QPA1009EVB

Qorvo
772-QPA1009EVB
QPA1009EVB

Gam.:

Aprašymas:
RD kūrimo priemonės 10.7-12.7 GHz 17W PA PHS

Produktas prieinamas tik pirminės įrangos gamintojams / elektronikos gamybos įmonėms ir projektavimo srities verslo klientams. Produktas nesiunčiamas klientams į ES arba JK

Prieinamumas

Turime sandėlyje:
0

Taip pat galite pirkti šį produktą kaip sandėlyje neesančią prekę.

Gamintojo numatytas pristatymo laikas
16 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje.
Min. 1   Užsakoma po 1
Vieneto kaina:
-,-- €
Plėt. Kaina:
-,-- €
Numatomas Įkainis:
Šis Produktas Siunčiamas NEMOKAMAI

Kainodara (EUR)

Qty. Vieneto kaina
Plėt. Kaina
3 645,00 € 3 645,00 €

Produkto Požymis Atributo vertė Pasirinkite Požymį
Qorvo
Gaminio kategorija: RD kūrimo priemonės
Siuntimo apribojimai:
 Produktas prieinamas tik pirminės įrangos gamintojams / elektronikos gamybos įmonėms ir projektavimo srities verslo klientams. Produktas nesiunčiamas klientams į ES arba JK
RoHS:  
Evaluation Boards
RF Amplifier
QPA1009
10.7 GHz to 12.7 GHz
Prekės Ženklas: Qorvo
Gamybos šalis: Not Available
Distribucijos šalis: Not Available
Kilmės šalis: US
Pakavimas: Bag
Gaminio tipas: RF Development Tools
Serija: QPA1009
Gamyklinės pakuotės kiekis: 1
Subkategorija: Development Tools
Dalies Nr., kitokios klasifikacijos numeriai: QPA1009
Rasta produktų:
Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį
Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.
Pasirinkti atributai: 0

USHTS:
9030820000
ECCN:
EAR99

QPA1009EVB Evaluation Board

Qorvo QPA1009EVB Evaluation Board is a demonstration and development platform for the QPA1009 17W Wideband GaN on SiC Power Amplifier. The QPA1009 operates from 10.7GHz to 12.7GHz, delivering 42dBm of saturated output power and 16dB of large signal gain while achieving 33% power-added efficiency. The QPA1009 RF ports have DC blocking capacitors and are matched to 50Ω. The device's RF input port is DC coupled to ground for optimum ESD performance. The QPA1009 is fabricated on a 0.15µm QGaN15 GaN (Gallium Nitride) on SiC (Silicon Carbide) process and is 100% DC and RF tested to ensure compliance with electrical specifications.