|
|
RF Stiprintuvas 5.5W Ka-Band GaN Power Amplifier
- CMX90A705A6-R701
- CML Micro
-
1:
58,21 €
-
74Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
226-CMX90A705A6-R701
Naujas Produktas
|
CML Micro
|
RF Stiprintuvas 5.5W Ka-Band GaN Power Amplifier
|
|
74Prieinamumas
|
|
|
58,21 €
|
|
|
52,19 €
|
|
|
47,89 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
100
|
|
|
|
|
GaN FET 650V, 100mohm GaN FET in TO220
- TP65H100G4PS
- Renesas Electronics
-
1:
4,93 €
-
760Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
227-TP65H100G4PS
Naujas Produktas
|
Renesas Electronics
|
GaN FET 650V, 100mohm GaN FET in TO220
|
|
760Prieinamumas
|
|
|
4,93 €
|
|
|
3,13 €
|
|
|
2,43 €
|
|
|
2,18 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
1 000
|
|
|
|
|
Kintamosios srovės / nuolatinės srovės keitikliai Advanced quasi-resonant offline high voltage converter with E-mode GaN HEMT 700V
- VIPERGAN50WTR
- STMicroelectronics
-
1:
2,26 €
-
1 714Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
511-VIPERGAN50WTR
Naujas Produktas
|
STMicroelectronics
|
Kintamosios srovės / nuolatinės srovės keitikliai Advanced quasi-resonant offline high voltage converter with E-mode GaN HEMT 700V
|
|
1 714Prieinamumas
|
|
|
2,26 €
|
|
|
1,69 €
|
|
|
1,55 €
|
|
|
1,38 €
|
|
|
Peržiūrėti
|
|
|
1,16 €
|
|
|
1,31 €
|
|
|
1,26 €
|
|
|
1,22 €
|
|
|
1,16 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
4 000
|
|
|
|
|
GaN FET eGaN FET, 50 V, 8.5 milliohm at 5 V, LGA 1.2 x 1.5 mm
- EPC2057
- EPC
-
1:
1,95 €
-
3 621Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
65-EPC2057
Naujas Produktas
|
EPC
|
GaN FET eGaN FET, 50 V, 8.5 milliohm at 5 V, LGA 1.2 x 1.5 mm
|
|
3 621Prieinamumas
|
|
|
1,95 €
|
|
|
1,26 €
|
|
|
0,851 €
|
|
|
0,68 €
|
|
|
0,565 €
|
|
|
Peržiūrėti
|
|
|
0,648 €
|
|
|
0,559 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
2 500
|
|
|
|
|
Gate Tvarkyklės EPC eGaN IC, 80 V, 15 A Integrated DrGaN Symetrical Half-Bridge Power Stage
- EPC2152
- EPC
-
1:
9,38 €
-
2 379Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
65-EPC2152
Naujas Produktas
|
EPC
|
Gate Tvarkyklės EPC eGaN IC, 80 V, 15 A Integrated DrGaN Symetrical Half-Bridge Power Stage
|
|
2 379Prieinamumas
|
|
|
9,38 €
|
|
|
6,59 €
|
|
|
5,86 €
|
|
|
5,04 €
|
|
|
4,64 €
|
|
|
Peržiūrėti
|
|
|
4,69 €
|
|
|
4,52 €
|
|
|
4,49 €
|
|
|
Pasiūlymas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
500
|
|
|
|
|
GaN FET CoolGaN Transistor 100 V G3 in PQFN 3x3, 5 mohm
- IGB070S10S1XTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
2,62 €
-
3 837Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IGB070S10S1XTMA1
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
GaN FET CoolGaN Transistor 100 V G3 in PQFN 3x3, 5 mohm
|
|
3 837Prieinamumas
|
|
|
2,62 €
|
|
|
1,87 €
|
|
|
1,35 €
|
|
|
1,09 €
|
|
|
Peržiūrėti
|
|
|
0,878 €
|
|
|
1,04 €
|
|
|
1,02 €
|
|
|
0,878 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
5 000
|
|
|
|
|
GaN FET MV GAN DISCRETES
- IGB110S101XTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
1,95 €
-
2 015Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IGB110S101XTMA1
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
GaN FET MV GAN DISCRETES
|
|
2 015Prieinamumas
|
|
|
1,95 €
|
|
|
1,20 €
|
|
|
0,838 €
|
|
|
0,701 €
|
|
|
0,558 €
|
|
|
Peržiūrėti
|
|
|
0,632 €
|
|
|
0,553 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
5 000
|
|
|
|
|
GaN FET CoolGaN Transistor 100 V G3 in PQFN 3x3, 9.4 mohm
- IGB110S10S1XTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
1,73 €
-
2 835Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IGB110S10S1XTMA1
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
GaN FET CoolGaN Transistor 100 V G3 in PQFN 3x3, 9.4 mohm
|
|
2 835Prieinamumas
|
|
|
1,73 €
|
|
