabricated on 110nm process technology. The S29CD016J flash memory is capable of performing simultaneous read and write operations with zero latency on two separate banks. The S29CD016J flash NOR memory operates up to 75MHz (32Mb) or 66MHz (16Mb) and uses a single device supply of 2.5VCC to 2.75VCC. The flash NOR devices are available with dual boot sector configuration, supports Common Flash Interface (CFI), and 20 years of data retention. The Infineon S29CDxJ burst flash device is ideal for demanding automotive applications.

Rezultatai: 3
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr. Gam. Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu. Qty. RoHS ECAD modelis Montavimo stilius Pakuotė / Korpusas Serija Atminties dydis Maitinimo Įtampa - Min. Maksimali Maitinimo Įtampa Aktyvaus skaitymo srovė – maks. Interface Type Didžiausias taktų dažnis Organizavimas Duomenų bus plotis Laiko matavimo tipas Minimali darbinė temperatūra Didžiausia darbinė temperatūra Kvalifikacija Pakavimas
Infineon Technologies NOR Blykstė PNOR Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 16 Savaičių
Min.: 660
Daugkart.: 660

SMD/SMT PQFP-80 S29CL016J 16 Mbit 2.5 V 2.75 V 90 mA Parallel 66 MHz 512 k x 32 32 bit Asynchronous, Synchronous - 40 C + 125 C AEC-Q100 Tray
Infineon Technologies S29GL064S80BHB040
Infineon Technologies NOR Blykstė Nor Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 10 Savaičių
Min.: 3 380
Daugkart.: 3 380

SMD/SMT BGA-48 S29GL064S 64 Mbit 2.7 V 3.6 V 50 mA Parallel 8 M x 8 8 bit Asynchronous - 40 C + 105 C AEC-Q100 Tray
Infineon Technologies S29GL128S90FHA023
Infineon Technologies NOR Blykstė Nor Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 10 Savaičių
Min.: 1 600
Daugkart.: 1 600
Reel: 1 600

SMD/SMT BGA-64 S29GL128S 128 Mbit 2.7 V 3.6 V 60 mA Parallel 8 M x 16 16 bit Asynchronous - 40 C + 85 C AEC-Q100 Reel