EPC2361

Name: EPC EPC2361
Brand: EPC
SKU: 65-EPC2361
Price: 8.24 EUR
Availability: InStock

Vaizdai skirti tik iliustracijai
Žr. produkto specifikacijas

Mouser #:

65-EPC2361

Mfr. #:

EPC2361

Gam.:

EPC

Aprašymas:

GaN FET EPC eGaN FET,80 V, 1.0 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN

Eksploatacijos Laikotarpis:

"Mouser Naujiena"

Duomenų Lapas:

EPC2361 Duomenų Lapas (PDF)

ECAD modelis:

Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Daugiau informacijos

Sužinokite daugiau apie EPC EPC2361

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produkto Požymis	Atributo vertė	Pasirinkite Požymį
Gamintojas:	EPC
Gaminio kategorija:	GaN FET
RoHS:
Montavimo stilius:	SMD/SMT
Pakuotė / Korpusas:	QFN-7
Tranzistoriaus poliškumas:	N-Channel
Kanalų skaičius:	1 Channel
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa:	80 V
svar. – nuolatinio išleidimo srovė:	133 A
RDS On - Drain-Source Varža:	1 mOhms
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa:	- 4 V, 6 V
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa:	2.5 V
Qg – vartų krūvis:	28 nC
Minimali darbinė temperatūra:	- 40 C
Didžiausia darbinė temperatūra:	+ 150 C
Kanalas Mode:	Enhancement
Prekinis pavadinimas:	eGaN FET
Technologijos:	GaN
Prekės Ženklas:	EPC
Configuration:	Single
Jautrus drėgmei:	Yes
Pakavimas:	Reel
Pakavimas:	Cut Tape
Gaminys:	Power Transistor
Gaminio tipas:	GaN FETs
Gamyklinės pakuotės kiekis:	3000
Subkategorija:	Transistors
Tranzistoriaus tipas:	1 N-Channel
Vieneto Svoris:	35,200 mg

Rasta produktų:

Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį

Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.

Pasirinkti atributai: 0

Filtruoti dokumentą:

Duomenų Lapas

EPC2361 Duomenų Lapas (PDF)

Reglamentavimo kodai

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Klasifikacija pagal kilmę

Kilmės šalis:: Malaizija
Šalis, kurioje pagaminta:: Ne
Distribucijos šalis:: Ne

Šalis gali keistis siuntimo metu.

ATRINKTI PRODUKTAI

EPC

EPC2305 Enhancement-Mode GaN Power Transistor

Offers a low-inductance 3mm x 5mm QFN package with an exposed top for excellent thermal management.

Sužinokite Daugiau

EPC2304 Enhancement-Mode GaN Power Transistor

Handles tasks where ultra-high switching frequency and low on-time are advantageous.

Sužinokite Daugiau

EPC2302 Enhancement-Mode GaN Power Transistor

Engineered for high-frequency DC-DC applications and 48V BLDC motor drives.

Sužinokite Daugiau

Peržiūrėti visus naujausius produktus nuo EPC

Prieinamumas: 11 797

Turime sandėlyje:: 11 797

Galime išsiųsti iš karto

Įvyko netikėta klaida. Prašome pabandyti vėliau.
Pagal užsakymą:: 18 000

Tikėtina 2027-02-18
Gamintojo numatytas pristatymo laikas: 18

Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.

Įvesti kiekį:

Min. 1 Užsakoma po 1

Vieneto kaina:

-,-- €

Plėt. Kaina:

-,-- €

Numatomas Įkainis:

Kainodara (EUR)

Qty.	Vieneto kaina	Plėt. Kaina
	8,24 €	8,24 €
	4,54 €	45,40 €
	4,18 €	418,00 €
	3,92 €	1 960,00 €
	3,59 €	3 590,00 €
Visa Ritė (Užsakoma po 3000)
	3,35 €	10 050,00 €

EPC2361

Gam.: EPC

Aprašymas: GaN FET EPC eGaN FET,80 V, 1.0 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN

Specifikacijos

Dokumentai (1)

Duomenų Lapas

Produktų ir prekybos sąlygos

Klientai taip pat pirko

ATRINKTI PRODUKTAI EPC

Prieinamumas: 11 797

Kainodara (EUR)

Greitoji Peržiūra

Įvyko netikėta klaida.

Gam.:

EPC

Aprašymas:

GaN FET EPC eGaN FET,80 V, 1.0 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN

ATRINKTI PRODUKTAI

EPC