|
1,07 €
|
|
|
0,775 €
|
|
|
0,652 €
|
|
|
0,617 €
|
|
|
0,553 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
5 000
|
|
|
|
|
GaN FET CoolGaN Transistor 60 V G3 in PQFN 3x5, 1.3 mohm
- IGC019S06S1XTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
3,67 €
-
3 409Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IGC019S06S1XTMA1
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
GaN FET CoolGaN Transistor 60 V G3 in PQFN 3x5, 1.3 mohm
|
|
3 409Prieinamumas
|
|
|
3,67 €
|
|
|
2,34 €
|
|
|
1,75 €
|
|
|
1,54 €
|
|
|
1,51 €
|
|
|
1,34 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
5 000
|
|
|
|
|
GaN FET MV GAN DISCRETES
- IGC033S101XTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
3,72 €
-
4 398Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IGC033S101XTMA1
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
GaN FET MV GAN DISCRETES
|
|
4 398Prieinamumas
|
|
|
3,72 €
|
|
|
2,39 €
|
|
|
1,81 €
|
|
|
1,57 €
|
|
|
1,34 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
5 000
|
|
|
|
|
GaN FET CoolGaN Transistor 120 V G3 in PQFN 3x5, 2.7 mohm
- IGC037S12S1XTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
3,36 €
-
3 480Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IGC037S12S1XTMA1
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
GaN FET CoolGaN Transistor 120 V G3 in PQFN 3x5, 2.7 mohm
|
|
3 480Prieinamumas
|
|
|
3,36 €
|
|
|
2,39 €
|
|
|
1,85 €
|
|
|
1,57 €
|
|
|
1,52 €
|
|
|
1,34 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
5 000
|
|
|
|
|
GaN FET CoolGaN Transistor 650 V G5
- IGLD65R055D2AUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
5,74 €
-
2 328Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IGLD65R055D2AUMA
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
GaN FET CoolGaN Transistor 650 V G5
|
|
2 328Prieinamumas
|
|
|
5,74 €
|
|
|
3,96 €
|
|
|
3,13 €
|
|
|
2,86 €
|
|
|
2,75 €
|
|
|
2,47 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
3 000
|
|
|
|
|
GaN FET CoolGaN Transistor 650 V G5
- IGLD65R080D2AUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
4,57 €
-
2 712Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IGLD65R080D2AUMA
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
GaN FET CoolGaN Transistor 650 V G5
|
|
2 712Prieinamumas
|
|
|
4,57 €
|
|
|
3,10 €
|
|
|
2,30 €
|
|
|
2,20 €
|
|
|
1,94 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
3 000
|
|
|
|
|
GaN FET CoolGaN Transistor 650 V G5
- IGLD65R110D2AUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
3,78 €
-
2 664Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IGLD65R110D2AUMA
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
GaN FET CoolGaN Transistor 650 V G5
|
|
2 664Prieinamumas
|
|
|
3,78 €
|
|
|
2,44 €
|
|
|
1,86 €
|
|
|
1,63 €
|
|
|
1,58 €
|
|
|
1,42 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
3 000
|
|
|
|
|
GaN FET CoolGaN Transistor 650 V G5
- IGLD65R140D2AUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
3,64 €
-
2 757Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IGLD65R140D2AUMA
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
GaN FET CoolGaN Transistor 650 V G5
|
|
2 757Prieinamumas
|
|
|
3,64 €
|
|
|
2,30 €
|
|
|
1,68 €
|
|
|
1,37 €
|
|
|
1,35 €
|
|
|
1,15 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
3 000
|
|
|
|
|
GaN FET HV GAN DISCRETES
- IGLR65R140D2XUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
3,35 €
-
4 548Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IGLR65R140D2XUMA
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
GaN FET HV GAN DISCRETES
|
|
4 548Prieinamumas
|
|
|
3,35 €
|
|
|
2,20 €
|
|
|
1,54 €
|
|
|
1,29 €
|
|
|
1,26 €
|
|
|
1,07 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
5 000
|
|
|
|
|
GaN FET HV GAN DISCRETES
