EVALSTDRIVE101

STMicroelectronics
511-EVALSTDRIVE101
EVALSTDRIVE101

Gam.:

Aprašymas:
Power Management IC Development Tools STDRIVE101 demonstration board for three-phase brushless motors

Prieinamumas

Turime sandėlyje:
0

Taip pat galite pirkti šį produktą kaip sandėlyje neesančią prekę.

Pagal užsakymą:
14
Min. 1   Užsakoma po 1
Vieneto kaina:
-,-- €
Plėt. Kaina:
-,-- €
Numatomas Įkainis:
Šis Produktas Siunčiamas NEMOKAMAI

Kainodara (EUR)

Qty. Vieneto kaina
Plėt. Kaina
202,92 € 202,92 €

Produkto Požymis Atributo vertė Pasirinkite Požymį
STMicroelectronics
Gaminio kategorija: Power Management IC Development Tools
RoHS:  
Demonstration Boards
Brushless DC Motion Controller
6 V to 75 V
STL110N10F7
STDRIVE101
Prekės Ženklas: STMicroelectronics
Išvesties Srovė: 20 A
Pakavimas: Bulk
Gaminio tipas: Power Management IC Development Tools
Gamyklinės pakuotės kiekis: 1
Subkategorija: Development Tools
Vieneto Svoris: 340,200 g
Rasta produktų:
Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį
Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.
Pasirinkti atributai: 0

TARIC:
8473302000
CNHTS:
8543709990
CAHTS:
9023000000
USHTS:
9023000000
JPHTS:
902300000
MXHTS:
9023000100
BRHTS:
90230000
ECCN:
EAR99

STDRIVE101 Demonstration Board (EVALSTDRIVE101)

STMicroelectronics STDRIVE101 Demonstration Board (EVALSTDRIVE101) provides an evaluation platform for the STDRIVE101 triple half-bridge gate driver and the STL110N10F7 STripFET™ F7 power MOSFET. The EVALSTDRIVE101 board is designed to drive three-phase brushless DC motors, and it can be interfaced with various STM32 microcontrollers through the motor control connector. The board can be configured in single- and three-shunt and supports FOC and six-step algorithms in both configurations. The onboard Hall sensor connector and the phase sensing network enable users to implement both sensor and sensorless algorithms for motion control. The STMicroelectronics EVALSTDRIVE101 fully evaluates the STDRIVE101 and its features, which include the embedded comparator for overcurrent protection and the drain-source voltage sensing of each power MOSFET.