QPA2935EVB

Qorvo
772-QPA2935EVB
QPA2935EVB

Gam.:

Aprašymas:
RD kūrimo priemonės 2.9-3.5 GHz, 2W S-band MMIC, OVM

Produktas prieinamas tik pirminės įrangos gamintojams / elektronikos gamybos įmonėms ir projektavimo srities verslo klientams. Produktas nesiunčiamas klientams į ES arba JK

Prieinamumas

Turime sandėlyje:
Ne Sandėlyje Esantys
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
16 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje.
Min. 1   Užsakoma po 1
Vieneto kaina:
-,-- €
Plėt. Kaina:
-,-- €
Numatomas Įkainis:
Šis Produktas Siunčiamas NEMOKAMAI

Kainodara (EUR)

Qty. Vieneto kaina
Plėt. Kaina
972,00 € 972,00 €

Produkto Požymis Atributo vertė Pasirinkite Požymį
Qorvo
Gaminio kategorija: RD kūrimo priemonės
Siuntimo apribojimai:
 Produktas prieinamas tik pirminės įrangos gamintojams / elektronikos gamybos įmonėms ir projektavimo srities verslo klientams. Produktas nesiunčiamas klientams į ES arba JK
RoHS:  
Evaluation Boards
RF Amplifier
QPA2935, QPA2935TR7
2.7 GHz to 3.5 GHz
Prekės Ženklas: Qorvo
Skirta naudoti su: 2 Watt S-Band GaN Driver Amplifier
Pakavimas: Bag
Gaminio tipas: RF Development Tools
Serija: QPA2935
Gamyklinės pakuotės kiekis: 1
Subkategorija: Development Tools
Dalies Nr., kitokios klasifikacijos numeriai: QPA2935
Rasta produktų:
Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį
Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.
Pasirinkti atributai: 0

USHTS:
9030820000
ECCN:
EAR99

QPA2935EVB Evaluation Board

Qorvo QPA2935EVB Evaluation Board is a demonstration and development platform for the QPA2935 2W S-Band GaN Driver Amplifier. The QPA2935 operates from 2.7GHz to 3.5GHz and delivers 33dBm of saturated output power and 18dB of large-signal gain while achieving greater than 52% power-added efficiency. The QPA2935 is fabricated on the QGaN25 0.25µm GaN (Gallium Nitride) on SiC (Silicon Carbide) process and is matched to 50Ω with integrated DC blocking caps on both I/O ports.