- IGLR65R200D2XUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
2,27 €
-
4 880Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IGLR65R200D2XUMA
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
GaN FET HV GAN DISCRETES
|
|
4 880Prieinamumas
|
|
|
2,27 €
|
|
|
1,41 €
|
|
|
1,01 €
|
|
|
0,848 €
|
|
|
0,803 €
|
|
|
0,703 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
5 000
|
|
|
|
|
GaN FET HV GAN DISCRETES
- IGLR65R270D2XUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
2,06 €
-
4 886Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IGLR65R270D2XUMA
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
GaN FET HV GAN DISCRETES
|
|
4 886Prieinamumas
|
|
|
2,06 €
|
|
|
1,23 €
|
|
|
0,877 €
|
|
|
0,734 €
|
|
|
Peržiūrėti
|
|
|
0,582 €
|
|
|
0,679 €
|
|
|
0,67 €
|
|
|
0,582 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
5 000
|
|
|
|
|
GaN FET HV GAN DISCRETES
- IGLT65R045D2ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
7,46 €
-
1 407Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IGLT65R045D2ATMA
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
GaN FET HV GAN DISCRETES
|
|
1 407Prieinamumas
|
|
|
7,46 €
|
|
|
4,78 €
|
|
|
3,78 €
|
|
|
3,62 €
|
|
|
3,56 €
|
|
|
3,07 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
1 800
|
|
|
|
|
GaN FET HV GAN DISCRETES
- IGLT65R055D2ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
5,62 €
-
972Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IGLT65R055D2ATMA
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
GaN FET HV GAN DISCRETES
|
|
972Prieinamumas
|
|
|
5,62 €
|
|
|
3,77 €
|
|
|
2,95 €
|
|
|
2,72 €
|
|
|
2,71 €
|
|
|
2,42 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
1 800
|
|
|
|
|
GaN FET HV GAN DISCRETES
- IGLT65R110D2ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
3,72 €
-
1 621Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IGLT65R110D2ATMA
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
GaN FET HV GAN DISCRETES
|
|
1 621Prieinamumas
|
|
|
3,72 €
|
|
|
2,40 €
|
|
|
1,82 €
|
|
|
1,61 €
|
|
|
1,55 €
|
|
|
1,38 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
1 800
|
|
|
|
|
GaN FET HV GAN DISCRETES
- IGOT65R025D2AUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
11,07 €
-
1 047Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IGOT65R025D2AUMA
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
GaN FET HV GAN DISCRETES
|
|
1 047Prieinamumas
|
|
|
11,07 €
|
|
|
8,26 €
|
|
|
6,48 €
|
|
|
6,35 €
|
|
|
5,38 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
800
|
|
|
|
|
GaN FET HV GAN DISCRETES
- IGOT65R035D2AUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
9,16 €
-
501Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IGOT65R035D2AUMA
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
GaN FET HV GAN DISCRETES
|
|
501Prieinamumas
|
|
|
9,16 €
|
|
|
6,73 €
|
|
|
5,04 €
|
|
|
4,28 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
800
|
|
|
|
|
GaN FET HV GAN DISCRETES
- IGOT65R045D2AUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
7,21 €
-
1 378Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IGOT65R045D2AUMA
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
GaN FET HV GAN DISCRETES
|
|
1 378Prieinamumas
|
|
|
7,21 €
|
|
|
4,70 €
|
|
|
3,78 €
|
|
|
3,60 €
|
|
|
3,31 €
|
|
|
3,20 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
800
|
|
|
|
|
GaN FET HV GAN DISCRETES
- IGOT65R055D2AUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
6,13 €
-
626Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IGOT65R055D2AUMA
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
GaN FET HV GAN DISCRETES
|
|
626Prieinamumas
|
|
|
6,13 €
|
|
|
3,96 €
|
|
|
3,15 €
|
|
|
2,51 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
800
|
|
|